[发明专利]磁性薄膜和磁阻效应元件有效
| 申请号： | 200710159762.6 | 申请日： | 2007-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN101252037A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 高桥研;角田匡清;驹垣幸次郎 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社;国立大学法人东北大学 |
| 主分类号： | H01F10/12 | 分类号： | H01F10/12;H01L43/08;G11B5/39 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供磁性薄膜和磁阻效应元件。在所述磁性薄膜中，可以可靠地固定诸如固定层的铁磁层的磁化方向。所述磁性薄膜包括：反铁磁层；和铁磁层。反铁磁层由锰系反铁磁材料构成，并且在反铁磁层和铁磁层之间形成有锰层。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 薄膜 磁阻 效应 元件 | ||
【主权项】：
1.一种磁性薄膜，该磁性薄膜包括：反铁磁层；和铁磁层，其中，所述反铁磁层由锰系反铁磁材料构成，并且在所述反铁磁层和所述铁磁层之间形成有锰层。
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