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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种高精度氮化铝覆铝基板的蚀刻方法-CN202310103071.3有效
  • 欧阳鹏;王斌;丁慕禹;韩正尧;葛荘 - 江苏富乐华半导体科技股份有限公司
  • 2023-02-13 - 2023-09-15 - C23F1/02
  • 本发明公开了一种高精度氮化铝覆铝基板的蚀刻方法，涉及陶瓷基板制备领域，旨在解决基板图形容易绝缘失效的问题，其技术方案是：步骤一，图形制备：制备蚀刻图形，取氮化铝覆铝母板基板显影得到需要蚀刻的图形边缘间隙；步骤二，超声空化蚀刻：置于超声振动条件下的酸性蚀刻液中进行浸泡式蚀刻，蚀刻后形成图形边缘间隙；步骤三，图形油墨包边印刷：图形印刷，将感光油墨按照图形网框图形对位印刷到基板上；步骤四，水平蚀刻：取步骤三基板，置于水平蚀刻线下进行酸性刻蚀液蚀刻至陶瓷基底，完成图形精密蚀刻。本发明的一种高精度氮化铝覆铝基板的蚀刻方法能够获得高蚀刻因子，平滑的蚀刻图形轮廓。
  • 一种高精度氮化铝覆铝基板蚀刻方法
  • [实用新型]面板-CN201721870140.X有效
  • 胡冰强 - 深圳市柔宇科技有限公司
  • 2017-12-27 - 2018-07-17 - G06F3/041
  • 本实用新型公开了一种面板，包括第一连接区域、拼接区域及第二连接区域，所述拼接区域连接于所述第一连接区域与所述第二连接区域之间，所述面板还包括第一激光蚀刻图形及第二激光蚀刻图形，所述第一激光蚀刻图形通过一次激光蚀刻形成于所述第一连接区域及所述拼接区域，所述第二激光蚀刻图形通过另一次激光蚀刻形成于所述拼接区域及所述第二连接区域，所述第一激光蚀刻图形与所述第二激光蚀刻图形在所述拼接区域拼接，进而形成连续的刻蚀图形。由于所述第一激光蚀刻图形及所述第二激光蚀刻图形分开形成，不受激光振镜的幅面限定，因此，有利于通过激光蚀刻工艺大规模生产大幅面的面板。
  • 激光蚀刻图形连接区域拼接区域激光蚀刻激光蚀刻工艺本实用新型分开形成激光振镜刻蚀图形幅面拼接
  • [发明专利]调整蚀刻偏差的方法-CN200710045041.2无效
  • 陈泰江;候欢;刘喻;吕隆;靳颖;王劲松 - 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
  • 2007-08-20 - 2009-02-25 - C23F1/12
  • 本发明提供一种调整蚀刻偏差的方法，其中，调整抗反射涂层蚀刻过程中充入蚀刻气体的含氧量来调整多晶硅蚀刻后形成图形尺寸的大小。降低抗反射涂层蚀刻过程中充入蚀刻气体的含氧量来增加多晶硅蚀刻后形成图形尺寸的大小，以减小蚀刻偏差。蚀刻偏差是光刻后图形尺寸的大小与蚀刻后图形尺寸的大小的差值。与现有技术相比，本发明通过改变蚀刻抗反射涂层中蚀刻气体的含氧量就可以控制蚀刻后图形的尺寸，从而达到有效控制蚀刻偏差的效果，而且，不会影响到多晶硅的塑型，所以采用该方法生产的稳定性很好。
  • 调整蚀刻偏差方法
  • [发明专利]半导体器件制造方法和蚀刻系统-CN200410063795.7有效
  • 后藤刚;田岛贡;山崎隆之;加藤贵也 - 富士通株式会社
  • 2004-07-09 - 2005-02-09 - H01L21/3065
  • 一种半导体器件制造方法，包括以下步骤：在一工作目标层上形成一抗蚀层；曝光和显影该抗蚀层，以形成包括孤立图形和密集图形的抗蚀图形；监测抗蚀图形的孤立图形和密集图形的线宽，以确定要减小的线宽的修整量；确定实现孤立和密集图形的修整量的蚀刻条件，蚀刻条件使用具有主要增强蚀刻功能的气体和具有主要抑制蚀刻功能的气体的混合气体；在所述确定的蚀刻条件下修整该抗蚀图形；以及使用所述修整的抗蚀图形蚀刻工作目标层。通过等离子体蚀刻的修整可稳定地实现所需的图形宽度。
