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[发明专利]低微管100mm碳化硅晶片-CN200580033839.4无效
发明人：阿德里安·波维尔马克·布莱德;罗伯特·泰勒·莱昂纳德 -专利权人：格里公司
申请日： 2005-09-27 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：公开了一种直径至少约100mm并且微管密度小于约25cm^－2的高质量SiC单晶晶片。
微管 100 mm 碳化硅晶片

[发明专利]GaAs单晶的制造方法和GaAs单晶晶片-CN201280036835.1有效
发明人：中村良一;村上元一;宫地岳广 -专利权人：同和电子科技有限公司
申请日： 2012-05-16 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有高载体浓度和结晶度的GaAs单晶的制造方法和一种GaAs单晶晶片。本发明为GaAs单晶的制造方法，其特征在于，在在坩埚(4)中容纳晶种(10)、Si材料(12)、作为杂质的GaAs材料(14)、固体二氧化硅(16)和氧化硼材料(18)的状态下进行立式舟法，并生长GaAs单晶(20)。
gaas 制造方法晶片

[发明专利]一种直拉单晶多次复投工艺-CN201910833140.X在审
发明人：刘有益;王建平;杨志;刘学;杨瑞峰;王建宇;高利强;王林;高润飞;郭志荣 -专利权人：内蒙古中环光伏材料有限公司
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本发明提供一种直拉单晶多次复投工艺，至少包括初次投料并拉制一段单晶，拉制所述一段单晶后石英坩埚内有剩料；二次投料并拉制二段单晶，拉制所述二段单晶后石英坩埚内无剩料。采用本发明设计的一种直拉单晶多次复投工艺，不仅可去提高硅原料的利用率，而且还可去除拉晶过程总金属杂质的浓度，保证单晶晶棒尾部质量，提升单晶品质，降低生产成本。
单晶拉制直拉单晶石英坩埚金属杂质次投料硅原料可去除拉晶投料保证

[发明专利]一种高质量晶圆级硒氧化铋半导体单晶薄膜的批量化制备方法-CN201711315655.8有效
发明人：彭海琳;谭聪伟;吴金雄 -专利权人：北京大学
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L35/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种高质量晶圆级硒氧化铋半导体单晶薄膜的批量化制备方法。该方法包括：以含有Bi元素和Se元素的化合物为原料，以单晶晶圆为生长基底，进行化学气相沉积，得到所述Bi2O2Se薄膜本发明利用外延面对称性一致的共格外延方式生长取向一致的单晶Bi2O2Se，通过延长生长时间，制备得到了由取向一致的单晶Bi2O2Se晶粒拼接而成的连续单晶薄膜。:Sub>2O2Se半导体薄膜在光电探测器或场效应晶体管等领域的应用奠定了基础。
一种质量晶圆级硒氧化半导体薄膜批量制备方法

[发明专利]半导体激光用单晶晶片-CN200510137806.6无效
发明人：井谷贤哉 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2005-12-31 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：提供通过光学式的定位方式提高以劈开面作为基准的调合掩模图形时的精度及可以实现提高工序合格率的半导体激光单晶晶片。提供一种半导体激光用单晶晶片，将由劈开形成取向平面的晶片的表面用高硬度的研磨布且在适当地按压晶片压力及研磨速率下，使晶片表面的中心部与外周部的研磨速率相同地研磨，从而使其成为具有劈开面上的棱线部的弧度变小的
半导体激光用单晶晶片

[实用新型]单晶晶棒垂直度测试仪-CN201220152682.4有效
发明人：侯前伟;周俊;陈金林 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2012-04-11 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： G01B11/26 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种单晶晶棒垂直度测试仪，具有支架、透明平面板、平面镜和激光笔，透明平面板水平固定在支架上，透明平面板上标示出标示点，激光笔固定于支架上，激光笔的光束垂直于透明平面板并且穿过标示点，平面镜活动连接在支架上本实用新型的有益效果是：单晶晶棒垂直度测试仪结构简单紧凑，测试操作简单，使用方便。
单晶晶棒垂直测试仪

[实用新型]一种精确控制轴向温梯的碳化硅单晶生长装置-CN201721445729.5有效
发明人：廖弘基 -专利权人：福建北电新材料科技有限公司
申请日： 2017-11-02 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种精确控制轴向温梯的碳化硅单晶生长装置，包括石墨坩埚、石墨盖、石墨软毡保温层和感应加热装置，所述石墨盖位于石墨坩埚顶部封闭所述石墨坩埚，所述石墨盖内侧中心突出区域粘合有籽晶片，所述石墨软毡保温层包覆所述石墨坩埚的周围本实用新型感应加热装置采用上、下两组可独立控制的感应线圈装置和红外线测温器，可分别测量坩埚上下的温度，从而精确控制轴向温度梯度，获得理想的晶体生长界面，以得到高质量的碳化硅单晶晶体。
一种精确控制轴向碳化硅生长装置

[发明专利]外延碳化硅单晶晶片的制造方法以及外延碳化硅单晶晶片-CN201680003678.2在审
发明人：蓝乡崇;伊藤涉;藤本辰雄 -专利权人：新日铁住金株式会社
申请日： 2016-02-16 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供浅坑的深度小并且具有高品质碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅单晶晶片及其制造方法。本发明的外延碳化硅单晶晶片通过下述步骤来制造使上述硅系以及碳系的材料气体中的碳与硅的原子数比(C/Si比)为0.5以上且1.0以下，形成由厚度为1μm以上且10μm以下的碳化硅外延膜制成的缓冲层，然后，
外延碳化硅晶片制造方法以及

