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[实用新型]晶圆去边设备及去边晶圆-CN202122259780.X有效
发明人：郭茂峰;熊展;江善波;陶胜;李士涛;马新刚;毕京锋 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种晶圆去边设备及去边晶圆，其中所述晶圆去边设备包括：承载晶圆的承载装置，以及位于所述承载装置上方的紫外激光器，所述晶圆位于所述承载装置上，所述紫外激光器向所述晶圆的边缘区域发射激光，以实现所述晶圆的去边处理本实用新型通过采用紫外激光器实现减材工艺，可以有效提升晶圆去边的工作效率和工艺良率，降低热应力和机械作用力带来暗裂或破片的风险，进而实现稳定高效的晶圆去边效果。
晶圆去边设备去边晶圆

[实用新型]晶圆去边设备-CN202121899928.X有效
发明人：邢程;孙鹏 -专利权人：芯盟科技有限公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： B26F3/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种晶圆去边设备，包括：承载台，用于承载晶圆；高压水枪，所述高压水枪喷射的高压水作为晶圆去边的切割工具，所述高压水与晶圆的切割面呈一定入射角度；增压装置，所述增压装置连接所述高压水枪，用于向所述高压水枪提供高压水本实用新型涉及到的晶圆去边设备，采用高压水切割的方式进行晶圆的去边工作。避免在晶圆去边过程中设备过热的问题，切割边缘平滑、精度高，且耗材价格低廉，适合工业推广。
晶圆去边设备

[实用新型]一种用于半自动晶圆贴膜设备的晶圆揭膜去边装置-CN202121248613.9有效
发明人：巩铁建;陶为银;蔡正道;张伟 -专利权人：河南通用智能装备有限公司
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于半自动晶圆贴膜设备的晶圆揭膜去边装置，涉及半导体装置技术领域，具体为一种用于半自动晶圆贴膜设备的晶圆揭膜去边装置，包括底座和纵向柱，连接槽的内顶壁固定连接有第二弹簧。该用于半自动晶圆贴膜设备的晶圆揭膜去边装置，通过支撑环和支撑块的设置，使该用于半自动晶圆贴膜设备的晶圆揭膜去边装置具备了支撑膜边缘处的效果，通过第二弹簧和纵向柱的配合设置，在使用的过程中可以使压膜环压紧膜的边缘处，达到了揭膜去边效果好的目的，通过限位板的设置，使该用于半自动晶圆贴膜设备的晶圆揭膜去边装置具备了防止切割晶圆的效果，通过第一弹簧和第一连接盘的配合设置，达到了保护晶圆的目的。
一种用于半自动晶圆贴膜设备晶圆揭膜去边装置

[发明专利]一种晶圆芯片的去边加工方法及其应用的划片机-CN202010515294.7在审
发明人：杨云龙;姜苏;高金龙;于光明 -专利权人：江苏京创先进电子科技有限公司
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： B28D5/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆芯片的去边加工方法及其应用的划片机，将晶圆芯片背面外缘定义为待去边的晶圆芯片外缘环，通过划片机的视觉对准系统基于晶圆芯片外缘环的点位置坐标计算生成晶圆芯片外缘环对应的环形切割轨道，将该环形切割轨道作为目标切割轨道，最后通过划片机的切割工具根据该目标切割轨道对所述晶圆芯片进行去边切割，最终实现了对晶圆芯片背面外缘从晶圆芯片上分离，整体去边加工过程便捷高效，而且当完成去边加工后的晶圆芯片进入正常划片切割工序后，可靠避免了划片切割工序中发生飞料现象，最终杜绝了由于飞料产生的诸多问题，适合在晶圆片切割加工领域中进行规模推广应用。
一种芯片加工方法及其应用划片

[发明专利]NTD工艺中的光阻去边方法以及光阻去边机台-CN201610884452.X有效
发明人：叶蕾;胡华勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种NTD工艺中的光阻去边工艺以及光阻去边机台，光阻去边工艺包括：提供晶圆，所述晶圆上涂覆有光刻胶膜；对所述晶圆边缘的光刻胶膜进行曝光处理；采用正调光阻显影工艺中的显影剂，对所述曝光处理后的光刻胶膜进行显影处理，去除所述晶圆边缘的光刻胶膜。本发明提高了NTD工艺中光阻去边的精确度，改善了NTD工艺中光阻去边结果的均匀性。
ntd 工艺中的光阻去边方法以及机台

[发明专利]去边检测装置及检测方法-CN201310753733.8有效
发明人：戴文俊 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种去边检测装置，包括：探测组件，其包括信号发射器和信号接收器，用于探测晶圆边缘和去边位置；支撑框架，用于固定上述探测组件；传动组件，与上述支撑框架相连接；控制单元，控制上述探测组件在晶圆径向方向上的平行移动并记录其探测到晶圆边缘和去边位置所对应的行进距离，以计算晶圆的去边量。此外，本发明还提供了一种去边检测方法，其能精确地检测去边位置，提高检测的可重复性，并对化学电镀去边后的平坦化进行量化的控制，以降低化学机械研磨工艺中产生剥落缺陷并造成晶圆划痕，提高化学电镀平坦化的控制，进而提高了晶圆的良率。
边检装置检测方法

