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[发明专利]具有不同材料结构元件的半导体晶体管及其形成方法-CN200580025816.9无效
发明人：沃恩－于·西恩;迪纳·H·特里约索;比克－耶·纽耶 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2005-07-22 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：使用半导体衬底(14)并在半导体衬底上方形成控制电极(49)，以形成晶体管(10)。在半导体衬底内并与控制电极相邻地形成第一电流电极(70)。第一电流电极具有第一预定半导体材料。在半导体衬底内并与控制电极相邻地形成第二电流电极(84)，以在半导体衬底内形成沟道(26)。第二电流电极具有与第一预定半导体材料不同的第二预定半导体材料。选择第一预定半导体材料，以优化第一电流电极的带隙能，并且选择第二预定半导体材料以优化沟道应变。
具有不同材料结构元件半导体晶体管及其形成方法

[发明专利]包括掺杂的硅碳衬里层的半导体结构及其制造方法-CN200810005703.8无效
发明人：骆志炯;刘耀诚 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2008-02-03 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种包括掺杂的硅碳衬里层的半导体结构及其制造方法。一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构包括衬里层，所述衬里层被插入到这样的区域之间：(1)半导体衬底内的台座形沟道区域；和(2)半导体材料层内的源极和漏极区域，所述半导体材料层位于所述衬里层上并进一步被所述台座形沟道区域横向分离所述衬里层包括活性的掺杂的硅碳材料。所述半导体材料层包括不同于硅碳半导体材料的半导体材料。可选地，所述半导体材料层包括这样的硅碳半导体材料，所述硅碳半导体材料具有与所述衬里层相反的掺杂剂极性和比所述衬里层低的碳含量。由于存在所述硅碳材料，所以所述衬里层抑制了掺杂剂从所述衬里层扩散到所述台座形沟道区域中。因此提高了使用所述台座形沟道区域的场效应器件的电性能。
包括掺杂衬里半导体结构及其制造方法

[发明专利]在块体半导体材料上用于形成隔离的鳍部结构的方法-CN201410569405.7有效
发明人： W·马赞拉;H·阿迪卡里 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2010-10-08 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请提供一种在块体半导体材料上用于形成隔离的鳍部结构的方法。一种方法包括在块体衬底上形成第一半导体材料层和在该第一半导体材料层上形成第二半导体材料层。该方法进一步包括在该第二半导体材料层上创造鳍状图案掩膜，以及使用该鳍状图案掩膜作为蚀刻掩膜，各向异性地蚀刻该第二半导体材料层和该第一半导体材料层。该各向异性蚀刻导致从该第二半导体材料形成鳍部和位于该鳍部下方的该第一半导体材料的暴露区域。该方法进一步包括在位于该鳍部下方的该第一半导体材料的暴露区域中形成隔离层。
块体半导体材料用于形成隔离结构方法

[发明专利]在块体半导体材料上用于形成隔离的鳍部结构的方法-CN201010501204.5有效
发明人： W·马赞拉;H·阿迪卡里 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2010-10-08 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请提供一种在块体半导体材料上用于形成隔离的鳍部结构的方法。一种方法包括在块体衬底上形成第一半导体材料层和在该第一半导体材料层上形成第二半导体材料层。该方法进一步包括在该第二半导体材料层上创造鳍状图案掩膜，以及使用该鳍状图案掩膜作为蚀刻掩膜，各向异性地蚀刻该第二半导体材料层和该第一半导体材料层。该各向异性蚀刻导致从该第二半导体材料形成鳍部和位于该鳍部下方的该第一半导体材料的暴露区域。该方法进一步包括在位于该鳍部下方的该第一半导体材料的暴露区域中形成隔离层。
块体半导体材料用于形成隔离结构方法

