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[发明专利]一种砷化镓单晶晶体及其制备方法-CN202210403538.1在审
发明人：高佑君 -专利权人：山西中科晶电信息材料有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓单晶晶体及其制备方法。一种砷化镓单晶晶体，载流子浓度为1×1018～4×1018/cm3，迁移率为1700～2600cm2/v•s；在同等Si载流子浓度下，所述以SixAsy化合物为掺杂剂制得的砷化镓单晶晶体的B原子密度比以单质Si为掺杂剂制得的砷化镓单晶晶体的B原子密度至少低20%；所述砷化镓单晶晶体的B含量≤5×1018/cm3。本申请的砷化镓单晶晶体的制备方法是在砷化镓单晶生长前，使SixAsy化合物分布于砷化镓多晶中。此制备方法能够减轻砷化镓单晶的“B污染”，从而提高砷化镓单晶晶体的性能。
一种砷化镓单晶晶体及其制备方法

[发明专利]一种制备厚碳化硅单晶晶锭的方法-CN201510355963.8在审
发明人：董明东;刘欣宇;林琳 -专利权人：江苏艾科勒科技有限公司
申请日： 2015-06-25 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：一种制备厚碳化硅单晶晶锭的方法，其制备方法如下：（1）籽晶生长得碳化硅单晶晶锭；（2）以碳化硅单晶晶锭作为籽晶，通过增大坩埚体的高度和温场计算，实现碳化硅晶体再生长得厚碳化硅单晶晶锭；（3）在晶体生长的坩埚尺寸允许范围内重复步骤（2），可进行反复多次的晶体再生长；本发明通过晶体的再生长，突破了常规物理气相传输法的结构限制，实现了超厚单晶晶锭的生长，使单晶晶锭的厚度大于常规极限40毫米。
一种制备碳化硅单晶晶锭方法

[实用新型]一种单晶晶体搬运运输装置-CN201320570819.2有效
发明人：高彬彬;王思锋 -专利权人：江苏聚能硅业有限公司
申请日： 2013-09-13 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： B62B3/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶晶体运输技术领域，特别涉及一种单晶晶体搬运运输装置，包括固定式起重机和运输车，所述固定式起重机由动力驱动装置、钢丝绳和用于吊挂单晶晶体的吊具组成，所述运输车由车体、用于固定单晶晶体的固定架在使用本实用新型时，通过固定式起重机吊取单晶晶体，通过运输车运输、移动单晶晶体，极大地提高了工作效率，降低了劳动强度；同时也确保了搬运、运输的安全性。
一种晶体搬运运输装置

[发明专利]类单晶晶体品质评估方法及系统-CN202011292055.6在审
发明人：王全志;陈伟;李林东;唐珊珊;张光春 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： G01N21/63 文献下载
摘要：本发明公开了一种类单晶晶体品质评估方法及系统，该方法包括：获取类单晶晶体开方后得到的多个晶体块的头料和尾料；对获取到的多个头料和多个尾料的横截面分别进行PL检测；将多个头料和多个尾料对应的PL检测结果按照预设方向进行原位置拼接，对应得到晶体块的头部检测结果和尾部检测结果；根据头部检测结果和尾部检测结果对类单晶晶体品质进行评估。本发明采用晶体块头部位置和尾部位置的横截面的检测结果来评估类单晶晶体的品质，从而能够准确、高效地表征表征类单晶晶体的品质，并有效规避掉对籽晶尺寸的依赖。
类单晶晶体品质评估方法系统

[发明专利]一种类单晶晶体生长方法、类单晶硅锭以及类单晶电池-CN201510431714.2在审
发明人：李剑 -专利权人：李剑
申请日： 2015-07-21 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种类单晶晶体生长方法，其特征在于，包括：将预先获取的单晶晶粒组合成的类单晶作为籽晶，其中，所述单晶晶粒具有特定的晶体生长面，并且所述晶体生长面的边长、对角线或直径尺寸均在50um到3cm之间;在所述籽晶基础上，通过定向凝固技术进行晶体生长，生长成类单晶。本发明的有益效果：通过本发明的方法能够有效降低铸锭类单晶的位错的产生以及扩散增殖，进而提高了晶体质量以及电池效率，具有良好的发展前景。
种类晶体生长方法单晶硅以及类单晶电池

