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[发明专利]蚀刻超薄膜的方法及蚀刻液-CN200810168351.8有效
发明人：刘家助;陈桂顺;张尚文;叶志扬 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-10-28 - 公布日： 2009-12-16 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种蚀刻超薄膜的方法，其步骤为提供衬底，其上有超薄膜；形成光敏层在超薄膜上；图形化光敏层；依照光敏层的图形蚀刻超薄膜；以及移除图形化的光敏层。蚀刻工艺中利用具有抗扩散性质的蚀刻液，以防止蚀刻液中的蚀刻剂扩散至光敏层下面的区域而蚀刻光敏层下面的部分超薄膜。
蚀刻薄膜方法

[发明专利]一种GFF结构触摸屏用全激光工艺的制作方法-CN201811307315.5在审
发明人：周志强;李金雄;梁巨春;钱鼎林 -专利权人：深圳市鸿展光电有限公司
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： G06F3/047 文献下载
摘要：一种GFF结构触摸屏用全激光工艺的制作方法，本方法由两部分组成：1、激光蚀刻工艺专用的GFF结构上下层ITO图形和银浆图形；2、激光蚀刻银浆图层和ITO图层的工艺参数。通过采用专用的GFF结构上下层的ITO图形和银浆图形进行同步一次性激光蚀刻出ITO图形和银浆图形，减少了工艺流程提高了产品的生产效率和良率，在蚀刻过程中无酸碱溶剂不会造成环境的污染且无需增加纯水清洗系统节省了纯水资源及制水系统的成本；对ITO图形和银浆图形的同步蚀刻避免了图形之间的套版或搭接尺寸的需求结合超细激光蚀刻银浆和超细激光蚀刻设备的采用可以极大的减少GFF结构两侧的边框尺寸实现全面屏需求的GFF超窄边框产品。
银浆激光蚀刻蚀刻激光工艺触摸屏上下层专用的超细图层纯水清洗系统激光蚀刻工艺激光蚀刻设备边框超窄边框生产效率制水系统工艺流程无酸碱一次性搭接良率溶剂制作污染

[发明专利]用于图形转移的线路板及图形转移工艺-CN202010823672.8有效
发明人：叶国俊 -专利权人：鹤山市中富兴业电路有限公司
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H05K3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于图形转移的线路板及其图形转移工艺，线路板包括用于在线路板上形成实际图形的目标设计图形区域和用于覆盖显影干膜的图形转移补偿区域，图形转移补偿区域包括侧蚀宽度补偿区域和角位补偿区域，通过在目标设计图形区域的外部设置侧蚀宽度补偿区域和角位补偿区域，侧蚀宽度补偿区域包围在目标设计图形区域的外围，避免线路板上的图形在蚀刻后边线会往内收，角位补偿区域额外对目标设计图形区域的角位进行包围，避免线路板上的图形在蚀刻时角位受到两侧蚀刻液攻击而变成圆角，从而改良线路板上的图形蚀刻问题，线路板上蚀刻后的图形更接近目标设计图形。
用于图形转移线路板工艺

[实用新型]补偿性蚀刻结构和半导体器件-CN201821596855.5有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本实用新型提供一种补偿性蚀刻结构和半导体器件，所述补偿性蚀刻结构至少包括：衬底，所述衬底具有若干个不同曝露面积图形，且所述衬底的小曝露面积图形具有补偿蚀刻深度，以使所述衬底的不同曝露面积图形的蚀刻深度均达到目标蚀刻深度；其中，所述衬底通过其小曝露面积图形的补偿蚀刻深度来消除与蚀刻深宽比相关的负载效应，从而调控不同曝露面积图形的蚀刻深度达到一致。本实用新型的补偿性蚀刻结构可以精准地控制关键尺寸及蚀刻深度，大大提高了集成电路制作的成功率，可以灵活运用于对半导体器件电气性能的调整，从而有效提高制备得到的半导体器件电气性能和可靠性。
蚀刻面积图形衬底曝露半导体器件补偿性本实用新型电气性能集成电路制作负载效应深宽比制备成功率调控灵活

[发明专利]一种纳米压印的图形修饰方法-CN202211596560.9在审
发明人：闫士波;丁建峰;王刚;潘晓忠;姚志炎 -专利权人：徐州美兴光电科技有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米压印的图形修饰方法，涉及蓝宝石图形化衬底技术领域；为了提升处理效果；包括如下步骤：第一步刻蚀，扫描蚀刻，使用氧气，铲除掉纳米压印技术残留得底膜，减小纳米压印图形顶宽；第二步刻蚀，主蚀刻，提升选择比，累计足够得高度和宽度；第三步刻蚀，过度蚀刻，修饰图形形貌，改善图形侧壁弧度，剔除褶皱；所述底膜残留情况和纳米压印图形顶宽通过SEM量测确认，第一步刻蚀结束时纳米压印图形顶宽比底宽小0.2‑本发明提出的图形修饰方法，设置扫描蚀刻、主蚀刻、过度蚀刻的具体方式，并对其每一环节的功率、流量进行限定，能够确保图形间隙底部平坦，侧壁弧度小，无褶皱等异常，保障了处理效果。
一种纳米压印图形修饰方法