[发明专利]一种从工业甜菊糖苷母液糖中结晶回收甜菊糖苷的方法-CN202111000278.5在审
发明人：华霄;王子杰;陈宇杰;刘雅娴;张梦蕾 -专利权人：江南大学;江苏施宇甜生物科技有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C07H1/06 文献下载
摘要：所述方法包括以下步骤：(1)一级结晶：将甜菊糖苷母液糖溶解在甲醇溶液中进行第一次结晶回收，过滤回收得到一级结晶晶体，并获得母液糖一级回收母液；(2)二级结晶：在步骤(1)获得的母液糖一级回收母液中加入新的甜菊糖苷母液糖配制成母液糖溶液，进行第二次结晶，过滤回收得到二级结晶晶体；合并一级结晶晶体和二级结晶晶体得到甜菊糖苷。
一种工业甜菊糖母液结晶回收方法

[发明专利]一种在SiC衬底上制备的发光二极管-CN200710014444.0无效
发明人：徐现刚;宁丽娜;李树强;胡小波;蒋民华 -专利权人：山东大学
申请日： 2007-05-15 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种在SiC衬底上制备的发光二极管，其结构自上而下依次包括p型AlInGaN层、发光层、n型AlInGaN层和衬底，在p型AlInGaN层设有正极，在n型AlInGaN层设有负极，衬底为透明的SiC单晶晶片，该衬底在可见光范围内是无色透明的，SiC单晶晶片的背景载流子浓度小于1×10¹⁶个/cm³，电阻率大于10³Ω.cm。本发明利用透明SiC单晶晶片作为衬底，避免了利用n型SiC做衬底时的光吸收和利用Al₂O₃做衬底时导热性差的弊端，能够制作大功率LED器件。
一种 sic 衬底制备发光二极管

[发明专利]一种碲锌镉单晶圆片制备工艺-CN202210310441.6在审
发明人：邓波浪;刘士军;李玉萍 -专利权人：安徽承禹半导体材料科技有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种碲锌镉单晶圆片制备工艺，包括如下步骤：制备多晶棒、富碲合金；取一个石英管，在其内部放入籽晶，再依次放入上述得到的多晶棒、富碲合金；对石英管中放置富碲合金的区域施加不超过1000℃的高温；继续保温0.02‑2mm/h的速度朝向籽晶一侧移动热源，直至热源高度低于步骤三的步骤三的最低端为止，同时待多晶棒与熔融的富碲合金熔体脱离后，以0.001‑1mm/min的速度向上提拉多晶棒；步骤五：降温，得到碲锌镉单晶晶棒；步骤六：对得到的碲锌镉单晶晶棒经切片、腐蚀、抛光和清洗处理，即得到所述碲锌镉单晶圆片。本发明实施例制备工艺过程简单，所需温度低，便于实施，得到的碲锌镉单晶圆片纯度高，因此应用价值高。
一种碲锌镉单晶圆片制备工艺

[发明专利]一种用于制备三晶的模具以及三晶的制备方法-CN202010842373.9在审
发明人：赵冰冰 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于制备三晶的模具以及三晶的制备方法，涉及金属材料领域，具体为：将梯形柱状体籽晶经过硝酸清洗后放置于Bridgman晶体生长炉中特殊设计的模具内，再将多晶原料放入原料桶，利用温度控制系统控制三晶的生长温度和保温时间，使得熔化的多晶原料流入模具中，通过移动可移动支架来控制三晶的生长速度，利用X射线劳厄法检测三晶晶体的取向，结果表明熔化的多晶原料沿着籽晶方向定向结晶，而且按照籽晶之间的相对取向关系形成三晶晶体，本发明所用模具简单，可重复利用，而且可以很容易的得到预先设定晶界结构的三晶晶体。
一种用于制备模具以及方法

[发明专利]一种单晶生长系统及单晶生长方法-CN202010253350.4有效
发明人：庞昊;谢雨凌 -专利权人：庞昊
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶生长炉，在炉壁上设置有：一组观察装置介入孔，用于接纳观察晶体生长情况的观察装置；一组激光加热装置介入孔，用于接纳加热消除多晶晶界的激光加热装置；以及一组保护件，所述保护件设置在所述激光加热装置介入孔位于炉壁内侧的一端还公开了一种单晶生长方法包括：当观察装置发现晶界时，使用激光加热装置对晶界进行加热熔化。
一种生长系统方法

[发明专利]一种降低砷化铟表面点子数的退火方法-CN202111585835.4有效
发明人：唐林锋;宋向荣;马金峰;周铁军;刘火阳;廖和杰 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：将砷化铟晶体采用多线切割获得单晶片，磨边、清洗、干燥后获得干净的砷化铟单晶晶片，然后将其有序、间隔地竖直放置在清洗干燥后的石英样品架上，再将石英样品架水平放置在石英管内；将石英管抽真空后烧结封口，然后放入水平退火炉中退火
一种降低砷化铟表面点子退火方法

[发明专利]一种快速准确测定氧化镓单晶晶轴取向的方法-CN202010997737.0有效
发明人：陈政委;吴忠亮;范钦明 -专利权人：北京铭镓半导体有限公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G01N23/20008 文献下载
摘要：本申请涉及氧化镓单晶加工的技术领域，具体公开了一种快速准确测定氧化镓单晶晶轴取向的方法，方法包括以下步骤：S1、初步判断(010)晶面方向；S2、切割初始(010)晶面得S2.1氧化镓晶片；S3、X射线衍射仪测定初始本申请的方法具有快速准确地测定未知任何晶体方向的氧化镓晶轴取向的优点。
一种快速准确测定氧化镓单晶晶轴取向方法