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[发明专利]抗氧化单晶钨粉和纳米钨粉及其制备方法-CN202211296058.6在审
发明人：叶金文;刘颖;李婧雪;佟乐乐;杨叶;胡建举 -专利权人：四川大学;四川航天川南火工技术有限公司
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： B22F1/16 文献下载
摘要：本发明提供了抗氧化单晶钨粉和抗氧化纳米钨粉，所述抗氧化单晶钨粉，其微观结构为单晶钨粉被碳化形成的碳化钨相包覆着单晶钨粉，所述抗氧化纳米钨粉，其微观结构为纳米钨粉被碳化形成的碳化钨相包覆着纳米钨粉。抗氧化单晶钨粉以偏钨酸铵粉末为原料，将其形成水溶液并通过喷雾干燥得到球形前驱体粉末，再将前驱体粉末用氢气还原得到单晶钨粉，然后将单晶钨粉用CO碳化处理即可得到抗氧化单晶钨粉。抗氧化纳米钨粉以蓝钨粉末为原料，将其用氢气还原得到纳米钨粉，然后将纳米钨粉用CO碳化处理即可得到抗氧化纳米钨粉。本发明所述抗氧化单晶钨粉或抗氧化纳米钨粉与单晶钨粉或纳米钨粉相比，抗氧化性大幅度提高。
氧化单晶钨粉纳米及其制备方法

[发明专利]单晶纳米线偏振光探测器的制备方法-CN202210729763.4在审
发明人：杨珏晗;杨文;邓惠雄;文宏玉;魏钟鸣 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶纳米线偏振光探测器的制备方法，包括：生长锑铋硫单晶材料；剥离锑铋硫单晶材料，将锑铋硫单晶材料剥离成锑铋硫单晶纳米线并转移至衬底上；在锑铋硫单晶纳米线两端制备电极，得到单晶纳米线偏振光探测器本发明将具有各向异性的锑铋硫单晶纳米线作为偏振光探测元件，由于锑铋硫单晶纳米线的各向异性，对不同方向的线偏振光具有不同的吸收特性，锑铋硫单晶纳米线自身就能够对线偏振光进行探测，无需额外的光学元件，使光探测器的结构更加简单
纳米偏振光探测器制备方法

[发明专利]一种钒酸镉单晶纳米线的简单制备方法-CN201610297915.2有效
发明人：曲阳;付宏刚;井立强;孟慧媛;丁冬雪;孙宁 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2016-05-06 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： C30B7/14 文献下载
摘要：一种钒酸镉单晶纳米线的简单制备方法，它涉及一种钒酸镉单晶纳米线的制备方法。本发明的目的是要解决现有技术制备的钒酸盐材料存在晶粒尺寸大，无规则形貌，产率低和无法生产单晶结构的问题。方法一、配制镉盐溶液；二、配制含有强电解质盐的偏钒酸盐水溶液；三、混合；四、将干燥后的钒酸镉单晶纳米线前驱体置于马弗炉中煅烧，得到钒酸镉单晶纳米线。本发明制备的钒酸镉单晶纳米线与现有的钒酸盐纳米材料相比，呈现单晶结构和均匀的纳米线结构，电子传输性能提高。本发明可获得一种钒酸镉单晶纳米线的简单制备方法。
一种钒酸镉单晶纳米简单制备方法

[实用新型]纳米级单晶薄膜-CN201820963329.1有效
发明人：胡卉;朱厚彬;胡文;罗具廷;张秀全;李真宇;李洋洋 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L41/18 文献下载
摘要：提供了一种可以改善单晶薄膜与衬底键合力的纳米级单晶薄膜。所述纳米级单晶薄膜包括纳米级单晶薄膜层、第一过渡层、隔离层、第二过渡层和衬底层，第一过渡层位于纳米级单晶薄膜层与隔离层之间，第二过渡层位于隔离层与衬底层之间。本实用新型提供了一种具有减少的内部缺陷和增大的键合力的纳米级单晶薄膜，可减少传输损耗并且可避免纳米级单晶薄膜在切割工艺中发生大面积的解键合现象，从而可以提高纳米级单晶薄膜的使用率和电子器件的成品率。
纳米级单晶薄膜过渡层隔离层单晶薄膜层衬底层键合力本实用新型传输损耗电子器件内部缺陷成品率增大的使用率衬底键合切割

