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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种用于制备氮化物电子器件的复合衬底及其制备方法-CN201710137611.4在审
发明人：罗睿宏;梁智文;张国义 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2017-03-09 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种用于制备氮化物电子器件的复合衬底及其制备方法，所述复合衬底包括硅衬底、氮化铝层和图形化介质膜，氮化铝层制备在硅衬底上，图形化介质膜制备在氮化铝层上，该图形化介质膜具有若干个，并且相邻的图形化介质膜之间具有间隔间隙，图形化介质膜的图形化为圆形、三角形、多边形或者条纹状，图形化介质膜由二氧化硅、氮化硅、氮化钛、金属介质层或多晶氧化铝制成。
一种用于制备氮化物电子器件复合衬底及其方法

[发明专利]一种图形化的蓝宝石衬底的制造方法-CN201410774549.6在审
发明人：夏鼎智 -专利权人：深圳市德上光电有限公司
申请日： 2014-12-16 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种图形化的蓝宝石衬底的制造方法，提供一平坦衬底，在其表面形成掩模层；利用光刻技术在其表面制作图形化的掩模层；利用图形化的掩模层，采用湿法腐蚀或干法刻蚀工艺在衬底表面形成图形化并去掉掩模层；在图形化的衬底表面形成绝缘介质膜；利用光刻技术保护图形化衬底间隙之间的绝缘介质膜；采用湿法腐蚀或干法刻蚀工艺去掉光刻保护以外的绝缘介质膜。本衬底制造方法采用绝缘介质膜表面不能够生长外延，避免了垂直方向的外延生长，增加了侧向外延生长，降低了发光区位错密度。采用一定膜厚的绝缘介质膜填充了图形化衬底间隙，使间隙深度变浅，减少了外延生长周期。
一种图形蓝宝石衬底制造方法

[发明专利]一种Mini LED芯片及其制造方法-CN202111048112.0在审
发明人：郑高林;吴永胜;张帆 -专利权人：福建兆元光电有限公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种Mini LED芯片及其制造方法，在衬底上制备锥状图形化介质膜，在图形化介质膜远离所述衬底的一端生长外延层；对外延层进行切割道刻蚀后，蚀刻所述切割道侧壁和底部露出的所述图形化介质膜，由于图形化介质膜为锥状的，因此在图形化介质膜位置能够形成正梯形的切割道下侧壁；对切割道侧壁进行腐蚀，能够形成比较粗糙的侧壁表面，从而采用侧面粗化的方式增加光从芯片侧面提取的效率，提高了芯片整体亮度，增加了侧面出射光的占比，使得芯片发光角增大
一种 mini led 芯片及其制造方法

[发明专利]硅外延膜厚测试标准片的制作方法-CN201010265314.6无效
发明人：刘继全 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-08-26 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅外延膜厚标准片的制作方法，包括如下步骤：步骤一、在硅基底上淀积一层介质膜；步骤二、对所述介质膜进行图形化并且刻蚀，在硅基底上形成由所述介质膜构成的图形；步骤三、在所述硅基底上选择性生长硅外延层；步骤四、去除所述介质膜；步骤五、测定去除介质膜后由所述硅外延层形成的沟槽的深度，将该深度作为相邻硅外延层的标准厚度。
外延测试标准制作方法

[发明专利]具有经由电介质膜连接的导电图形的射频谐振的标签-CN03802138.2无效
发明人：斯蒂恩·伊德－安德森;贾恩·杜德克;约根·施杰宁·隆施戈德 -专利权人： SCA封装销售有限公司
申请日： 2003-01-13 - 公布日： 2005-05-11 - 主分类号： G08B13/24 文献下载
摘要：在这些标签中，无需直接连接导电图形，而是经由电介质膜，射频被发射经由谐振电路，该电介质膜接近该导电图形或者隔离该导电图形。
具有经由电介质连接导电图形射频谐振标签

