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[发明专利]一种石英坩埚检测装置-CN202311209203.7在审
发明人：陈伟;李林东;陈志军;许堃;李安君;吴超慧;闫洪嘉 -专利权人：苏州晨晖智能设备有限公司
申请日： 2023-09-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01N21/94 文献下载
摘要：本发明涉及石英坩埚技术领域，尤其是指一种石英坩埚检测装置，包括支撑架；放置板，放置板固接在所述支撑架的侧壁；坩埚本体，坩埚本体设置在所述放置板的上端面；连接杆，连接杆固接在所述支撑架的侧壁；LED灯具，LED灯具设置在所述连接杆的侧壁，LED灯具灯光朝向坩埚本体；工作时，将待检测的石英坩埚置于放置板上方，之后开启LED灯具，使其产生的灯光照射至坩埚本体表面，并通过检测灯一对坩埚表面的进行检测，来检测出外表面是否有异物，裂纹、开口的气泡，在检测过程中，通过控制调节机构，可以将坩埚本体进行转动，解决了现有技术中由于石英坩埚的底面与检测平台的接触面无法被检测到的问题，有利于石英坩埚后续使用。
一种石英坩埚检测装置

[发明专利]一种抑制晶体划弧的控制方法-CN202310987999.2有效
发明人：陈伟;李林东;魏子涵;许堃;李安君;吴超慧;闫洪嘉 -专利权人：苏州晨晖智能设备有限公司
申请日： 2023-08-08 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本申请的实施例提供了一种抑制晶体划弧的控制方法，涉及单晶硅生产制造技术领域。该抑制晶体划弧的控制方法包括：步骤一、等时间间隔获取晶体运动时在平面内的位置坐标；步骤二、根据所述位置坐标获取晶体运动轨迹方程及晶体运动方向；步骤三、根据所述位置坐标和晶体运动轨迹方程获取晶体运动方向与晶体受力方向的夹角；步骤四、根据晶体运动方向与晶体受力方向的夹角和晶体运动方向控制晶体转速和坩埚转速；步骤五、在一个调整周期后重复步骤一到步骤四，直至晶体与运动中心轴的夹角小于预期角度值，其能够在晶体生长过程中有效抑制晶体划弧。
一种抑制晶体控制方法

[发明专利]顶部间歇性掺杂的单晶炉及其掺杂方法-CN202310572905.5有效
发明人：陈伟;李林东;高伟杰;吴超慧;陈志军;张鹏;丁云飞;许堃 -专利权人：苏州晨晖智能设备有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种顶部间歇性掺杂的单晶炉及其掺杂方法，涉及单晶硅棒生产技术领域。顶部间歇性掺杂的单晶炉包括炉体和间隙性掺杂器，间隙性掺杂器安装在炉体的喉口位置，间隙性掺杂器包括相互连接、且可相对转动的上盘和下盘，上盘上开设有多个第一通孔，第一通孔内用于装载掺杂剂，下盘上开设有第二通孔，控制下盘相对上盘转动，以使第二通孔移动至第一通孔的下方、释放第一通孔内的掺杂剂。通过间隙性掺杂器实现在炉体内顶投间歇式加入掺杂剂，能够对硅液中杂质浓度得到有效精准把控，降低了杂质对硅晶体缺陷的负面影响，提高了单晶硅棒的成晶率和晶棒品质。
顶部间歇性掺杂单晶炉及其方法

[发明专利]直拉法生长单晶硅用籽晶的制备方法、籽晶和生长方法-CN202310962205.7有效
发明人： 李林东;陈伟;许堃;李安君;陈志军 -专利权人：苏州晨晖智能设备有限公司
申请日： 2023-08-02 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：本发明属于单晶硅生产技术领域，具体涉及直拉法生长单晶硅用籽晶的制备方法、籽晶和生长方法。籽晶的制备方法包括使籽晶母棒进行画线处理，得到画线的籽晶母棒，所述籽晶母棒为等径断线的单晶棒，所述籽晶母棒的等径断线端具有位错，在所述位错的边界位置进行所述画线处理，使所述画线的籽晶母棒进行截断处理和掏磨处理，得到直拉法生长单晶硅用的籽晶，所述掏磨处理包括：在所述画线的位置掏磨标记；所述籽晶的一端具有位错部，所述位错部具有所述位错，基于所述籽晶的长度，所述位错部的长度占比为5%~10%。用本发明的制备方法制备籽晶，能够增加生长单晶硅时的产率，同时由于采用等径断线的单晶棒作为籽晶母棒，能够节约用料成本。
直拉法生长单晶硅籽晶制备方法