[发明专利]一种氧化镓晶体及其制备方法和应用-CN202210421506.4在审
发明人：谢奎;李佳明;叶灵婷 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本申请公开了一种氧化镓晶体及其制备方法和应用。所述氧化镓晶体是多孔的；孔径尺寸为100nm～1000nm。利用磷酸镓晶体与氧化镓晶体晶格匹配相似但镓含量高的特点，使磷酸镓单晶衬底与氩气在高温下由外及里氧化转化逆向外延生长氧化镓晶体，其余产物完全挥发。衬底与氩气在高温下，是磷元素挥发，外延生成多孔氧化镓单晶晶体。操作简单、重复性好、适合大规模化生产。得到的多孔氧化镓单晶晶体的晶体尺寸与所采用的磷酸镓单晶材料的尺寸相同。本领域技术人员可以根据实际需要，通过选择合适尺寸的磷酸镓单晶材料，从而得到所需要的多孔氧化镓单晶晶体。
一种氧化晶体及其制备方法应用

[实用新型]晶片检测旋转样品台-CN201820798669.3有效
发明人：甄伟;赵松彬 -专利权人：丹东新东方晶体仪器有限公司
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： G01N23/20025 文献下载
摘要：本检测旋转样品台就是利用晶体晶向的X射线衍射技术，进行单晶晶片的晶向定向复检及晶体缺陷复检测试，填补了单晶晶体晶片的高精度晶向定向复检及晶体缺陷精确复检的技术空白。可以开发不同单晶晶体晶片的晶向定向复检及晶体缺陷复检使用功能，提高单晶晶体晶片的晶向定向复检检测精度、晶体缺陷复检精度及复检范围。
中轴复检晶向晶体缺陷旋转样品台单晶晶体晶片晶片检测中轴气孔转动机构贴片板轴承座检测编码器输入轴轴转动机构步进电机单晶晶片技术空白使用功能中轴轴承右端头左端头内孔蜗杆蜗轮连通填补支撑开发

[发明专利]一种直拉单晶引晶工艺及用于该引晶工艺的单晶炉-CN202010150443.4在审
发明人：郭谦;张文霞;高润飞;武志军;郭志荣;霍志强;张石晶;赵志远;田鑫阳 -专利权人：内蒙古中环光伏材料有限公司
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： C30B15/26 文献下载
摘要：本发明提供一种直拉单晶引晶工艺，包括：采用若干CCD同步对引晶晶体直径进行监控，获得若干组所述引晶晶体直径的测试值；取所述测试值中的较大值与所述引晶晶体直径的标准值相比较；再调整所述引晶晶体拉晶速度使所述测试值在所述标准值范围内本发明还提出用以该引晶工艺的单晶炉。本发明提出的引晶工艺，通过两组CCD测得的引晶直径作对比，选择CCD中显示的最小直径为引晶直径，并通过该直径进行引晶调节，获得合格的引晶晶体，且引晶晶体不发生引断，引晶成晶率高。
一种直拉单晶引晶工艺用于单晶炉

[发明专利]一种大尺寸CVD金刚石晶体的制备方法-CN201811156622.8在审
发明人：刘长江;王笃福;王希玮;王盛林 -专利权人：济南中乌新材料有限公司
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：一种大尺寸CVD金刚石晶体的制备方法，包括以下步骤：（1）将HPHT法生长的金刚石单晶切割，形成HPHT金刚石单晶晶片；（2）进行表面清洗；（3）在HPHT金刚石单晶晶片上甩光刻胶并进行坚膜；形成设计图形；（4）利用CVD法沉积介质膜；（5）去除设计图形以外的光刻胶和介质膜，形成设计介质膜图形；（6）HPHT金刚石单晶晶片放入CVD设备中拼接，并进行等离子体刻蚀，形成新的表面；（7）利用微波等离子体化学气象沉积方法在形成的新表面上生长厚层CVD金刚石单晶；（8）切割去除拼接的HPHT金刚石单晶晶片，形成自支撑大尺寸CVD金刚石晶体。本发明抑制了利用CVD法生长的拼接金刚石单晶的晶界及附近生长缺陷，保证了晶体质量，得到了自支撑大尺寸CVD金刚石晶体。
金刚石单晶晶片拼接金刚石单晶设计图形光刻胶介质膜晶体的自支撑去除制备生长切割等离子体刻蚀化学气象沉积微波等离子体介质膜图形表面清洗生长缺陷新表面沉积单晶放入厚层坚膜晶界保证

[实用新型]带有阻尼套的单晶晶体生长炉-CN201120086500.3有效
发明人：吴学军 -专利权人：宁夏日晶新能源装备股份有限公司
申请日： 2011-03-29 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶硅领域，尤其涉及一种单晶晶体生长炉。一种带有阻尼套的单晶晶体生长炉，包括安装在籽晶腔体内的绳轮，绳轮表面开有绳槽，籽晶绳绕在绳轮上卡在绳槽内，籽晶腔体底部开有绳孔，该单晶晶体生长炉还包括阻尼套，所述的阻尼套安装在绳孔内，阻尼套由聚四氟乙烯制成本实用新型带有阻尼套的单晶晶体生长炉中的阻尼套由聚四氟乙烯制成，不会磨坏价格昂贵的籽晶绳，提高了籽晶绳的使用寿命；另外，在硅单晶生长作业过程中，阻尼套可降低籽晶对中难度，减少籽晶绳的摆动，提高晶棒的精度
带有阻尼晶体生长