[发明专利]一种PCB孤立图形二次干膜蚀刻方法-CN201810030437.8在审
发明人：付雷;黄勇;贺波 -专利权人：奥士康精密电路（惠州）有限公司
申请日： 2018-01-12 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H05K3/06 文献下载
摘要：本发明涉及PCB加工技术领域，公开了一种PCB孤立图形二次干膜蚀刻方法，包括如下步骤：a.图形转移；b.图形电镀；c.图形蚀刻；d.第二次图形转移；e.第二次蚀刻。本方法适用于具有局部孤立图形设计的、铜厚2OZ‑3OZ的PCB的二次干膜蚀刻方法，极大降低生产不良率，成本低，效率高，适合大规模推广。
蚀刻孤立图形干膜图形转移降低生产图形电镀图形蚀刻不良率

[发明专利]带金属化孔、槽、细密线路的电路板制作方法及电路板-CN202110954003.9在审
发明人：白建国 -专利权人：广德牧泰莱电路技术有限公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H05K3/42 文献下载
摘要：上述电路板制作方法包括步骤：提供一基板，基板的板面具有图形区域和非图形区域；对基板的板面进行镀锡处理，以在图形区域形成一层锡保护层；在图形区域的局部覆盖抗蚀刻保护层；对图形区域进行碱性蚀刻，以在图形区域未覆盖抗蚀刻保护层的部分形成无环孔、背钻孔、槽；去除基板上的抗蚀刻保护层及锡保护层；在形成有无环孔、背钻孔、槽的位置覆盖抗蚀层；对图形区域未覆盖抗蚀层的部位进行酸性蚀刻或碱性蚀刻，以获得引线图形；去除基板上的抗蚀层，以裸露出由引线图形和无环孔、背钻孔、槽组成铜层线路图形。
金属化细密线路电路板制作方法

[发明专利]ITO导电膜图形蚀刻的蚀刻液组合物-CN200910022456.7无效
发明人：赵炜;马介渊;付永山;李翌辉 -专利权人：西安宝莱特光电科技有限公司
申请日： 2009-05-12 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： C09K13/04 文献下载
摘要：本发明涉及ITO导电膜图形蚀刻的蚀刻液组合物。常见用于湿法蚀刻的蚀刻液有：①盐酸和硝酸水溶液(王水)；②三氯化铁水溶液；③锌粉加盐酸溶液；④碘酸水溶液；⑤磷酸水溶液；⑥草酸水溶液；⑦溴化氢水溶液等；但上述蚀刻液存在一些缺点。本发明的目的是提供一种ITO导电膜图形蚀刻的蚀刻液组合物，蚀刻液的配方为：盐酸和三氯化铁水溶液，其中盐酸浓度范围为0.01～12.0mol/L，三氯化铁浓度范围为0.01～5.0mol/L。该蚀刻液配方的蚀刻液蚀刻速度适中，反应稳定，无残留，蚀刻后的电极图形边缘整齐，基本无侧蚀现象。其工艺稳定、操作方便、价格便宜，从而可有效提高ITO导电膜图形化工艺的质量和降低工业化生产成本。
ito 导电图形蚀刻组合

[发明专利]一种PCB孤立图形铺铜分流二次蚀刻方法-CN201810031459.6在审
发明人：付雷;黄勇;贺波 -专利权人：奥士康精密电路（惠州）有限公司
申请日： 2018-01-12 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H05K3/06 文献下载
摘要：本发明涉及PCB加工技术领域，公开了一种PCB孤立图形铺铜分流二次蚀刻方法，包括如下步骤：a.优化铺铜菲林；b.图形转移；c.图形电镀；d.图形蚀刻；e.第二次图形转移；f.第二次蚀刻。本方法适用于具有局部孤立图形设计的、铜厚＜2OZ的PCB的铺铜分流二次蚀刻方法，极大降低生产不良率，成本低，效率高，适合大规模推广。
蚀刻孤立图形图形转移分流降低生产图形电镀图形蚀刻不良率菲林优化

[发明专利]一种超薄core连续压合工艺-CN202011087134.3在审
发明人：叶猛;孙健 -专利权人：广州添利电子科技有限公司
申请日： 2020-10-12 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种超薄core连续压合工艺，L4‑5单core在蚀刻工序，L4面贴阻蚀膜，L5面蚀刻图形；L12‑13单core，L13面贴阻蚀膜，L12面蚀刻图形；L2‑3单core在蚀刻工序，L2面贴阻蚀膜，L3面蚀刻图形；L14‑15单core，L15面贴阻蚀膜，L14面蚀刻图形，再压合Sub Assembly L2‑15面；用Core‑Lam多次压合压合工艺替代原有Foil‑Lam单次压合工艺，8μm12μmcore采取单面蚀刻方式，一面蚀刻出图形，一面不蚀刻，让1oz铜箔来提供支撑力，通过三次压合完成电路板制作。本发明具有用Core‑Lam多次压合压合工艺，8μm12μm采用单面蚀刻方式增加板框支撑力的优点。
一种超薄 core 连续工艺

