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[发明专利]具有双浅沟槽隔离及可调内外鳍片轮廓的鳍片制程-CN201810572009.8有效
发明人：布莱恩·J·葛伦;布瑞斯·纳拉辛哈 -专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本申请涉及一种具有双浅沟槽隔离及可调内外鳍片轮廓的鳍片制程，其揭露自对准主动区阻挡掩膜用以图案化并定义多个半导体鳍片以及伴随的浅沟槽隔离(STI)结构。该阻挡掩膜(其一部分包括图案化鳍片硬掩膜)允许解耦内外鳍片蚀刻制程，以及独立优化内鳍片及外鳍片介电属性。该鳍片形成方法还防止产生隔离的、独立的鳍片，从而降低在制程期间机械损伤该鳍片的可能性。
具有沟槽隔离可调内外轮廓鳍片制程

[发明专利]在集成电路中形成ANA区域的方法-CN201710858126.6有效
发明人：古拉密·波奇;杰森·伊葛尼·史蒂芬;金炳烨;艾克·麦克·奇尔德二世;布瑞斯·纳拉辛哈 -专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明涉及在集成电路中形成ANA区域的方法，其中，一种方法包括提供一结构，其具有各自设置于介电堆栈上方的第一硬掩模层、中介层、第二硬掩模层及心轴层。用一心轴掩模将由数个心轴组成的阵列图案化于该心轴层中。用第一截切掩模图案化一ANA沟槽于该心轴层中。用第二截切掩模图案化该ANA沟槽于该中介层中。设置一有机平坦化层(OPL)于该结构上方。蚀刻该OPL以只在该ANA沟槽中设置它，使得该OPL的顶面低于该第二硬掩模层。蚀刻该结构以在该介电堆栈的一介电层中形成一图案，从而在该介电层中形成由数条金属线组成的阵列，该图案中由该ANA沟槽形成的一部分在该介电层内形成一ANA区域。
集成电路形成 ana 区域方法

[发明专利]控制鳍片尖端放置的方法-CN201810034936.4有效
发明人：庄磊;拉尔斯·赖柏曼;S·A·西格;F·L·列;马翰德·库玛;布瑞斯·纳拉辛哈;A·哈山;古拉梅·伯奇;戴鑫托 -专利权人：格芯公司
申请日： 2018-01-15 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及控制鳍片尖端放置的方法，其中，一种方法包括提供具有衬底的半导体结构，衬底包括形成于其上的纵向延展多个鳍片。判定目标布局图型，其将布置于鳍片上的主动区装置套迭。目标布局图型包括将所具鳍片比相邻装置更多的装置套迭区段的第一群组、及将所具鳍片比相邻装置更少的装置套迭区段的第二群组。将第一延展暴露图型图型化成结构，且第一延展暴露图型包括将第一群组朝第一群组的相邻区段的区段延展的延展部。将第二延展暴露图型图型化成结构，且第二延展暴露图型包括将第二群组朝第二群组的相邻区段的区段延展的延展部。将第一与第二延展暴露图型的诸部分组合以形成将相同主动区套迭的最终图型当作目标图型。
控制尖端放置方法