  • 半导体器件制造方法蚀刻系统
  • [发明专利]一种无金面悬垂选择性电镍金工艺-CN202011068418.8在审
  • 屈县军;唐兵英 - 广州添利电子科技有限公司
  • 2020-10-09 - 2021-01-05 - H05K3/24
  • 本发明公开了一种无金面悬垂选择性电镍金工艺，工艺流程：干菲林、图形电镀、蚀刻图形、沉铜、感光油、电镍金、褪感光油、微蚀和光学检测。电镀后的铜板送入到蚀刻设备内，通过蚀刻设备对铜板进行图形蚀刻作业，在铜板上蚀刻出所有图形，蚀刻出图形后通过整板沉铜的方式，将板上所有图形连在一起，蚀刻后进行电镍金作业。本发明具有采用先蚀刻出图形，再电镍金的方式，避免先电镍金后再蚀刻带来的电金区域金面悬垂，提升了产品的可靠性；相对于引线流程，缩短了工艺流程，可以提升效率节省成本的优点。
  • 一种无金面悬垂选择性金工
  • [发明专利]双面透明导电膜图形激光制作工艺-CN201110041511.4无效
  • 陈刚 - 武汉吉事达激光技术有限公司
  • 2011-02-21 - 2011-08-17 - B23K26/36
  • 本发明是提供一种双面透明导电膜图形激光制作工艺，其特征在于：①预设双面透明导电膜的上层导电膜激光蚀刻图形和下层导电膜激光蚀刻图形；②将要蚀刻的双面透明导电膜放置在激光蚀刻设备的工作平台上；③调整激光聚焦镜与双面透明导电膜之间距离，使激光聚焦点位于下层导电膜的上表面；④蚀刻下层导电膜激光蚀刻图形；⑤调整激光聚焦镜与双面透明导电膜之间距离，使激光聚焦点位于上层导电膜的上表面；⑥蚀刻上层导电膜激光蚀刻图形。本发明的双面透明导电膜图形激光制作工艺，能提高双面透明导电膜图形激光制作的成品率，生产率高。
  • 双面透明导电图形激光制作工艺
  • [发明专利]一种柔性玻璃单面图形的蚀刻方法-CN202211642683.1在审
  • 徐政权;高坤旭 - 重庆永信科技有限公司
  • 2022-12-20 - 2023-04-11 - C03C15/00
  • 本发明属于柔性玻璃技术领域的柔性玻璃单面图形的蚀刻方法。蚀刻步骤为：柔性玻璃基板(1)表面有图形区域(4)；将防酸膜层(3)粘贴在有图形区域(4)的一面，沿图形区域(4)边缘对防酸膜层(3)进行切割，撕掉保护防酸膜层(5)以外的多余防酸膜层(6)；对柔性玻璃基板(1)表面涂防酸油墨，形成防酸油墨层(2)；撕掉图形区域(4)的保护防酸膜层(5)，裸露出图形区域(4)；将柔性玻璃基板(1)初蚀刻，初蚀刻后再对柔性玻璃基板(1)二次蚀刻。本发明所述的柔性玻璃单面图形的蚀刻方法，方便快捷实现玻璃蚀刻处理，确保玻璃的图形区域凹陷完整，产品制损风险低，表观良率高。
  • 一种柔性玻璃单面图形蚀刻方法
  • [实用新型]软硬结合板的蚀刻补偿结构-CN201921099065.0有效
  • 张海峰;倪兵 - 深圳市路径科技有限公司
  • 2019-07-15 - 2020-05-26 - H05K1/11
  • 本实用新型公开一种软硬结合板的蚀刻补偿结构，其包括至少一层软板层、与所述软板层上贴合硬板层，所述软板层或者硬板层形成有导电图形、手指、以及电连接导电图形与手指的导电条，所述手指与所述导电条连接处设有蚀刻补偿图形，所述蚀刻补偿图形的宽度从手指延伸至所述导电条逐渐减小。本技术方案的手指与导电条之间设置蚀刻补偿图形，在蚀刻过程中可以很好的消除导电条与手指之间蚀刻液对导电图形的侵蚀，保证导电条与手指之间的导电性能。
  • 软硬结合蚀刻补偿结构
  • [发明专利]一种检查蚀刻图形的装置-CN201510139153.9在审