[发明专利]一种太阳能电池及其制作方法-CN202011479289.1在审
发明人：童洪波;李华;靳玉鹏 -专利权人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开一种太阳能电池及其制作方法，涉及光伏技术领域，在较方便的去除绕镀层的同时，能够较好的保护硅基底的背面。该太阳能电池的制作方法，包括：提供一硅基底，硅基底具有相对的第一面和第二面。在硅基底的第二面形成半导体层，第一面具有由半导体层的材料绕镀成的绕镀层；该半导体层含有非晶半导体材料。保持半导体层含有非晶半导体材料的情况下，在半导体层上形成掩膜层。在掩膜层的保护下，去除绕镀层。以及对半导体层进行处理形成多晶掺杂半导体层。本发明提供的太阳能电池及其制作方法用于太阳能电池制造。
一种太阳能电池及其制作方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201910923807.5在审
发明人：丁姮彣;陈科维;李启弘;郑培仁;宋学昌;李彦儒;林俊安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置的形成方法包括蚀刻半导体鳍片以形成凹槽；以及形成源极/漏极区域于凹槽之中，形成源极/漏极区域包括：在600℃至800℃的温度下外延成长第一半导体材料于凹槽之中，第一半导体材料包括掺杂的硅锗；以及在300℃至600℃的温度下顺应性地沉积第二半导体材料于第一半导体材料之上，第二半导体材料包括掺杂的硅锗且与第一半导体材料具有不同的组成。
半导体装置形成方法

[发明专利]具有相容电介质层的有源区域-CN200780034552.2有效
发明人： P·拉纳德 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2007-09-18 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：描述一种用于形成具有有源区域和相容的电介质层的半导体结构的方法。在一个实施例中，半导体结构具有由第一半导体材料的氧化物组成的电介质层，其中在电介质层与第一半导体材料之间形成有第二(且成分不同的)半导体材料。在另一个实施例中，用第三半导体材料取代第二半导体材料的一部分，以便赋予第二半导体材料的晶格结构单轴应变。
具有相容电介质有源区域

[发明专利]半导体装置及半导体元件的制造方法-CN202010994209.X在审
发明人：野村典嗣 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及半导体元件的制造方法。抑制了在为了进行在半导体基板形成的半导体元件的电气特性的评价等对半导体元件施加了电压的情况下在半导体元件与元件间部之间发生局部放电，对异物附着于半导体基板、在半导体基板形成部件痕迹等进行抑制。半导体装置具有半导体基板以及放电抑制材料。半导体基板具有元件间部以及多个半导体元件。多个半导体元件在半导体基板的扩展方向排列。元件间部位于多个半导体元件所包含的相邻的半导体元件之间。放电抑制材料附着于元件间部的表面，但没有附着于多个半导体元件所包含的各半导体元件的中央部的表面。放电抑制材料由绝缘体构成。
半导体装置元件制造方法

[发明专利]半导体工艺、半导体器件的制作方法以及半导体器件-CN201910775850.1在审
发明人：程纪伟;夏志良;周文犀;蒲月强;孙中旺;苏睿 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体工艺、半导体器件的制作方法以及半导体器件。该半导体工艺包括：形成具有凹槽的半导体基底；在凹槽中设置预定材料，直到预定材料的厚度大于或者等于预定厚度，其中，预定材料为流体材料；控制半导体基底旋转，半导体基底旋转的旋转轴平行于半导体基底的厚度方向；固化预定材料，形成填充结构。该半导体工艺解决了现有技术中难以无缝填充深宽比较大的凹槽的问题，保证了形成的填充结构的性能较好，进而保证了包括由该半导体工艺形成的半导体器件的性能较好。并且，该工艺容易控制，成本较低，可以广泛地应用在各种半导体器件的制作过程中。
半导体工艺半导体基底半导体器件预定材料填充流体材料无缝填充制作过程旋转轴固化平行保证申请制作应用

