“单晶晶体”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果212978个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于外延生长大尺寸单晶金刚石的复合衬底的制备方法-CN202111149654.7在审
发明人：周兵;马永;于盛旺;王永胜;郑可;吴艳霞;黑鸿君;高洁 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于外延生长大尺寸单晶金刚石的复合衬底的制备方法，首先将抛光的氧化钇稳定氧化锆（YSZ）单晶晶片表面用金刚石微粉超声预处理，清洗后固定在真空镀膜室的旋转样品台上；将镀膜室抽至本底真空后通入惰性气体或氮气，对YSZ晶片表面进行离子刻蚀清洗；真空加热YSZ单晶晶片，在其表面以不同沉积速率依次外延生长铱单晶薄膜，得到YSZ基铱单晶薄膜复合衬底，为外延生长高质量的大尺寸单晶金刚石提供技术基础。该方法直接利用高质量单晶晶片衬底得到晶体取向一致的铱单晶薄膜，避免了硅基片表面氧化物缓冲层外延生长，降低了铱单晶薄膜衬底的生长缺陷，对于外延生长大尺寸单晶金刚石具有重要意义。
用于外延生长尺寸金刚石复合衬底制备方法

[发明专利]晶体材料及其制备方法-CN202210074769.2在审
发明人：许若愚;李光鑫;夏圣安;雷雨;王博 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01M4/505 文献下载
摘要：本申请实施例提供晶体材料及其制备方法，晶体材料为由多个单晶晶粒团聚成的二次颗粒，晶粒间具有晶界，二次颗粒的截面中，晶粒间缝隙宽度大于或等于2nm的晶界长度L3与晶界总长度L4的比值L3/L4≤0.8；或晶体材料为单晶颗粒，每一单晶颗粒包括一个单晶晶粒，m颗单晶颗粒中包括n颗第一单晶颗粒，n与m的比值n/m≥0.5，m≥10；第一单晶颗粒的截面中，所有宽度大于或等于2nm的缝隙的总长度L1与所述截面的周长L<该晶体材料由晶体材料初产品经修饰获得，单晶颗粒缺陷少，二次颗粒晶界处缝隙小，晶粒间结合强，其为电池电极材料或固态电解质材料时，可提升电池的电化学性能和热稳定性。
晶体材料及其制备方法

[发明专利]一种紫杉醇侧链酸的单晶晶体及其制备方法-CN202110345783.7有效
发明人：黄春;陆叶梦;王旭阳;王莉佳 -专利权人：无锡紫杉药业有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： C07D263/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种紫杉醇侧链酸的单晶晶体及其制备方法，属于紫杉醇侧链酸的技术领域，其技术方案要点是该晶体属正交晶系，P2121以丙酮溶解紫杉醇侧链酸，过滤，封口后扎孔，室温下缓慢挥发，即得单晶晶体本发明操作简单，制备的紫杉醇侧链酸单晶浸提可直接用于X射线单晶衍射分析，准确性高。
一种紫杉醇侧链酸晶体及其制备方法

[发明专利]一种快速制备大尺寸SiC单晶晶棒的方法-CN201610750954.3有效
发明人：郑清超;杨昆;高宇 -专利权人：河北同光晶体有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种快速制备大尺寸SiC单晶晶棒的方法，第一阶段，将小尺寸SiC晶片外形加工为所需外形，将加工后的晶片进行组合拼接排列并固定于石墨籽晶托上；第二阶段，将固定有小晶片组合的籽晶托置于籽晶升华法体系中，选择适宜单晶横向生长的生长条件，使小尺寸晶片间缝隙被横向生长单晶填充，形成完整的大尺寸SiC籽晶；第三阶段，使用第二阶段获取的大尺寸籽晶，进行籽晶升华法生长，最终获取大尺寸碳化硅单晶晶锭，单晶晶锭经外形加工最终获得大尺寸本发明的有益效果是：实现SiC单晶晶棒尺寸的快速增加，节省时间和资源；避免了传统扩径生长方法中径向温度梯度过大导致晶体缺陷增殖和开裂问题。
一种快速制备尺寸 sic 单晶晶棒方法

[发明专利]非粘接籽晶氮化铝晶体生长装置与氮化铝晶体制备方法-CN202010285008.2在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种非粘接籽晶氮化铝晶体生长装置与制备方法，第一半圆环片4和第二半圆环片5两个形状完全相同钽材质半圆环，两个半圆环拼在一起形成一个完整的圆环片，圆环片厚度为0.5mm，本发明还提供了采用钽坩埚整体装置制备氮化铝单晶晶体的方法，包括两个部分：一是钽坩埚整体的碳化，二是氮化铝单晶晶体的生长。本发明节省开销，提升晶体的质量，节省准备工序，节省加工工序，制作简便，简便耐用。
非粘接籽晶氮化晶体生长装置晶体制备方法