[发明专利]一种单晶硅棒外圆加工设备-CN202310782866.1有效
发明人：陈志军;陈伟;李林东;吴超慧;张鹏;卢亮;杨朝红;许堃 -专利权人：苏州晨晖智能设备有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B24B5/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶硅棒外圆加工设备。本发明涉及单晶硅棒领域，包括滑轨；所述滑轨上滑动连接有硅棒料架；所述硅棒料架的两端分别固接有第一固定架与第二固定架；所述第一固定架上转动连接有第一顶尖，且所述第二固定架上滑动连接有第二顶尖；所述滑轨的一侧固接有第三固定架，且第三固定架上滑动连接有第二电机；通过设置支撑组件，在第一顶尖与第二顶尖对单晶硅棒进行夹装时，可通过缓冲弹簧，使得第二顶尖的位置可自适应性的调整，从而实现对单晶硅棒端部施加允许范围内的压力，避免单晶硅棒边缘因夹装应力过大而产生的崩边风险，其次配合延伸板可对单晶硅棒的一端进行支撑，即便伺服气缸失效，也可避免单晶硅棒掉落而产生崩边损坏的风险。
一种单晶硅棒外圆加工设备

[发明专利]一种单晶卷毡装置-CN202310770241.3有效
发明人：陈志军;陈伟;李林东;卢亮 -专利权人：苏州晨晖智能设备有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： B65H75/24 文献下载
摘要：本发明涉及单晶生长技术领域，尤其是指一种单晶卷毡装置，包括保护壳体，所述保护壳体的外部安装有系统控制箱，所述保护壳体内部转动连接有转动轴，所述转动轴与外部电机的输出轴固定连接，所述转动轴外部设置有多组弹性支撑板，多组所述弹性支撑板呈圆周状阵列分布；通过系统控制箱信号控制多个伸缩杆进行伸展，多个伸缩杆共同伸展，在此过程中由于弹性支撑板具备弹性，从而会发生形变对伸缩杆的动作进行配合，如此便改变了弹性支撑板的弧度，进而改变了弹性支撑板的圆心位置，控制系统控制箱来控制不同伸缩杆的伸展状态，来调整弹性支撑板的弧度，使得多个弹性支撑板的圆心为同一点，如此便达到了可调整弹性支撑板圆心的效果。
一种单晶卷毡装置

[发明专利]一种单晶炉底部加热器使用寿命的预测方法及系统-CN202310788005.4有效
发明人：陈伟;陈志军;李林东;许堃;李安君 -专利权人：苏州晨晖智能设备有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本发明涉及单晶炉设备管理的技术领域，特别是涉及一种单晶炉底部加热器使用寿命的预测方法，其能够更加准确地预测加热器的使用寿命；包括：获取加热器的物理特性；根据加热器物理特性确定加热器温度场分析模型的模型参数；以及温度场均匀性识别用卷积神经网络的参数；获取加热器实时的工作环境；对工作环境进行数据预处理，得到环境数据；将环境数据录入至已确定参数的加热器温度场分析模型中，得出加热器的实时温度场；通过预先训练并已确认参数的卷积神经网络对实时温度场进行特征识别，来计算加热器温度场的均匀度；将计算得到的加热器温度场的均匀度与寿命特征库进行比对，确定加热器的剩余使用时长。
一种单晶炉底部加热器使用寿命预测方法系统

