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[发明专利]半导体元件搭载用部件、引线框和半导体元件搭载用基板-CN202010164828.6在审
发明人：菱木薰;大泷启一;佐佐木英彦;留冈浩太郎 -专利权人：大口电材株式会社
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明为半导体元件搭载用部件、引线框和半导体元件搭载用基板。提供能减少成本、操作时间，提高生产率，并维持将包含银镀层的镀层整体厚度抑制为较薄且显著提高了与密封树脂的密合性的状态的半导体元件搭载用部件。本发明的半导体元件搭载用部件为，在成为基材的金属板的上表面、侧面、下表面中的至少上表面或侧面，具备具有针状突起簇的粗糙化银镀层，同时具备覆盖粗糙化银镀层中针状突起簇的表面的增强用镀层作为最表层镀层，粗糙化银镀层具有在晶体取向
半导体元件搭载部件引线用基板

[发明专利]半导体存储装置-CN201910687436.5在审
发明人：小林茂树;塩川太郎;园田真久 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种选择栅极线与接点之间的连接良好的半导体存储装置。本发明的一实施方式的半导体存储装置具备：多个第1导电体层，在第1方向上积层；第1半导体层，在所述多个第1导电体层内沿所述第1方向延伸；第1电荷累积层，设置在所述多个第1导电体层与所述第1半导体层之间；多个第
半导体存储装置

[发明专利]晶硅太阳能电池及其制备方法-CN202010623146.7在审
发明人：苏晓东;邹帅;张晓宏 -专利权人：苏州大学;嘉兴尚能光伏材料科技有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明揭示了一种晶硅太阳能电池及其制备方法，所述晶硅太阳能电池包括：晶硅，包括N型半导体层和P型半导体层，所述晶硅包括相对设置的第一表面和第二表面；介质层，位于晶硅的第一表面上，所述介质层的表面形成有纳米陷光结构；第一电极，与晶硅中的N型半导体层电性连接；第二电极，与晶硅中的P型半导体层电性连接。
太阳能电池及其制备方法

[发明专利]三维半导体存储器件-CN202010465503.1在审
发明人：李炅奂;金容锡;金森宏治;申旼翰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：提供了三维半导体存储器件。一种三维半导体存储器件包括堆叠结构，该堆叠结构包括在衬底上的栅电极。该三维半导体存储器件包括穿透堆叠结构并沿第一方向以Z字形形状顺序布置的第一垂直结构、第二垂直结构、第三垂直结构和第四垂直结构。此外，该三维半导体存储器件包括在第一方向上延伸的第一位线。
三维半导体存储器件

[发明专利]半导体装置以及电力转换装置-CN201980027280.6在审
发明人：横川政弘;田口健介 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-04-26 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：第一电极膜(91)与半导体基板(50)的源极区域(4)电连接，设置在半导体基板(50)的主面(S2)上。第二电极膜(92)与栅极电极(6)电连接，设置在半导体基板(50)的主面(S2)上。第三电极膜(93)与第一电极膜(91)分离地设置在半导体基板(50)的主面(S2)上。
半导体装置以及电力转换

[发明专利]双波长调频连续波激光干涉压力测量传感器及测量方法-CN202010817178.0在审
发明人：郑刚;白浪;郭媛;聂梦笛;盛启明;韩园 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： G01L1/24 文献下载
摘要：本发明包括两路光纤调频连续波激光干涉压力子系统，第一光纤调频连续波激光干涉压力子系统包括第一半导体激光器，第一半导体激光器与第一光纤环行器连接，第一光纤环行器与光纤准直器连接，第一光纤环形器的与第一光电探测器相连；第二激光干涉压力子系统包括第二半导体激光器，第二半导体激光器与第二光纤环行器连接，第二光纤环行器与光纤准直器连接，第二光纤环形器与第二光电探测器相连；光纤准直器后设置膜片式珐珀腔机构。
波长调频连续激光干涉压力测量传感器测量方法

[发明专利]一种可定位温控的微区加热阵列及其选择性转移半导体微纳集成元件的使用方法-CN202010913805.0在审
发明人：王立;赵婕;吴小明;李璠;刘虎;田婷芳;饶郑刚;莫春兰;江风益 -专利权人：南昌大学
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种可定位温控的微区加热阵列及其选择性转移半导体微纳集成元件的使用方法，包括微区加热阵列和程序控制系统，所述的微区加热阵列包括：电极层I、电极层II、n个微区加热单元，n≧64，其中，电极层本发明提供的一种可定位温控的微区加热阵列，可以对阵列中指定位置进行温度控制；所述的可定位温控的微区加热阵列同时具备独立的温控驱动功能和独立的半导体微纳集成元件驱动功能；可选择性转移半导体微纳集成元件，解决了大批量、有选择性的转移、去除、焊接、和修补半导体元件的问题；有利于提高生产良率和后期维护的工作。
一种定位温控加热阵列及其选择性转移半导体集成元件使用方法

[发明专利]一种单向导热装置-CN202010985261.9在审
发明人：刘未华 -专利权人：厦门优佰仕电子科技有限公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： F25B21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种单向导热装置，包括第一导热板、框体和第二导热板，第一导热板、框体和第二导热板密封形成内部空腔，空腔内容纳有导热工质，第二导热板与半导体冷端进行热量传递使第二导热板的温度降低，进而使空腔内第二导热板上的导热工质由第一相态变为第二相态，导热工质凝固后体积膨胀至与第一导热板接触，经导热工质实现第二导热板到第一导热板的热量交换，制冷完成后半导体断电，半导体热端的高温热量传递至冷端并通过第二导热板使导热工质受热变化为第一相态，导热工质体积变小与第一导热板不再接触传导热量，半导体热端的热量就无法直接传递至已降温的一侧，导热装置结构简单且能独立实现单向导热功能。
一种单向导热装置