[发明专利]支承基板、贴合基板、支承基板的制造方法及贴合基板的制造方法-CN201080014976.4无效
发明人：牛田和宏 -专利权人：株式会社普利司通
申请日： 2010-03-19 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供支承基板、贴合基板、支承基板的制造方法及贴合基板的制造方法，作为贴合到由单晶体构成的单晶晶圆上的支承基板(30)包括由碳化硅的多晶体构成的碳化硅多晶基板(10)和蒸镀在碳化硅多晶基板(10)上的覆层(20)，覆层(20)由碳化硅或者硅构成且与单晶晶圆相接触，与单晶晶圆相接触的覆层(20)的接触面(22)的算术平均粗糙度为1nm以下。
支承贴合制造方法

[发明专利]一种减少大尺寸蓝宝石晶体气泡的泡生法-CN201210434857.5有效
发明人：范世炜;曾锡强 -专利权人：浙江东海蓝玉光电科技有限公司
申请日： 2012-11-05 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： C30B17/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种减少大尺寸蓝宝石晶体气泡的泡生法，包括准备原料、炉体抽真空、炉体加热、熔接晶种、晶颈生长、晶体生长、分离与退火、取晶步骤。晶体生长时，固液界面处于熔体包围之中，这样熔体表面的温度扰动和机械扰动在到达固液界面以前可被熔体减小以致消除；将单晶晶种与晶种杆之间的捆绑成漏斗状，使得单晶晶种下端部晶体生长的界面为微凸，避免了蓝宝石晶体在生长过程中产生气泡；通过两次引晶，避免了将单晶晶种内部缺陷引入蓝宝石单晶，同时也可以避免在一次引晶过程中产生的双晶、层错、气泡等缺陷引入蓝宝石单晶，提高了蓝宝石单晶的质量。
一种减少尺寸蓝宝石晶体气泡泡生法

[发明专利]直接用于X射线单晶衍射分析的二甲氧基紫杉烷类化合物单晶晶体的制备方法-CN201110321866.9有效
发明人：陈磊;郑伟;李隆;王琼;徐信保 -专利权人：江苏红豆杉生物科技有限公司
申请日： 2011-10-20 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： C07D305/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种直接用于X射线单晶衍射分析的二甲氧基紫杉烷类化合物单晶晶体的制备方法，属于化合物结构表征样品制备技术领域。取二甲氧基紫杉烷类化合物加入到良性溶剂中，加入量为每500mg二甲氧基紫杉烷类化合物加入0.5-500mL，随后边搅拌边加入不良溶剂，直至其有浑浊生成，加热使浑浊消失，室温下静置结晶，即得单晶晶体。本发明制备的二甲氧基紫杉烷类化合物单晶晶体可直接用于X射线单晶衍射分析，简单明了，准确性高。
直接用于射线衍射分析二甲紫杉化合物晶体制备方法

[发明专利]一种氮化镓单晶材料及其制备方法-CN201810717305.2有效
发明人：谢奎;席少波;胡秀丽 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本申请公开了一种高质量氮化镓极性(0001)C面、非极性(10‑10)M面和(11‑20)A面单晶材料，以解决现有技术中氮化镓单晶材料异质生长和提高氮化镓器件性能的问题，大幅提高了氮化镓单晶材料的品质。所述氮化镓单晶材料包括A多孔氮化镓单晶晶体或多孔氮化镓单晶薄膜；和B氮化镓单晶薄膜；其中，所述B氮化镓单晶薄膜生长于所述A多孔氮化镓单晶晶体或多孔氮化镓单晶薄膜上。
一种氮化镓单晶材料及其制备方法

[发明专利]分析晶体及其制作方法及应用-CN202211104466.7在审
发明人：郭志英;贾全杰;陈栋梁;张玉骏;徐伟 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G01N23/20008 文献下载
摘要：本发明公开一种分析晶体、其制备方法和应用。所述分析晶体包括衬底和贴附于所述衬底表面的多个单晶晶片。本发明通过将单晶材料在切割多个单晶片材，更易于压弯成大曲率半径，同时材料压弯引入的应力也被消除，可以实现1eV的能量分辨。并且，单晶晶圆价格便宜，制作简易，可以取代昂贵的热解石墨，具有实用性。
分析晶体及其制作方法应用

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