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- [发明专利]测量半导体材料无序度的方法-CN201510227994.5有效
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卢年端;李泠;刘明
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中国科学院微电子研究所
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2015-05-07
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2018-02-09
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G01N25/00
- 一种测量半导体材料无序度的方法,包括步骤1,测量半导体材料的赛贝克系数;步骤2,基于半导体材料的无序性特征,选择一种状态密度函数;步骤3,通过渗流理论计算在选定状态密度函数下半导体材料的赛贝克系数值;步骤4,提取半导体材料的无序度。依照本发明的测量无序度的方法,基于材料变温下的赛贝克系数的值及载流子的跃迁理论,通过理论与实验相结合的方法探测半导体材料的无序性参数,获得的无序性参数为分析半导体材料的微观物理机制提供理论指导,提取的无序性参数可以直接用于分析半导体材料的电介质特性,从而为制造高性能的半导体器件提供指导。
- 测量半导体材料无序方法
- [实用新型]半导体材料散热装置-CN201721237171.1有效
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王超;周波;石岩
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嘉盛半导体(苏州)有限公司
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2017-09-26
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2018-04-10
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H01L23/46
- 本申请提供了一种半导体材料散热装置,其包括支撑框架,所述支撑框架具有容置空间,所述容置空间用于收容待散热的半导体材料;设置在所述支撑框架上的散热机构,所述散热机构能向所述待散热的半导体材料输送散热气流;设置在所述支撑框架上的除静电机构,所述除静电机构能产生带有正负电荷的气团,所述带有正负电荷的气团能在所述散热气流的作用下导向所述待散热的半导体材料。本申请实施方式的半导体材料散热装置在快速冷却待散热的半导体材料的同时,消除待散热的半导体材料上的静电,保证待散热的半导体材料的安全以及提高半导体材料的生产效率。
- 半导体材料散热装置
- [发明专利]一种半导体激光治疗装置-CN202111098643.0在审
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冼光;张得龙
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广东省智本能生命科技有限公司
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2021-09-18
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2023-03-21
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A61N5/067
- 本发明涉及半导体激光设备技术领域,具体涉及到一种半导体激光治疗装置。其包含激光发生器和半导体硅胶材料;所述半导体硅胶材料的原料包括硅胶弹性体、稀土硝酸盐化合物、金属氧化物和偶联剂;稀土硝酸盐化合物包括硝酸钕、硝酸钇和硝酸钪,其含量占半导体硅胶材料总含量的至少35wt%;所述激光发生器发出的激光经由所述半导体硅胶材料后作用于受体。本发明中的半导体硅胶材料能够长期高效率发射特定波长的远红外光,并与激发光源发出的可选择性红光、蓝光和紫光配合实现长期的功效。通过对半导体硅胶材料的组分和配比的优化调控,改善其远红外线发射量,并与激发光源的发出的激光更好的配伍,改善对高原环境等下的缺氧引起的组织缺氧等问题。
- 一种半导体激光治疗装置
- [发明专利]单带差超晶格结构及其制备-CN200810046307.X无效
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黎兵;冯良桓;雷智;李愿杰;颜璞;王洪浩;黄杨;孟奕峰
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四川大学
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2008-10-20
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2009-09-23
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C30B29/68
- 本发明“单带差超晶格结构及其制备”属于半导体薄膜的结构设计和制备之技术领域。半导体超晶格是当代固体物理学的新生长点和重要前沿领域。在化合物半导体薄膜与器件的制造中,超晶格薄膜是常常使用的一种半导体薄膜材料。超晶格薄膜可应用于热电材料、光电材料和纳米薄膜材料等方面。随着第三代太阳电池概念的提出和薄膜太阳电池研究的发展,基于多带隙半导体太阳电池模型,半导体超晶格薄膜在太阳电池领域的应用备受关注。本发明为了提高薄膜太阳电池的效率,开发新的太阳电池吸收层材料,同时基于降低成本,简化技术环节的目的,设计出了适宜的单带差超晶格薄膜结构,并提出了制备这种薄膜的技术方法。这种超晶格薄膜的设计和制备为开发新型薄膜材料提供了基础。
- 单带差超晶格结构及其制备
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