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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]影像传感器集成芯片及其形成方法-CN202210059384.9在审
发明人：吴建龙;黄文澔 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开一种影像传感器集成芯片及其形成方法。影像传感器集成芯片包括基底、隔离结构、影像感测元件、栅极结构、第一介电层以及反射层。基底包括像素区。隔离结构设置于基底中且配置在像素区的相对侧。影像感测元件设置于基底的像素区中。栅极结构设置于基底的像素区上。第一介电层设置在基底的像素区上方且覆盖栅极结构的侧壁以及栅极结构的顶面的一部分。反射层设置在第一介电层上。反射层在垂直于基底的表面的第一方向上与影像感测元件重叠且与栅极结构的顶面的所述部分重叠。
影像传感器集成芯片及其形成方法

[发明专利]影像传感器及其制造方法-CN201910057957.2有效
发明人：李世平;林以秾;庄志豪;叶益诚;黄国芳;黄文澔;蔡博安 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开一种影像传感器，其包括基底、感光元件、半导体层、第一栅极与遮光层。感光元件设置在基底中。半导体层设置在感光元件的一侧的基底上。第一栅极设置在感光元件与半导体层之间的基底上。第一栅极与基底彼此绝缘。遮光层覆盖半导体层。基底具有第一导电型，且半导体层具有第二导电型。
影像传感器及其制造方法

[发明专利]影像传感器及其制造方法-CN201910231312.6有效
发明人：钟志平;黄文澔;何明祐;毕嘉慧 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开一种影像传感器及其制造方法。影像传感器包括具有主动面与背面的基底、第一与第二隔离结构、光二极管、存储节点、晶体管、反光层以及微透镜。第一隔离结构设置于主动面处的基底中以界定出主动区。光二极管与存储节点设置于主动区中的基底中且彼此间隔开。晶体管设置于光二极管与存储节点之间且分别与两者电连接。第二隔离结构设置于背面处的基底中且与第一隔离结构连接。反光层具有位于主动面上的第一部分、位于第一与第二隔离结构中的第二部分以及位于背面上的第三部分，其中第二部分连接第一与第三部分，且第三部分不与光二极管的整体重叠。微透镜设置于反光层上。
影像传感器及其制造方法

[发明专利]影像传感器及其制造方法-CN201811066356.X有效
发明人：李世平;黄彬杰;洪瑞宏;叶益诚;杨承翰;黄文澔 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开一种影像传感器及其制造方法，该影像传感器包括基底、感光元件、存储节点、埋入式栅极结构与第一遮光层。感光元件设置在基底中。存储节点设置在基底中。存储节点与感光元件彼此分离。埋入式栅极结构包括埋入式栅极与第一介电层。埋入式栅极设置在基底中，且至少覆盖部分存储节点。第一介电层设置在埋入式栅极与基底之间。第一遮光层设置在埋入式栅极上，且位于存储节点上方。第一遮光层电连接至埋入式栅极。
影像传感器及其制造方法

[发明专利]影像传感器及其制造方法-CN201811195119.3有效
发明人：钟志平;何明祐;黄文澔;毕嘉慧 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2018-10-15 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开一种影像传感器及其制造方法，其中该影像传感器包括半导体基底、形成于半导体基底中的光电二极管、设置于光电二极管上的微透镜、第一转移晶体管、第二转移晶体管以及电容器。第一转移晶体管与第二转移晶体管形成于半导体基底上，且于第一转移晶体管与第二转移晶体管之间的半导体基底内形成有存储节点，其中第一转移晶体管耦合至光电二极管。至于电容器则形成于第一转移晶体管与第二转移晶体管之间，且电容器包括耦合至所述存储节点的第一电极、位于第一电极上并延伸至光电二极管的边缘的第二电极以及介于第一与第二电极之间的介电层。
影像传感器及其制造方法

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