[发明专利]一种氮化铝单晶材料在压电材料中的应用-CN202110655187.9在审
发明人：陈晨龙;李俊谕;王俪霖;蔡文汉;孙姝婧 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所;闽都创新实验室
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本申请公开了一种氮化铝单晶材料在压电材料中的应用，所述氮化铝单晶材料为连通纳米孔和纳米壁构成的氮化铝单晶晶体和/或氮化铝单晶薄膜。本申请中的氮化铝单晶材料，兼具了体块晶体无晶界相连与纳米材料无应力特征，其表面只有孔没有位错，具有优良的压电性能，是可用于氮化铝基器件的优质压电材料。
一种氮化铝单晶材料压电中的应用

[发明专利]异质集成GaN薄膜及GaN器件的制备方法-CN202110361588.3在审
发明人：欧欣;石航宁;游天桂 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种异质集成GaN薄膜及GaN器件的制备方法，基于剥离GaN单晶晶片可获得低位错密度、低缺陷密度、高质量的GaN单晶薄膜；GaN单晶薄膜先经离子束剥离转移到热失配较小的蓝宝石单晶晶片上，而后经激光剥离转移到支撑衬底上，制备过程中无需担心解键合的问题，可降低异质集成热失配较大或表面粗糙度较大的材质时的工艺难度；最终获得的GaN单晶薄膜的Ga极性面向上，可兼容目前主流的GaN器件，且GaN单晶薄膜表层区域的离子注入缺陷少、晶体质量好；可灵活选择支撑衬底，发挥支撑衬底优势，扩大应用；剥离后的GaN单晶晶片可回收利用，降低成本。
集成 gan 薄膜器件制备方法

[发明专利]一种单晶晶体双重防护重锤装置-CN201310419270.1有效
发明人：高彬彬;王思锋 -专利权人：江苏聚能硅业有限公司
申请日： 2013-09-13 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及单晶晶体技术领域，特别涉及一种单晶晶体双重防护重锤装置，包括重锤和籽晶绳，所述重锤底端固定连接有籽晶晶种，所述重锤顶端固定连接有连接杆，籽晶绳一端与连接杆相连接，所述籽晶绳上设置有固定节点B1在使用本发明时，避免了因籽晶绳的一个节点断裂而导致籽晶晶种坠落炉内的现象，进而保证晶体生长。本发明具有结构简单，设置合理，制作成本低等优点。
一种晶体双重防护重锤装置

[发明专利]一种太阳能级单晶晶砖表面处理方法-CN201110121538.4无效
发明人：唐威;包剑;赵学军 -专利权人：镇江荣德新能源科技有限公司
申请日： 2011-05-11 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能级单晶晶砖表面处理方法，依次进行如下步骤：步骤A：对单晶晶砖表面进行机械研磨处理；步骤B：将研磨后的所述单晶晶砖放入碱性腐蚀剂中进行腐蚀，去除所述单晶晶砖表面的损伤层；步骤C：用酸与所述单晶晶砖表面残留的碱以及生成的硅酸盐进行反应；步骤D：对所述单晶晶砖进行清洗和烘干。采用本发明提供的单晶晶砖表面处理方法对经线锯切割生成的单晶晶砖表面进行处理，不仅通过机械研磨消除了切割留下的线痕，而且通过碱腐蚀除去了单晶晶砖表面的损伤层，减少了单晶晶砖切片后生成的硅片边缘产生蹦边等缺陷和不良
一种太阳能级单晶晶砖表面处理方法

[实用新型]蓝宝石单晶晶棒生长炉的籽晶杆-CN201220180068.9有效
发明人：徐雳;石连升;肖飞 -专利权人：哈尔滨晶石光电技术有限公司
申请日： 2012-04-26 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： C30B29/20 文献下载
摘要：蓝宝石单晶晶棒生长炉的籽晶杆。在Al2O3单晶晶棒(蓝宝石)用生长炉中籽晶杆用来夹持籽晶，但是现有籽晶杆装置具有结构复杂，不易于安装的问题。一种蓝宝石单晶晶棒生长炉的籽晶杆，其组成包括:实心上籽晶杆（7），所述的实心上籽晶杆连接联接杆(5),所述的联接杆插入空心下籽晶杆（1）内,所述的联接杆前端部与所述的空心下籽晶杆前端部之间装有弹簧(6)本实用新型用于拉制蓝宝石晶体时夹持籽晶。
蓝宝石单晶晶棒生长籽晶

