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本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]带厚栅极氧化层的多次可编程非易失性存储器件-CN201010127719.3有效
发明人： A·卡尔尼特斯基;M·丘奇 -专利权人：英特赛尔美国股份有限公司
申请日： 2007-04-20 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：根据一个实施例的一种多次可编程(MTP)存储单元，包括浮栅PMOS晶体管、高压NMOS晶体管、以及n阱电容器。浮栅PMOS晶体管包括形成该存储单元第一端子的源极，并包括漏极和栅极。该高压NMOS晶体管包括连接地的源极、连接于PMOS晶体管漏极的延长的漏极、以及形成该存储单元第二端子的栅极。该n阱电容器包括连接于PMOS晶体管栅极的第一端子、以及形成该存储单元第三端子的第二端子。该浮栅PMOS晶体管可存储一逻辑状态。可对存储单元的第一、第二和第三端子施加各种电压的组合以编程、禁止编程、读取和擦除该逻辑状态。
栅极氧化多次可编程非易失性存储器

[发明专利]改进的埋入式隔离层-CN200880025008.6无效
发明人： M·丘奇 -专利权人：英特赛尔美国股份有限公司
申请日： 2008-05-16 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L21/761 文献下载
摘要：本发明所揭示的集成电路包括基板，该基板具有顶部表面、在基板中的埋入式N型层、从该表面延伸到埋入式N型区域的N型接触区域、在基板中与埋入式N型区域相邻且在埋入式N型区域上方的埋入式P型区域、从该表面延伸到埋入式P型区域的P型接触区域、以及在该表面中且在埋入式P型区域上方的N型器件区域。埋入式P型区域的P型杂质包括其扩散系数低于P型接触区域的杂质的扩散系数的杂质。
改进埋入隔离

[发明专利]带厚栅极氧化层的多次可编程非易失性存储器件-CN200710101379.5有效
发明人： A·卡尔尼特斯基;M·丘奇 -专利权人：英特赛尔美国股份有限公司
申请日： 2007-04-20 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：根据一个实施例的一种多次可编程(MTP)存储单元，包括浮栅PMOS晶体管、高压NMOS晶体管、以及n阱电容器。浮栅PMOS晶体管包括形成该存储单元第一端子的源极，并包括漏极和栅极。该高压NMOS晶体管包括连接地的源极、连接于PMOS晶体管漏极的延长的漏极、以及形成该存储单元第二端子的栅极。该n阱电容器包括连接于PMOS晶体管栅极的第一端子、以及形成该存储单元第三端子的第二端子。该浮栅PMOS晶体管可存储一逻辑状态。可对存储单元的第一、第二和第三端子施加各种电压的组合以编程、禁止编程、读取和擦除该逻辑状态。
栅极氧化多次可编程非易失性存储器

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