[发明专利]单晶金刚石纳米柱阵列结构的制备方法和应用-CN201510112306.0在审
发明人：王宏兴;刘璋成;李硕业;王玮;王菲;李奉南;张景文;卜忍安;侯洵 -专利权人：王宏兴
申请日： 2015-03-14 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶金刚石纳米柱阵列结构的制备方法，包括以下步骤：a.以单晶金刚石为衬底，将纳米分散液滴到单晶金刚石表面，通过旋涂的方法在单晶金刚石表面均匀分散；b.利用反应离子刻蚀技术，采用氧等离子体来刻蚀所述步骤a中分散有纳米颗粒的单晶金刚石；c.采用湿法刻蚀或超声清洗方法，去除单晶金刚石衬底表面的纳米颗粒，即形成单晶金刚石纳米柱阵列结构。本发明采用自组装工艺，对单晶金刚石衬底进行处理，获得单晶金刚石纳米柱阵列结构，再对其进行横向外延生长，获得高质量的单晶金刚石薄膜，可以有效的降低位错密度，改善单晶金刚石薄膜的生长质量。
金刚石纳米阵列结构制备方法应用

[发明专利]一种纳米单晶金刚石及其制造方法-CN200610114373.7有效
发明人：祝世连;葛丙恒 -专利权人：北京国瑞升科技有限公司
申请日： 2006-11-08 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明提供一种能够用于高精度抛光加工的纳米单晶金刚石，例如，用于电脑硬盘的纹理加工等，其特征在于：该纳米单晶金刚石是将粒度大于纳米级的单晶金刚石颗粒通过球磨粉碎制成。本发明还提供一种上述纳米单晶金刚石的制造方法，包括以下步骤：步骤1，将粒度大于纳米级的单晶金刚石颗粒进行球磨粉碎，得到包含有纳米单晶金刚石的微粉；步骤2，对微粉进行酸碱处理，以分别去除金属、石墨和硅杂质；步骤3，利用多管高速离心机，把微粉分级成不同粒度，得到平均粒度在100nm数量级或者更小的纳米单晶金刚石。采用该方法能够以便捷可行的途径获得纳米级单晶金刚石，并且生产成本相对较低。
一种纳米金刚石及其制造方法

[发明专利]提高单晶氧化锌纳米棒表面增强拉曼散射信号的方法-CN201410360550.4有效
发明人：佘广为;金亮亮;师文生 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： C30B7/12 文献下载
摘要：本发明涉及提高单晶氧化锌纳米棒表面增强拉曼散射信号的方法。本发明是通过在单晶ZnO纳米棒阵列上制备出一层多晶ZnO纳米颗粒薄膜，形成单晶ZnO纳米棒/多晶ZnO纳米颗粒薄膜核/壳结构的纳米棒阵列；以此单晶ZnO纳米棒/多晶ZnO纳米颗粒薄膜核/壳结构的纳米棒阵列作为表面增强拉曼散射基底本发明中的核/壳结构的纳米棒阵列的制备方法简单、条件温和并且时间短；与单晶ZnO纳米棒阵列相比，在对目标分子4-巯基吡啶进行拉曼散射信号的检测时，所述单晶ZnO纳米棒/多晶ZnO纳米颗粒薄膜核/壳结构的纳米棒阵列上可以检测到更强的目标分子
提高氧化锌纳米表面增强散射信号方法