[发明专利]一种去除大直径碳化硅单晶应力的方法-CN201310004308.9无效
发明人：邓树军;陶莹;高宇;赵梅玉;段聪 -专利权人：河北同光晶体有限公司
申请日： 2013-01-06 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： C30B33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种去除大直径碳化硅单晶应力的方法，包括：使用频率大于20KHz的超声波超声处理碳化硅单晶晶体，消除晶体内部应力，本发明消除应力的时间短，提高了碳化硅片产品的良率，方便工业化生产。
一种去除直径碳化硅应力方法

[发明专利]高晶体质量的SiC单晶晶锭及其形成方法-CN201410314769.0有效
发明人：瓦拉塔拉詹·伦加拉詹;伊利娅·茨维巴克;迈克尔·C·诺兰;布赖恩·K·布鲁哈德 -专利权人： II-VI有限公司
申请日： 2009-12-08 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明提供一种高晶体质量的SiC单晶晶锭及其形成方法。底部和侧部呈间隔关系并关于所述坩埚轴对称地设置在所述坩埚外侧；(d)在所述电阻加热器上施加电功率，以使所述源材料升华并且将升华的所述源材料传输到所述SiC籽晶，在所述SiC籽晶处，传输的升华的所述源材料凝结并形成具有凸形生长界面的SiC单晶晶锭；以及(e)生长具有如下特性的晶体质量的所述SiC单晶晶锭：X射线反射的半高宽小于40弧秒，晶片平均微管密度小于0.5微管/cm²。
晶体质量 sic 单晶晶锭及其形成方法

[发明专利]盐酸度洛西汀单晶及其制备方法-CN201610009478.X有效
发明人：段衬;郝超;司崇静;周先强;陈亮;王国海;张桂森 -专利权人：江苏恩华药业股份有限公司
申请日： 2016-03-18 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： C07D333/20 文献下载
摘要：本发明涉及盐酸度洛西汀单晶A的制备方法，包括液‑液界面扩散法或汽‑液界面扩散法。本发明的制备方法制备快速，得到的单晶晶体缺陷少，操作简单、成本低廉、安全可靠。
盐酸度洛西汀单晶及其制备方法

[发明专利]一种CZ法制备硅晶体的方法-CN202111446127.2在审
发明人：侯明超;周宏邦;贾海洋;王淼;张强;孔凯斌;刘伟;娄中士;王立刚 -专利权人：内蒙古中环领先半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种CZ法制备硅晶体的方法，在单晶拉制过程中，控制勾形磁场的零磁面与石英坩埚内硅溶液的自由液面之间的距离、勾形磁场的强度和石英坩埚的转速，以控制单晶晶体中的氧含量；其中，勾形磁场的零磁面设于自由液面以下本发明的有益效果是抑制石英坩埚内壁附近的硅溶液的对流，减少石英坩埚内壁附近硅溶液与单晶硅棒下方的硅溶液的对流，将石英坩埚内壁产生的氧含量控制在石英坩埚内壁附近，降低氧含量的释放，控制单晶晶体中的氧含量。
一种 cz 法制晶体方法

[发明专利]一种金刚石基异质集成氮化镓薄膜与晶体管的微电子器件及其制备方法-CN202010393966.1在审
发明人：欧欣;石航宁;伊艾伦;游天桂;张加祥;黄凯;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-05-11 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种金刚石基异质集成氮化镓薄膜与晶体管的微电子器件及其制备方法，包括以下步骤：S1，提供具有注入面的氮化镓单晶晶片；S2，从注入面向氮化镓单晶晶片进行氢离子注入，使得注入离子到达预设深度并形成注入缺陷层，上方形成氮化镓单晶薄膜；S3，将氮化镓单晶薄膜与金刚石支撑衬底键合；S4，退火处理使沿着所述注入缺陷层剥离，注入缺陷层形成损伤层；S5，表面处理以除去损伤层；以及S6，在氮化镓单晶薄膜表面进行同质外延生长制备晶体管根据本发明制备的金刚石基氮化镓晶体管在性能上大大提升，具有高电子迁移率、散热能力强的特性，可在高频率、高功率状态下长时间稳定工作，相对现有技术具有非常显著的优越性。
一种金刚石基异质集成氮化薄膜晶体管微电子器件及其制备方法