[发明专利]一种适用于发光二极管的剥离方法-CN201310023478.1无效
发明人：王立彬;郭德博 -专利权人：同方光电科技有限公司;同方股份有限公司
申请日： 2013-01-23 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明的剥离方法步骤为：在基底材料上覆盖一层介质膜一形成图案一；在器件上表面覆盖一层介质膜二；用化学液腐蚀掉介质膜一，介质膜一上方的介质膜二被剥离，基底材料上由保留的介质膜二形成图案二，图案二与图案一的图形相反。同现有技术相比，本发明使用非光刻胶材质实现图形化工艺，适用范围更加广泛。
一种适用于发光二极管剥离方法

[发明专利]3DAMR传感器Z方向磁电阻感应薄膜图形定义方法-CN201410842342.8有效
发明人：程晋广 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-12-29 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明公开了两种3DAMR传感器Z方向磁电阻感应薄膜图形定义方法，一种是在硅衬底上成长第一介质膜和第二介质膜，然后光刻刻蚀形成第二介质膜的沟槽，再用湿法或各向同性气体刻蚀方法刻蚀第一介质膜，在沟槽下方形成横向凹槽，最后成长第三介质膜和溅射磁电阻感应薄膜。第二种是在硅衬底上成长第一介质膜作为刻蚀阻挡层后，再成长一层第四介质膜，横向凹槽开在第四介质膜上。本发明利用不同膜质或不同掺杂浓度膜质之间对各向同性刻蚀具有选择比的特点，形成横向凹槽，再利用金属溅射成膜原理，形成Z方向磁电阻薄膜，不仅改善了图形定义好，而且简化了工艺，降低了成本。
damr 传感器方向磁电感应薄膜图形定义方法

[发明专利]利用介质膜掩膜板实现具有斜坡状边缘金属薄膜图形方法-CN201410085670.8有效
发明人：黄旼;朱健;郁元卫;吴璟;禹淼 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2014-03-11 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及的是一种基于介质膜掩膜板沉积工艺的斜坡边缘金属薄膜图形的制备方法，使用具有图形化通孔结构的薄层作为介质膜掩膜板进行金属薄膜的沉积，介质膜掩膜板和需要生长金属薄膜的衬底间的间距可调，产生的图形化金属薄膜具有斜坡状边缘本发明中的金属薄膜生长方法基于介质膜掩膜板沉积工艺，斜坡的高度和倾角可通过改变介质膜掩膜板和衬底的间距来调节。具有工艺方法简单，加工方便，适合于大规模生产。
利用介质膜掩膜板实具有斜坡边缘金属薄膜图形方法

[发明专利]无介质膜栅栏残留风险的大马士革工艺集成方法-CN200910057522.4有效
发明人：曾林华 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-06-30 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种无介质膜栅栏残留风险的大马士革工艺集成方法，包含如下步骤：(1)在衬底上依次沉积底部刻蚀停止层、第一层介质膜、中间刻蚀停止层和第二层介质膜；然后光刻形成通孔图形，在第二层介质膜上形成抗反射层和光刻胶；(2)通孔刻蚀停在底部刻蚀停止层上；(3)光刻形成线槽图形；(4)第一次线槽刻蚀，刻掉抗反射层和部分第二层介质膜；(5)光刻胶去除；(6)光刻胶涂布，填充通孔以及已经刻开的线槽；(7)光刻胶回刻到中间刻蚀停止层以下；(8)第二次线槽刻蚀，刻掉剩余的第二层介质膜，停在中间刻蚀停止层上，去除光刻胶；(9)通孔中的底部刻蚀停止层去除。本发明没有介质膜栅栏残留风险，且工艺窗口较大。
介质栅栏残留风险大马士革工艺集成方法

[发明专利]激光直写微纳图形结构的方法-CN201010217742.1无效
发明人：顿爱欢;魏劲松;干福熹 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2010-07-02 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种激光直写微纳图形结构的方法，包括以下步骤：玻璃基片清洗、玻璃基片和溅射靶材安装、磁控溅射仪抽真空、下层介质膜层的溅射、相变材料膜层的溅射、上层介质膜层的溅射后获得激光直写薄膜和激光直写微纳图形。本发明可以获得良好的亚微米级图形结构。这种图形结构有望用于太阳能电池，液晶显示等领域。
激光直写微纳图形结构方法

