|
钻瓜专利网为您找到相关结果 3758032个,建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]半导体器件的制造方法-CN200610092394.3有效
-
李培瑛
-
南亚科技股份有限公司
-
2006-06-02
-
2006-12-13
-
H01L21/82
- 本发明提供一种半导体器件的制造方法,其包括提供一其中具有嵌壁式栅极(recessed gates)与深沟槽电容元件的衬底,其暴露出嵌壁式栅极的突出部(protrusions)与深沟槽电容元件的上部(upperportions),且在上部及突出部的侧壁形成间隙壁,并在间隙壁间的间隙形成一导电材料的埋入层(buriedportions),另对衬底、间隙壁、及埋入层进行图案化以形成平行的浅沟槽结构进而定义有源区,接着,在浅沟槽结构内形成一介电材料层,而其中部分埋入层可作为埋入式位线接触(buried contacts);以及形成一穿过嵌壁式栅极的字线,其中字线包括重叠覆盖于嵌壁式栅极上的部分,且重叠覆盖部分的宽度小于嵌壁式栅极的宽度
- 半导体器件制造方法
|