[发明专利]一种在玻璃表面形成精密光学纹路的加工方法-CN202011115911.0在审
发明人：陈锋;谌建初 -专利权人：武汉金鸿桦烨电子科技有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种在玻璃表面形成精密光学纹路的加工方法，在先前玻璃表面通过曝光显影加工的基础上，改为图形蚀刻。在原有图形的基础上，增加触摸手感，根据不同玻璃装饰需求，设计不同图形，通过光刻工艺实现图形成型，再通过蚀刻工艺蚀刻玻璃表面，图形精细度最细可以达到0.015mm，图形效果非常漂亮。
一种玻璃表面形成精密光学纹路加工方法

[发明专利]一种激光蚀刻TCO图案的方法-CN201310646532.8无效
发明人：田元生;任华进 -专利权人：南京第壹有机光电有限公司
申请日： 2013-12-06 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： B23K26/362 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光蚀刻TCO图案的方法，包括如下步骤：1）绘制激光蚀刻图形：使用绘图软件绘制好需要被断开的TCO线条；2）将步骤1）中的图形导入激光设备；3）将TCO固定在激光设备的工作台上，使用激光设备在TCO蚀刻出与步骤1）中的图形一样的线条。本发明具有如下技术效果：蚀刻时间与蚀刻面积成正比关系，蚀刻线条的面积远远小于蚀刻一个面的面积，原来需要蚀刻的面积越大，采用本发明后节省的时间越多。能够缩短激光蚀刻时间，提高生产效率。
一种激光蚀刻 tco 图案方法

[发明专利]印制线路板及其制作方法-CN201510729593.X有效
发明人：李娟;史宏宇;陈蓓 -专利权人：广州兴森快捷电路科技有限公司;深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司;宜兴硅谷电子科技有限公司
申请日： 2015-10-29 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H05K3/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种印制线路板及其制作方法，所述印制线路板的制作方法包括以下步骤：准备PCB在制板、确定局部蚀刻区域、制作局部蚀刻区域图形、第一次外层图形转移、图镀铜镍金以及外层图形蚀刻。所述局部蚀刻区域中所有的焊盘、线路和铜皮的顶面及侧面上能够形成铜镍金包裹圈，在进行外层图形蚀刻时，铜镍金包裹圈能够从顶面及侧面对局部蚀刻区域图形中的焊盘、线路和铜皮进行保护，能够避免局部蚀刻区域中出现悬镍问题
印制线路板及其制作方法

[发明专利]一种精密线路的外部蚀刻补偿方法-CN201911044621.9在审
发明人：方磊;王健;孙彬;沈洪;李晓华 -专利权人：江苏上达电子有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H05K3/06 文献下载
摘要：本发明公开一种精密线路的外部蚀刻补偿方法，在线路周围形成均匀的空白区域，蚀刻后得到均匀的线路。本发明通过在线路周围设计规则的外部补偿图形使线路周围形成相同的密集度，药水交换速度相同，可消除不同区域、不同类型的线路图形尺寸差异，最终达到相同的蚀刻效果，得到均匀的线路。另外，由于采用的外部补偿图形是规则图形，设计工作难度低，补偿规则简单，设计方便，且外部补偿图形设计的宽度较小，在蚀刻过程中被侧蚀蚀刻掉，无需再做其他特殊处理。
蚀刻补偿图形外部补偿规则尺寸差异工作难度规则图形空白区域设计规则蚀刻补偿线路图形密集度药水侧蚀精密交换

[发明专利]半导体装置结构的形成方法-CN202310587484.3在审
发明人：陈建汉;张世郁;邱建智;陈煌明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在具有形成于其中的导体部件的半导体结构上形成第一与第二蚀刻停止层。在第二蚀刻停止层上形成介电层，在介电层上形成包括钨基材料的硬掩模并将其图形化。在图形化的硬掩模的上方形成阻剂层。使用图形化的阻剂层作为掩模而施行第一蚀刻工艺，以形成延伸而局部穿透介电层的导孔开口。使用图形化的硬掩模作为蚀刻掩模而施行第二蚀刻工艺(例如，干式蚀刻工艺)，以将导孔开口延伸而穿透第二蚀刻停止层，施行第三蚀刻工艺(例如，湿式蚀刻工艺)，以将导孔开口延伸而穿透第一蚀刻停止层而到达导体部件。
半导体装置结构形成方法