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210028508.7在审
发明人：林弘德;尤宏誌;刘家玮 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L21/74 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法，在半导体的制造方法中，设置罩幕在半导体层或半导体基材上。蚀刻半导体层或半导体基材在通过罩幕勾画的区域内，以形成空腔。通过设置在半导体层或半导体基材上的罩幕，进行离子布植，加衬空腔，以形成围阻结构。通过设置在半导体层或半导体基材上的罩幕，以基底半导体材料填入围阻结构。在以基底半导体材料填入围阻结构之后，移除罩幕。至少一半导体元件是制作在沉积于围阻结构内的基底半导体材料之内及/或之上。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体材料检查装置以及利用其的半导体材料检查方法-CN202211283899.3在审
发明人：郑昌富;崔永薰 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G01B11/00 文献下载
摘要：本发明作为半导体材料检查装置以及利用其的半导体材料检查方法，公开一种测定针对大小更大于视觉检查的拍摄区域(FOV：Field of Vision)的大面积半导体材料的尺寸而可以检查半导体材料的质量的技术半导体材料检查方法包括：虚拟平面设定步骤，基于针对安放半导体材料的安放台的基准信息来设定虚拟平面；拍摄图像获取步骤，对于安放在安放台的半导体材料获取针对多个边角区域的每一个的拍摄图像；相对坐标判断步骤，在各个拍摄图像中检测半导体材料的边角点，并基于基准信息来判断针对各个边角点的虚拟平面上的相对坐标；以及材料尺寸算出步骤，基于针对各个边角点的相对坐标来算出针对半导体材料的尺寸。
半导体材料检查装置以及利用方法

[实用新型]一种用于半导体材料贴蓝膜的机构-CN201921902625.1有效
发明人：曹丽萍;张万财;王加初;董小虎 -专利权人：平凉市老兵科技研发有限公司
申请日： 2019-11-06 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开一种用于半导体材料贴蓝膜的机构，涉及半导体加工制造领域。该机构包括底座和安装在底座上的吸盘，吸盘中央设有真空孔；所述底座上安装有蓝膜铺膜机构和蓝膜划圆切割机构。与现有技术相比，本实用新型的操作简单，给半导体材料贴蓝膜时半导体材料不易碎片，成片率高；生产效率高，出片率更高。
一种用于半导体材料贴蓝膜机构

[发明专利]薄膜晶体管、包括其的电子器件、和其制造方法-CN201810762263.4有效
发明人：崔雅净;咸硕圭;朴正一;李容旭;郑钟元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H10K10/46 文献下载
摘要：所述薄膜晶体管包括栅电极、半导体层、源电极、和漏电极。所述半导体层与所述栅电极重叠。所述源电极和所述漏电极电连接至所述半导体层。所述半导体层包括包含第一有机半导体材料的第一半导体层和包含第二有机半导体材料的第二半导体层。所述第二半导体层相比于所述第一半导体层与所述栅电极间隔得更远。所述第二有机半导体材料的HOMO能级不同于所述第一有机半导体材料的HOMO能级。
薄膜晶体管包括电子器件制造方法

[发明专利]一种半导体材料加工工艺-CN202310149772.0在审
发明人：杨慧 -专利权人：杨慧
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： B01J19/18 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料领域，特别是一种半导体材料加工工艺，包括以下步骤：S1、取亚碲酸钠、去离子水、丙酮、联胺和乙酸铜，混合并搅拌均匀，得到混合液；S2、将混合液加入反应釜中，密封状态进行加热，得半导体材料前躯体；S3、使用洗涤装置，将半导体材料前躯体进行洗涤；S4、对洗涤后的半导体材料前躯体进行加热干燥，得半导体材料。本发明能够生产高纯度的半导体材料。
一种半导体材料加工工艺

[发明专利]一种低芯片温度梯度的功率半导体模块封装结构及方法-CN202311052204.5在审
发明人：杨鑫;赵诗涵 -专利权人：湖南大学
申请日： 2023-08-21 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明涉及半导体设备技术领域，具体为一种低芯片温度梯度的功率半导体模块封装结构及方法，封装结构包括功率半导体芯片、衬板和基板；衬板包括从上至下依次连接的上铜层、陶瓷层和下铜层，功率半导体芯片通过芯片焊料层与上铜层连接，下铜层通过衬板焊料层与基板连接，芯片焊料层的材料分别为第一材料和第二材料，芯片焊料层中应力小于或者等于设定应力的区域选用第二材料，芯片焊料层中应力超过设定应力的区域选用第一材料，第一材料的屈服强度大于第二材料本发明提出的一种低温度梯度功率半导体模块封装结构在相对较低的成本下，能有效降低功率半导体芯片表面的温度梯度，同时也降低了芯片焊料层的热应力，提高了功率半导体模块的寿命。
一种芯片温度梯度功率半导体模块封装结构方法