[发明专利]一种单晶炉热场拆装装置-CN202310878268.4有效
发明人：陈志军;许堃;陈伟;李安君;李林东 -专利权人：苏州晨晖智能设备有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及单晶炉技术领域，尤其是指一种单晶炉热场拆装装置，包括定位杆，所述定位杆的横截面呈六边形设置，所述定位杆的外侧固接有四根膨胀囊，所述定位杆的内侧设置有气压组件，所述气压组件用于给膨胀囊提供气压，所述定位杆的底部设置有下支撑杆，通过此种设置，就能将导流筒垂直拉起，而且支撑稳定，可以将导流筒稳定提起，加快了拆卸热场的效率，且在导流筒在检查结束后，也能通过相同的方法将导流筒放回到单晶炉中，而膨胀囊的设置，是为了减少下支撑杆底部与石墨件导流筒的摩擦，向外顶出的膨胀囊会接触到导流筒的内壁，将下支撑杆和定位杆维持在导流筒的中部，减少了下沉过程中因为摩擦导致导流筒受损的问题。
一种单晶炉热场拆装装置

[实用新型]一种使用方便的推式髓核钳-CN202321024136.7有效
发明人： 李林东 -专利权人：宿迁乐创医疗器械科技有限公司
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： A61B17/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种使用方便的推式髓核钳，包括第一手柄、第二手柄、装配管、推拉杆、拉杆、内部中空的杆管、上髓核钳口和下髓核钳口，第一手柄上还设有抵紧环和收纳口，抵紧环呈类似U型的结构且通过可转动的销轴与第一手柄连接，第二手柄靠近第一手柄的一侧设有卡口，卡口与抵紧环配合，本方案通过推式的方式使上髓核钳口与下髓核钳口实现咬合，水平直线的推拉拉杆的模式减少了部件间的摩擦，增加了髓核钳的使用寿命。抵紧环在夹取的人体组织后将抵紧环放置到适合的卡口中通过弹簧的作用自动维持住第一手柄和第二手柄之间的相对位置，即使医务人员手部的出现失误也不容易出现上髓核钳和下髓核钳的咬合状态变松导致人体组织掉落需要重新夹取的问题。
一种使用方便推式髓核钳

[发明专利]一种生产低氧晶棒的方法-CN202310745487.5有效
发明人： 李林东;陈伟;闫洪嘉;许堃;李安君;周嘉菊 -专利权人：苏州晨晖智能设备有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本申请的实施例提供了一种生产低氧晶棒的方法，涉及单晶硅棒生产技术领域。该生产低氧晶棒的方法包括：增加所述上保温筒上的保温筒毡的层数，以使所述上保温筒与所述下保温筒上的保温筒毡的层数差降低为2‑3层，以及增加所述中保温筒上的保温筒毡的层数，以使所述中保温筒与所述下保温筒上的保温筒毡的层数相等，其能够在控制成本的基础上降低单晶硅棒中的氧含量。
一种生产低氧方法

[发明专利]一种降氧导流筒、单晶炉及降氧工艺方法-CN202310729184.4有效
发明人：陈伟;许堃;闫洪嘉;李林东;李安君;闫志超 -专利权人：苏州晨晖智能设备有限公司
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请的实施例提供了一种降氧导流筒、单晶炉及降氧工艺方法，涉及单晶硅生产技术领域。该降氧导流筒包括导流筒主体，导流筒主体包括相连接的直筒部和收束部，收束部向内收束且具有用于朝向坩埚内液面的流通口；罩体，罩体包括气流引导部和弯曲聚热部，气流引导部的内侧壁连接于收束部背离直筒部的一端，气流引导部的外侧壁与弯曲聚热部相连接，弯曲聚热部朝背离收束部的一侧弯折，气流引导部与收束部之间形成三角形区域，其能够使得氩气流过液面的面积增大，进而更多地带走液面挥发的氧杂质。
一种导流单晶炉工艺方法