[发明专利]一种单片集成半导体器件-CN202011067228.4在审
发明人：杨保长 -专利权人：杨保长
申请日： 2020-10-05 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L23/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种单片集成半导体器件，其结构包括密封装置、引脚、主体、半导体器件、衬底，本发明改进后进行使用时，引脚穿插在密封套上，工作人员控制转块在盘体上进行旋转时，盘体受到转块的转力会向内回缩，压杆会将压力导向连接口上提高两者之间的密实性，使得空气中的杂质无法通过两者之间的间隙进入，保证芯片电路的电气性能，吸热片将吸附的热量通过接孔导向衔接条，热气通过气体的流通性通过衔接条的另一端流出，气体会缓慢的通过衔接条输出，可以将半导体器件的热量通过出口排出，提高半导体器件使用的稳定性。
一种单片集成半导体器件

[发明专利]一种电化学电解池-CN202011079445.5在审
发明人：李静镜;周剑伟;邹爽;黄升 -专利权人：杭州绿洁环境科技股份有限公司
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： G01N27/28 文献下载
摘要：本发明公开一种的电化学电解池，包括反应池、固设于反应池外侧的半导体制冷器和用以检测反应池的当前温度的温度检测件，当温度检测件检测到当前温度超出预设温度时，控制器根据温度检测件反馈的信号控制半导体制冷器对反应池进行制冷，反应池温度降低，直至当前温度与预设温度一致；当温度检测件检测到当前温度低于预设温度时，控制器根据温度检测件反馈的信号控制半导体制冷器对反应池进行制热，反应池温度升高，直至当前温度与预设温度一致。温度检测件与半导体制冷器共同配合自动调整反应池的温度，使反应池保持温度恒定，免受池内溶液温度及外界环境温度的影响，使反应池内待测样与校正液的温度保持一致，检测结果较准确，检测精度较高。
一种电化学电解池

[发明专利]基于Ⅲ族氮化物异质结的场效应晶体管及其制备方法-CN201910610514.1在审
发明人：张晓东;魏星;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2019-07-08 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明揭示了一种基于Ⅲ族氮化物异质结的场效应晶体管及其制备方法，所述场效应晶体管依次包括衬底、Ⅲ族氮化物异质结、p型半导体层、及金属电极，所述Ⅲ族氮化物异质结包括沟道层及势垒层，所述金属电极包括位于Ⅲ族氮化物异质结上的源极和漏极、以及位于p型半导体层上且位于源极和漏极之间的栅极，所述p型半导体层中通过O等离子体处理形成有沟道阵列，沟道阵列包括位于源极和漏极之间的若干第一沟道及位于栅极旁侧的第二沟道。本发明通过对p型半导体层进行O等离子处理形成沟道阵列，无需对器件栅极下方区域进行刻蚀，避免了因刻蚀工艺引入的均匀性、重复性和引入损伤问题。
基于氮化物异质结场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种降低纹波输出的双向DC-DC宽电压调制电路-CN201810485315.8在审
发明人：郑文祺;邵冲 -专利权人：上海储瑞能源科技有限公司
申请日： 2018-05-21 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：本发明涉及一种降低纹波输出的双向DC‑DC宽电压调制电路，包括多个单通道升压/降压电路，上述多个单通道升压/降压电路形成并联连接，单通道升压/降压电路包括降压控制半导体开关元件T、升压控制半导体开关元件T、电感L、降压电路二极管D、升压电路二极管D、电容C，电容C与升压电路二极管D串联形成支线A，支线A与升压控制半导体开关元件T并联形成支线B，支线B与电感L串联形成支线C，支线C与降压电路二极管D并联形成支线D，支线D与降压控制半导体开关元件T串联形成单通道升压/降压电路。
降压电路升压半导体开关元件二极管单通道串联电感降压控制升压电路升压控制电容并联输出纹波并联连接调制电路降低纹波降压功能交错并联宽电压减小电路

[发明专利]晶圆传送装置、半导体设备及半导体工艺方法-CN201811377735.0在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆传送装置、半导体设备及半导体工艺方法。采用本发明的晶圆传送装置和半导体设备能够在晶圆的传送过程中对晶圆进行检测，从而能够及时发现晶圆存在的错位及/或晶圆碎片等问题，避免有问题的晶圆传入下一个工序造成更大的损失；采用本发明的半导体工艺方法，能够及时发现晶圆在传送过程中的问题
传送装置半导体设备半导体工艺方法

[发明专利]半导体封装件-CN201911133387.7在审
发明人：金俊成;李斗焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件可包括：框架，具有腔并包括将框架的第一表面和第二表面彼此连接的布线结构；第一连接结构，位于框架的第二表面上并包括连接到布线结构的第一重新分布层；半导体芯片，在腔内位于第一连接结构上并具有连接到第一重新分布层的连接垫；包封剂，包封半导体芯片，覆盖框架的第一表面，并且具有与布线结构的上表面基本共面的上表面；以及第二连接结构，包括设置在包封剂和布线结构的上表面上的绝缘层、位于绝缘层上的第二重新分布层以及穿透绝缘层并将布线结构和第二重新分布层连接的过孔
半导体封装

[发明专利]半导体器件的制作方法与半导体器件-CN201811392058.X在审
发明人：蔡宗叡 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体器件的制作方法及半导体器件。方法包括：提供具有沟槽隔离结构的第一导电类型的半导体衬底；于相邻沟槽隔离结构之间的半导体衬底上进行两次相反导电类型掺杂剂的注入以形成有源区；其中，在进行第二次掺杂注入前先对第一次掺杂注入形成的第一掺杂区域进行预先非晶化掺杂制程
半导体器件制作方法