[发明专利]一种高灵敏度半导体纳米紫外光探测器的制备方法-CN201710026074.6有效
发明人：祝元坤;赵爽;田洪正;王现英;王丁 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2017-01-13 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：本发明公开了一种高灵敏度半导体纳米紫外光探测器的制备方法，先制备二维超薄结构单晶ZnO纳米材料；将二维超薄结构单晶ZnO纳米材料从生长衬底转移；将二维超薄结构单晶ZnO纳米材料与有机溶液或去离子水混合；超声分散二维超薄结构单晶ZnO纳米材料的溶液；将所述二维超薄结构单晶ZnO纳米材料溶液涂覆在半导体、绝缘、导电的衬底表面；沿所述二维超薄结构单晶ZnO纳米材料米材料长度方向，两端镀制金属导电电极；利用掩膜版遮挡二维超薄结构单晶ZnO纳米材料，镀制绝缘氧化物覆盖层，形成绝缘氧化物半遮盖或者对称遮盖结构，得到二维超薄结构单晶ZnO纳米紫外光探测器。
超薄结构单晶ZnO 二维纳米材料制备紫外光探测器半导体纳米绝缘氧化物高灵敏度镀制材料长度方向金属导电电极纳米材料溶液纳米紫外光超声分散衬底表面衬底转移去离子水有机溶液遮盖结构覆盖层灵敏度体积小掩膜版探测器导电涂覆绝缘遮挡遮盖半导体对称生长响应

[发明专利]在蓝宝石衬底上制备微纳米图形的方法-CN201310196493.6无效
发明人：董鹏;王军喜;闫建昌;张韵;曾建平;孙莉莉;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-05-24 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种在蓝宝石衬底上制备微纳米图形的方法，包括以下步骤：步骤1：在一蓝宝石衬底上制备一单晶薄膜；步骤2：在单晶薄膜上旋涂一层光刻胶；步骤3：在光刻胶上制备一有序排列的微纳米球单层膜；步骤4：利用微纳米球的聚光作用，通过光刻机对光刻胶进行曝光；步骤5：去掉微纳米球单层膜，并显影出有序排列的光刻胶微纳米孔阵列；步骤6：通过干法刻蚀将微纳米孔阵列转移到单晶薄膜上，在单晶薄膜上形成单晶薄膜微纳米孔阵列；步骤7：利用单晶薄膜微纳米孔阵列作为掩膜，湿法腐蚀蓝宝石衬底，从而在蓝宝石衬底上获得有序的微纳米图形阵列；步骤8：去除单晶薄膜掩膜后，完成制备。
蓝宝石衬底制备纳米图形方法

[发明专利]非挥发性半导体存储器及其制作方法-CN200610116859.4有效
发明人：肖德元;金钟雨;陈国庆;李若加 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-09-30 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种非挥发性半导体存储器及其制作方法，这种非挥发性半导体存储器采用纳米单晶硅浮栅、实现了单电子存储，而且纳米单晶硅浮栅中的纳米单晶硅离子的密度高，存储能力强。所述非挥发性半导体存储器的制作方法包括：在半导体基体形成隧道氧化层；在隧道氧化层上形成纳米单晶硅层，所述纳米单晶硅层为小丘状的纳米单晶硅颗粒；形成覆盖纳米单晶硅层的层间介电层；在层间介电层上形成多晶硅层；图案化多晶硅层，形成控制栅；图案化层间介电层，形成阻挡氧化层；图案化所述纳米单晶硅层，形成浮栅；掺杂半导体基板形成分离的源极和漏极；图案化隧道氧化层，形成栅氧化层。
挥发性半导体存储器及其制作方法

[发明专利]一种氮化镓单晶材料、其制备方法及应用-CN202110655180.7有效
发明人：陈晨龙;王俪霖;苗雨;李俊谕;孙姝婧 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所;闽都创新实验室
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本申请公开了一种氮化镓单晶材料及其制备方法、应用，所述氮化镓单晶材料为相互交联的氮化镓单晶纳米片，所述交联处为单晶结。本申请通过化学气相沉积方法在覆盖有金属A层的镓酸锂衬底上生长氮化镓纳米片，制备的高质量氮化镓纳米片在镓酸锂衬底上沿两个方向倾斜排列且纳米片之间通过单晶结互相交联，实现了一维纳米片之间的载流子传输。
一种氮化镓单晶材料制备方法应用