[发明专利]一种单晶炉及单晶炉降氧方法-CN202310627350.X有效
发明人： 李林东;陈伟;高伟杰;陈志军;丁云飞;张鹏;吴超慧;毛亮亮;许堃 -专利权人：苏州晨晖智能设备有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请的实施例提供了一种单晶炉及单晶炉降氧方法，涉及单晶炉技术领域。该单晶炉包括炉体、坩埚、加热器、保温筒、供氩装置以及吸氧装置，保温筒设置于炉体内，坩埚设置于保温筒内，坩埚内用于盛放硅液，加热器设置于炉体内，以对坩埚进行加热；供氩装置设置于炉体上，以向坩埚内通入氩气；吸氧装置设置于炉体内，用于吸附坩埚内的氧气，其能够在不降低发热圈的高度的基础上降低坩埚内的氧含量。
一种单晶炉单晶炉降氧方法

[发明专利]一种单晶炉水冷装置-CN202310702793.0有效
发明人：陈志军;陈伟;李林东;吴超慧;张鹏;毛亮亮;卢亮;许堃;李安君 -专利权人：苏州晨晖智能设备有限公司
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶炉水冷装置。本发明属于单晶体制造技术领域，包括主炉筒；所述主炉筒顶部经法兰固接有炉盖；所述炉盖顶部经法兰固接有连接筒；所述主炉筒内卡接有连接保温筒；所述保温筒内顶部卡接有水冷单元；通过设置水冷单元，采用可径向滑动的多个水冷板配合延伸板，可根据不同直径的单晶体进行位置调节，保持热传导距离不变或降低，同时延伸板的存在可提高热传导面积，均用于确保对单晶体冷却时，冷却效率不降或是提高，避免单晶体制造过程中，处于引晶和放肩步骤之间所形成的小直径连接单晶体未冷却完全，在后续大直径单晶体生成时，对小直径连接单晶体产生较大的拉力而形变或是断裂，造成单晶体制造失败。
一种单晶炉水冷装置

[发明专利]一种单晶硅棒转移运输装置-CN202310746433.0有效
发明人：陈志军;李林东;陈伟;卢亮;丁云飞;吴超慧;张鹏;毛亮亮 -专利权人：苏州晨晖智能设备有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： B65G47/90 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶硅棒转移运输装置。本发明涉及单晶硅棒领域，包括连接柱；所述连接柱上固接有扶手；所述连接柱底部一侧转动连接有夹持组件；所述夹持组件包括底框架；通过设置横向移动的第一夹板与竖向移动的第二夹板，在对单晶硅棒夹持时，可通过横向移动第一夹板与竖向移动第二夹板来调节对不同尺寸的单晶硅棒的夹持，其次利用第一夹板底部设置的尖端，可实现对相邻两个紧贴的单晶硅棒之间缝隙的扩张，使得第一夹板更易于伸入，从而便于对单晶硅棒的中部进行夹持，且在第一夹板移动时，拉扯拉绳，配合拉绳的拉力，实现将尖端收缩在第一夹板内，避免尖端对夹持组件的移动产生影响。
一种单晶硅转移运输装置

[发明专利]以颗粒硅为原料的硅单晶生长装置和生长方法-CN202310587272.5有效
发明人：李涛勇;陈伟;李安君;许堃;高岩;吴超慧;李林东;陈志军 -专利权人：苏州晨晖智能设备有限公司
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C30B13/34 文献下载
摘要：本发明涉及硅单晶的制备技术领域，提供了一种以颗粒硅为原料的硅单晶生长装置和生长方法，生长装置包括：由上至下依次设置的进料装置和炉体，设置在所述炉体的炉腔中的硅单晶牵拉装置、硅单晶支撑装置，所述生长装置还包括：位于所述炉腔内且由上至下依次设置的底部具有第一通孔区的坩埚和具有中心板孔的电磁约束加热器，所述第一通孔区设置有多个第一通孔；所述坩埚内用于储存颗粒硅的储存空间的横径由上至下逐渐增大，所述坩埚底部的第一通孔区、所述电磁约束加热器的中心板孔、所述硅单晶支撑装置以及所述硅单晶牵拉装置同轴设置。本发明提供的方案，能实现以颗粒硅为原料，连续、稳定生长大单重准区熔硅单晶锭。
颗粒原料硅单晶生长装置方法

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