[发明专利]一种铁磁/反铁磁多层膜钉扎材料及其制备方法无效
申请号: | 201010177285.8 | 申请日: | 2010-05-19 |
公开(公告)号: | CN101834053A | 公开(公告)日: | 2010-09-15 |
发明(设计)人: | 代波;蒋庆林;邢永燕 | 申请(专利权)人: | 西南科技大学 |
主分类号: | H01F10/32 | 分类号: | H01F10/32;H01F10/10;H01F41/14 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 621010 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种铁磁/反铁磁多层膜钉扎材料及其制备方法,该多层膜钉扎材料包括基片和在基片上设置的缓冲层、铁磁层I、反铁磁层、铁磁层II和设于其上的保护层;其制备方法是在基片上采用磁控溅射依次沉积各层得到该多层膜材料。采用本发明方法制备的多层膜钉扎材料,不仅成功地实现了铁磁/反铁磁交换偏置,而且利用交换耦合作用,增强了反铁磁材料的钉扎性能,使得铁磁/反铁磁交换偏置体系更加稳定,更适合于磁电子学器件的应用;制备工艺简单、材料性能稳定。 | ||
搜索关键词: | 一种 反铁磁 多层 膜钉扎 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种铁磁/反铁磁多层膜钉扎材料,其特征是包括:一基片,和在基片上依次设置的一缓冲层,用于诱导织构的反铁磁层;一铁磁层(I),设置于缓冲层上;一反铁磁层,设置于铁磁层(I)上;一铁磁层(II),设置于反铁磁层上;以及一设置于铁磁层(II)上的的保护层。
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