[发明专利]在半导体衬底上制造电容器的方法-CN96123395.8无效
发明人：高桥实且 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1996-11-14 - 公布日： 1997-10-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：在半导体衬底上形成电容器的方法，包括相继形成覆盖该衬底的第1绝缘膜、第1导电膜、电介质膜、第2导电膜、第2绝缘膜、第1光刻胶材料。经曝光和显影确定第1光刻胶图形。用此图形作掩模，各向异性腐蚀电介质膜、第2导电膜和第2绝缘膜以确定顶电极和电介质膜。除去第1光刻胶图形。在第1导电膜和留下的第2绝缘膜上设置第2光刻胶材料，曝光和显影以确定第2光刻胶图形作掩模以各向异性干腐蚀第1导电膜，确定底电极。
半导体衬底制造电容器方法

[发明专利]一种基于图形化反射镜的LED芯片及其制作方法-CN202010587944.9在审
发明人：郭凤丽;徐洲;王洪占;吴奇隆;蔡和勋 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于图形化反射镜的LED芯片及其制作方法，通过在所述第二型窗口层的表面生长一介质膜层，所述介质膜层包括沿所述第一方向依次层叠的介质膜和粘附层，且所述介质膜层具有若干个用于形成欧姆接触的介质孔；所述金属反射镜通过所述介质孔内的欧姆接触材料与所述第二型窗口层形成欧姆接触，在确保所述金属反射镜与所述第二型窗口层形成良好的欧姆接触的同时，通过在介质膜和金属反射镜之间增加粘附层，藉以提高金属反射镜的金属材料与介质膜的粘附性同时，通可实现金属反射镜的图形化，藉以改变光的反射路径，提高LED芯片的出光效率。
一种基于图形反射 led 芯片及其制作方法

[发明专利]一种双大马士革结构的制作方法-CN201210405324.4有效
发明人：姚嫦娲 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2012-10-22 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种双大马士革结构的制作方法，包括在衬底上依次淀积介质阻挡层氮化膜和介质层；在介质层上涂布第一光刻胶，经光刻，形成通孔刻蚀图形；经刻蚀和去胶，在介质层上形成通孔；在介质层上淀积沟槽介质膜，并平坦化沟槽介质膜；在沟槽介质膜上涂布第二光刻胶，经光刻，形成沟槽刻蚀图形；经刻蚀和去胶，形成沟槽；刻蚀暴露的中间停止层氮化膜和介质阻挡层氮化膜；金属填充通孔和沟槽。
一种大马士革结构制作方法

[发明专利]改善沟槽与介质层掩膜线宽偏差的干法刻蚀工艺方法-CN201310088819.3有效
发明人：王春;吴智勇 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-03-19 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善沟槽与介质层掩膜线宽偏差的干法刻蚀工艺方法，包括步骤1、涂胶和图形曝光，具体的为涂布光刻胶，定义RFLDMOS金属钨通道的尺寸大小，进行图形曝光；步骤2、轻聚合物介质膜刻蚀，具体为用所述光刻胶做阻挡层，通过步骤1中定义的所述金属钨通道的尺寸，把介质膜打开，形成开口；步骤3、重聚合物介质膜刻蚀，具体为在所述介质膜的开口的侧壁淀积一层重聚合物；步骤4、深沟槽刻蚀，具体的为利用高能量等离子体，进行硅衬底的刻蚀
改善沟槽介质层掩膜线宽偏差刻蚀工艺方法

[发明专利]电介质元件的制造方法-CN96112720.1无效
发明人：藤井觉;高山良一;鎌田健;友泽淳 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1996-10-04 - 公布日： 2002-03-06 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：一种有经过精细加工的电介质元件的制造方法。该方法包括利用由氢氟酸和氧化剂构成的腐蚀剂，将在基板上形成的电介质膜蚀刻成规定的图形的工序、以及通过利用由还原剂构成的第1处理液、接着利用由酸构成的第2处理液分别进行处理，将蚀刻残渣除去的工序。能不产生残渣而使电介质膜形成精细的图形。$#!
电介质元件制造方法

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