[发明专利]纳米结构和纳米线的制造方法及由其制造的器件-CN200710008259.0有效
发明人： A·马亚姆达;A·沙科里;T·D·桑德斯;P·杨;S·S·毛;R·E·拉索;H·费克;H·金德;E·R·韦伯;M·黄;H·严;Y·吴;R·范 -专利权人：加利福尼亚大学董事会
申请日： 2002-03-29 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一纳米结构具有小于约200nm的均匀直径。这些发明的纳米结构，我们称之为“纳米线”，包括至少两种单晶材料的单晶同质结构和异质结构，所述单晶材料具有不同化学成分。由于单晶材料用于形成异质结构，因此得到的异质结构将也是单晶的。该纳米线异质结构一般基于半导电线，其中在纵向或径向、或者在这两个方向控制掺杂剂和成分，以便制造包括不同材料的线。得到的纳米线异质结构的例子包括纵向异质结构纳米线(LOHN)和同轴异质结构纳米线(COHN)。
纳米结构制造方法器件

[发明专利]纳米结构和纳米线的制造方法及由其制造的器件-CN02809601.0有效
发明人： A·马亚姆达;A·沙科里;T·D·桑德斯;P·杨;S·S·毛;R·E·拉索;H·费克;H·金德;E·R·韦伯;M·黄;H·严;Y·吴;R·范 -专利权人：加利福尼亚大学董事会
申请日： 2002-03-29 - 公布日： 2004-06-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一维纳米结构具有小于约200nm的均匀直径。这些发明的纳米结构，我们称之为“纳米线”，包括至少两种单晶材料的单晶同质结构和异质结构，所述单晶材料具有不同化学成分。由于单晶材料用于形成异质结构，因此得到的异质结构将也是单晶的。该纳米线异质结构一般基于半导电线，其中在纵向或径向、或者在这两个方向控制掺杂剂和成分，以便制造包括不同材料的线。得到的纳米线异质结构的例子包括纵向异质结构纳米线(LOHN)和同轴异质结构纳米线(COHN)。
纳米结构制造方法器件

[发明专利]纳米结构和纳米线的制造方法及由其制造的器件-CN200910168694.9有效
发明人： A·马亚姆达;A·沙科里;T·D·桑德斯;P·杨;S·S·毛;R·E·拉索;H·费克;H·金德;E·R·韦伯;M·黄;H·严;Y·吴;R·范 -专利权人：加利福尼亚大学董事会
申请日： 2002-03-29 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： B82B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及纳米结构和纳米线的制造方法及由其制造的器件。一维纳米结构具有小于约200nm的均匀直径。这些发明的纳米结构，我们称之为“纳米线”，包括至少两种单晶材料的单晶同质结构和异质结构，所述单晶材料具有不同化学成分。由于单晶材料用于形成异质结构，因此得到的异质结构将也是单晶的。该纳米线异质结构一般基于半导电线，其中在纵向或径向、或者在这两个方向控制掺杂剂和成分，以便制造包括不同材料的线。得到的纳米线异质结构的例子包括纵向异质结构纳米线(LOHN)和同轴异质结构纳米线(COHN)。
纳米结构制造方法器件

[发明专利]纳米硅/单晶硅异质结径向纳米线太阳电池及制备方法-CN201110032963.6有效
发明人：袁宁一;丁建宁 -专利权人：常州大学
申请日： 2011-01-31 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及太阳电池，特指利用单晶硅、纳米硅和氧化铝形成异质结径向结构纳米线太阳电池，其电池结构是n型单晶硅/p型纳米硅/氧化铝或n型单晶硅/i型纳米硅/p型纳米硅/氧化铝的电池结构。本发明利用湿法腐蚀工艺在n型单晶硅衬底上制备单晶硅（c-Si）纳米线，采用PECVD方法在单晶纳米线上制备氢化的i型和p型纳米硅（nc-Si:H）薄膜，形成由内至外的c-Si（n）/nc-Si:H（p）或c-Si（n）/nc-Si:H（i）/nc-Si:H（p）径向结构，随后利用ALD技术制备Al2O3层，利用ALD技术制备制备掺铝氧化锌层；最后在n型单晶硅背面真空蒸镀铝电极，并进行快速退火；完成硅基纳米线太阳电池的制备本发明可以制备高效硅基纳米线太阳电池，而且可以利用低品质的单晶硅材料，从而可以降低电池成本。
纳米单晶硅异质结径向太阳电池制备方法

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