[实用新型]一种晶圆涂胶后平边和圆边的去边装置-CN202120918208.7有效
发明人：蔡敏 -专利权人：福建慧芯激光科技有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆涂胶后平边和圆边的去边装置，所述去边装置包括支架，喷嘴装置和弹性部件，所述喷嘴装置包括喷嘴和与喷嘴连接的抵接部，所述弹性部件的一端连接在所述支架上，另一端抵顶在所述抵接部上；将去边装置设置在晶圆涂布装置的侧边，喷嘴装置上的抵接部被弹性部件施加作用力抵顶在晶圆上，当需要对晶圆边缘残留进行去除时，让晶圆与去边装置相对的转动，喷嘴装置上的喷嘴朝着晶圆的边缘喷涂清洗剂，当晶圆的平边转动靠近喷嘴时，由于弹性部件始终对抵接部施加弹力，抵接部一直抵压在晶圆的边缘上，从而使得抵接部上的喷嘴能够对晶圆的圆边及晶圆的平边进行有效的清洗。
一种涂胶后平边装置

[实用新型]一种ABM光刻机用晶圆去边治具-CN201821958262.9有效
发明人：席庆男;刘军强;许南发;王晓慧 -专利权人：山东元旭光电股份有限公司
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型属于晶圆加工设备技术领域，提供了一种ABM光刻机用晶圆去边治具，包括治具本体，治具本体的一侧设有用以实现其于光刻机上安装的安装部，治具本体的另一侧开设有光刻板放置槽、晶圆放置槽和取片槽，光刻板放置槽与晶圆放置槽对应设置，且晶圆放置槽位于光刻板放置槽的下方，取片槽位于晶圆放置槽的下方，且取片槽的一端延伸至治具本体的外周边设置。本实用新型结构简单，相较传统的晶圆去边加工方法，利用该治具与ABM光刻机配合使用，晶圆去边加工后，边缘光刻胶无锯齿型，且该治具有效避免了因晶圆中心不正导致边缘去边尺寸不均匀的现象发生，进而使得对晶圆的去边加工质量跟加工效率均大大提高
晶圆放置槽去边治具本体光刻板光刻机取片槽治具本实用新型加工晶圆加工设备加工效率晶圆中心边缘光不均匀传统的锯齿型外周边光刻胶无延伸

[发明专利]一种去边宽度的监测晶圆及其制作方法-CN201410387724.6在审
发明人：栾会倩 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2014-08-07 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种去边宽度的监测晶圆以及制作方法，其中所述监测晶圆的边缘具有若干第一刻度尺图形，所述第一刻度尺图形带有刻度的边与所述监测晶圆的半径对齐，所述第一刻度尺图形的最小刻度至少为0.1mm。利用本发明的具有刻度尺图形的监测晶圆对去边宽度做监控，可直接在监测晶圆上读出去边宽度，并且通过四个刻度尺图形上读出的四个读数，可精确的判断出去边宽度大小，以及是否相对晶圆中心有平移(即通常所说的大小边的问题采用本发明的监测晶圆对去边宽度进行监控，可以快速的读出去边监测数据，无需机台测量，省时省力。
一种宽度监测及其制作方法

[发明专利]一种半自动晶圆揭膜去边设备-CN202110140815.X在审
发明人：郑月英 -专利权人：广州市乐薇商贸有限公司
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半自动晶圆揭膜去边设备，其结构包括底座、动力箱、提拉块、处理机、控制板，底座顶面焊接于动力箱底面，提拉块嵌入于动力箱一侧，处理机底面嵌固于动力箱顶面，控制板背面嵌入于处理机正面，本发明可以通过控制板控制晶圆送入的速度并将其通过压边粘膜机进行粘附并去边，在去边的过程中，通过下压并旋转的切头来将晶圆边割除，若晶圆在去边的过程中，有一部分没有完全断开粘附在断面处产生向下的毛边，则可以通过刮底环将其清理干净，使晶圆的底面在切边后能获得很高的平整度，并且自动将切削毛边的残渣收集，避免切割粉末落在晶圆上影响晶圆上蚀刻的电路受到影响。
一种半自动晶圆揭膜去边设备

[发明专利]晶圆表面光阻去边的方法-CN201010571138.9有效
发明人：胡华勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2010-12-02 - 公布日： 2012-06-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种晶圆表面光阻去边的方法，包括：获取晶圆制造的半导体器件的最小线宽；当所述半导体器件的最小线宽大于90nm时，采用化学去边方法或/和调节构成光阑的挡光板至形成较大的光阑孔径并利用较大光阑孔径的晶圆边缘曝光法进行晶圆表面光阻去边；当最小线宽小于或者等于90nm时，至少包括：调节构成光阑的挡光板至形成较小的光阑孔径并利用较小光阑孔径的晶圆边缘曝光法进行表面光阻去边。本发明使用光阑孔径大小可调节的晶圆边缘曝光法去除晶圆边缘光阻，使得所形成的Rainbow缺陷较小，且该方法简单、成本低。
表面光阻去边方法