  • 张靓 - 南京市雨花台区知识产权促进中心
  • 2015-03-28 - 2015-07-29 - G01N21/958
  • 本发明公开了一种检查蚀刻图形的装置，所述的检查蚀刻图形的装置包括背光源、蚀刻玻璃、蚀刻玻璃基台、投影板、镜头和电脑，所述的背光源与蚀刻玻璃平行放置，所述的蚀刻玻璃置于蚀刻玻璃基台上，所述的蚀刻玻璃与投影板在同一个水平面平行放置本发明公开的装置将蚀刻玻璃上的图形清晰、准确、完整地投射到投影板上，镜头采集投影板上的图形传输至电脑中显示出来，通过这种检验设备，可以更快更清晰准确地检验蚀刻玻璃上的图形是否完整、有无内污、缺损，避免了人工目测的局限性
  • 一种检查蚀刻图形装置
  • [发明专利]一种银浆激光蚀刻图形拼接方法-CN201610830908.4在审
  • 陈刚;任清荣;袁聪 - 武汉吉事达科技股份有限公司
  • 2016-09-20 - 2017-02-08 - B23K26/362
  • 在大幅面高速高精度银浆振镜激光蚀刻加工中，蚀刻图形大于振镜单次加工幅面时，分块蚀刻图形拼接精度要求非常高，同时在设备振镜精度低于加工要求和振镜精度降低时会带来蚀刻良率急剧下降。本发明涉及一种银浆激光蚀刻图形拼接方法，在振镜精度低于加工需求时，通过对分块图形元素拼接的拼接点进行折弯修改，使拼接要求降低，满足加工要求。本发明提出了一种银浆激光蚀刻图形拼接方法，使大幅面高精度激光蚀刻加工中对蚀刻设备的要求大为降低，加工速度大大提高，带来非常好的经济效益。
  • 一种激光蚀刻图形拼接方法
  • [发明专利]一种无基材电路板的加工方法-CN202010685774.8在审
  • 田秋国;徐晓;田泽铭 - 田秋国
  • 2020-07-16 - 2020-10-16 - H05K3/02
  • 本发明公开了一种无基材电路板的加工方法，在金属板料上先整体涂覆感光物质而形成感光层，之后在暗室中将金属板料正面和背面用UV平行光选着性地曝光，得到相互对称的正面蚀刻图形区域和背面蚀刻图形区域，接着，对正面蚀刻图形区域和背面蚀刻图形区域相应沿上下方向进行喷淋蚀刻，直至得到正面蚀刻图形区域和背面蚀刻图形区域被蚀刻完而连通，进而得到具有线路结构的无基材电路板半成品a，最后将无基材电路板半成品a表面上的感光层剥离而露出金属表面，清洗，烘干，即得到无基材电路板。采用本发明方法，将金属板料整体蚀刻而得到具有相应电路的电路板，其整体电性能良好，实现了成本、性能以及可靠性的改进。
  • 一种基材电路板加工方法
  • [发明专利]补偿性蚀刻方法及结构、半导体器件及其制备方法-CN201811144998.7在审
  • 不公告发明人 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2018-09-29 - 2020-04-07 - H01L21/308
  • 本发明提供一种补偿性蚀刻方法及结构、半导体器件及其制备方法，所述方法至少包括：提供衬底；于所述衬底上形成绝缘介质层，所述绝缘介质层具有若干个不同曝露面积图形；基于目标蚀刻深度并利用所述绝缘介质层的小曝露面积图形，补偿性蚀刻所述衬底；以所述绝缘介质层为掩膜，蚀刻所述衬底，直至于所述衬底上形成若干个不同曝露面积图形，且所述衬底的不同曝露面积图形的蚀刻深度同时达到所述目标蚀刻深度。本发明通过预先补偿性蚀刻衬底的小曝露面积图形来消除与蚀刻深宽比相关的负载效应，从而调控不同曝露面积图形的蚀刻深度达到一致，大大提高了集成电路制作的成功率，并能有效提高制备得到的半导体器件电气性能和可靠性
  • 补偿性蚀刻方法结构半导体器件及其制备
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