[发明专利]去边机-CN202010796210.1在审
发明人：初亚东 -专利权人：天津天物金佰微电子有限公司
申请日： 2020-08-10 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种去边机，包括主动机构以及从动机构，主动机构包括压片盘，从动机构包括载片台，压片盘与载片台相对设置，压片盘与载片台之间形成用于固定晶圆的容纳空间；压片盘远离载片台一侧与旋转驱动电机的输出轴连接，载片台远离压片盘一侧设有支撑杆，载片台与支撑杆转动连接；还包括设置在载片台侧方的用于对晶圆边缘去边的去边喷嘴。本发明所述的去边机通过压片盘、载片台夹紧晶圆并带动晶圆旋转，同时再通过设置在载片台侧方的去边喷嘴对晶圆边缘部位进行周向的吹除，提高了工作效率同时提高了剔除质量，降低了废品率。
去边机

[实用新型]防止溶液反溅的光刻胶去边装置-CN202320889431.2有效
发明人：陈涛;朱琪;李波 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供一种防止溶液反溅的光刻胶去边装置，包括晶圆固定台，晶圆固定台用于对晶圆固定，晶圆固定台的底端固定连接有旋转轴；设置于晶圆上侧的喷嘴，喷嘴用于喷洒有机溶剂去除晶圆边缘上的光刻胶层，喷嘴处固定连接有一环形的第一挡板，第一挡板的侧壁可拆卸连接有第一多孔材料层；设置于晶圆外侧的第二挡板，第二挡板的侧壁可拆卸连接有第二多孔材料层。本发明的光刻胶去边装置正常作业时，能有效吸附溅到第二挡板内壁的溶剂，防止溶剂返溅；光刻胶去边装置异常作业时，能有效防止喷嘴异常时溶剂飞溅污染第二挡板外单元及晶圆，也解决了常规的第一挡板上溶剂滴落污染的问题
防止溶液光刻胶去边装置

[发明专利]一种晶圆棒开方控制系统及控制方法-CN202210094054.3在审
发明人：王晓鹏;梁志慧;李喜珍;贡艺强;王猛;石岩;杨树生;赵艳慧;常顺;林雪龙;李志剑;赵伟;王光宇;尹琨 -专利权人： TCL中环新能源科技股份有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： B28D7/04 文献下载
摘要：一种晶圆棒开方控制系统及控制方法，包括：用于去除晶圆棒边皮的开方仓以及置于所述开方仓端部的移动平台；所述移动平台配设有上料机构和下料机构，所述上料机构和所述下料机构异侧设置在所述开方仓两侧，所述上料机构能够在所述下料机构收集所有边皮并将开方后的所述晶圆棒移走时同步将新的待开方的所述晶圆棒送至所述开方仓处本发明待开方的晶圆棒上料和去边皮后的晶圆棒下料是采用异侧传输，且可同步进行下一轮待开方晶圆棒的上料和上一轮去边皮晶圆棒的下料，不仅可提高硅棒周转的安全性，亦可使上下料工作无缝隙衔接，生产效率高，并可降低边皮之间及边皮与晶方棒之间的磕碰
一种晶圆棒开方控制系统控制方法

[发明专利]一种采用挤压方式去除IGBT用硅晶圆抛光片边缘氧化膜的方法-CN201210508373.0有效
发明人：孙晨光;冯硕;由佰玲;崔丽;周潘 -专利权人：天津中环领先材料技术有限公司
申请日： 2012-12-03 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用挤压方式去除IGBT用硅晶圆抛光片边缘氧化膜的方法，将专用的挤压去边机应用于硅晶圆抛光片边缘氧化膜处理过程，1、将硅晶圆片背封面与胶圈垫片胶圈面对齐，参考面朝下，放在挤压去边机的定位台上定位；2、通过转动螺纹挤压杆将定位好的硅晶圆片和胶圈垫片紧紧挤压到一起；3、将夹好硅晶圆片和胶圈垫片的挤压去边机放置于充满HF蒸汽的腔室或将夹好硅晶圆片和胶圈垫片局部浸入HF溶液中，摇动摇柄使右侧挤压盘旋转；4、用纯水冲洗掉硅晶圆片表面残留的HF后，将硅晶圆片和胶圈垫片分离，本方法可精确控制HF对SiO2膜的去除范围，提高生产效率；降低成本，利于大规模量产，能满足任何规格的晶圆边缘氧化膜去除的生产需要。
一种采用挤压方式去除 igbt 用硅晶圆抛光边缘氧化方法

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