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[实用新型]可控硅结构-CN202120561027.3有效
发明人：孙传帮;邵长海;左建伟;杨志伟 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本申请提供的可控硅结构，涉及功率半导体技术领域。在本申请中，可控硅结构包括半导体结构、阳极结构、门极结构和阴极结构。半导体结构包括第一半导体材料层、第二半导体材料层、第三半导体材料层和第四半导体材料层。阳极结构与第一半导体材料层电连接，门极结构与第三半导体材料层电连接，阴极结构与第四半导体材料层电连接。阳极结构、门极结构和阴极结构至少分布于半导体结构相对的两侧。基于上述设置，可以提高可控硅结构的封装便利性。
可控硅结构

[实用新型]一种垂直型高压MOS管-CN202320321798.4有效
发明人：方圆 -专利权人：索罗半导体（深圳）有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种垂直型高压MOS管，涉及MOS器件技术领域，包括漏极金属层，漏极金属层顶面叠设有衬底层，衬底层顶面叠设有第一半导体材料，第一半导体材料中央开设有槽体，槽体内生长有第二半导体材料，第二半导体材料顶部延伸至第一半导体材料顶面，第二半导体材料顶面叠设有源极金属和栅极结构；其中，第一半导体材料与衬底层通过SiC制成，第二半导体材料通过Si制成，第一半导体材料和第二半导体材料之间形成有异质结界面；第一半导体材料和第二半导体材料为
一种垂直高压 mos

[实用新型]一种半导体材料自动翻面装置-CN202122580916.7有效
发明人：党小锋;刘全义;张月兰 -专利权人：九域半导体科技（苏州）有限公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G01N27/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体材料自动翻面装置，属于半导体材料性能参数测试技术领域，半导体材料自动翻面装置设于测试平台上方，测试平台上方还设有半导体材料测试工作台，半导体材料自动翻面装置与半导体材料测试工作台相邻设置，所述半导体材料自动翻面装置包括回转台、机械手和转载台，转载台的外径小于半导体材料的外径，机械手设于回转台的上方，在机械手的臂端设有回转关节，回转关节的端部连接有机械卡爪；机械卡爪可抓取半导体材料并对其进行翻面，可防止对半导体材料的表面造成污染，翻面后的半导体材料可置于转载台上进行中转，可防止半导体材料直接垂直坠落于半导体测试工作台表面，避免机械损伤。
一种半导体材料自动装置

[实用新型]一种半导体结构-CN202021961995.5有效
发明人：王泓江;赵德刚 -专利权人：北京蓝海创芯智能科技有限公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体结构，属于半导体技术领域。本实用新型结构从下到上依次包括衬底、底层二维半导体材料、P型二维半导体材料、N型二维半导体材料和介质层，介质层两端分别设有P型金属电极、N型金属电极，P型二维半导体材料的功函数比底层二维半导体材料小，N型二维半导体材料的功函数比底层二维半导体材料大；本实用新型通过堆叠不同功函数的二维半导体材料，实现P型二维半导体材料产生P型掺杂、N型二维半导体材料产生N型掺杂，形成PN结构。本实用新型中P型金属电极与P型二维半导体材料的相变部分一接触，N型金属电极与N型二维半导体材料的相变部分二接触，保证金属电极与二维半导体材料的欧姆接触电阻小。
一种半导体结构

[发明专利]一种半导体材料点缺陷空位尺寸的检测方法-CN202211670410.8在审
发明人：樊文浩;朱华日;李辉 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体材料点缺陷空位尺寸的检测方法，涉及半导体材料技术领域，具体为S1、半导体材料模型的构建S2、半导体材料缺陷模型的构建S3、孤立点缺陷正电子寿命的计算S4、半导体材料点缺陷空位尺寸的检测该半导体材料点缺陷空位尺寸检测方法是基于第一性原理计算正电子的淹没寿命，可以及其精确的检测出半导体材料点缺陷的空位尺寸。
一种半导体材料点缺陷空位尺寸检测方法

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法-CN202010402582.1有效
发明人：李永亮;程晓红;张青竹;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件及其制作方法，涉及半导体技术领域，以减少PMOS器件中导电沟道的缺陷，提高半导体器件的性能。所述半导体器件的制作方法包括：提供一衬底，衬底包括N阱区和P阱区。在衬底上形成第一半导体材料层，第一半导体材料层至少覆盖在P阱区上。在衬底上形成第二半导体材料层，第二半导体材料层覆盖在N阱区上。第二半导体材料层所含有的材料不同于第一半导体材料层所含有的材料。所述半导体器件采用上述半导体器件的制作方法制作形成。
一种半导体器件及其制作方法

[发明专利]一种半导体材料产品的切割方法-CN202310101135.6有效
发明人：惠施祥;孙瑜;李克忠;万里兮;吴昊 -专利权人：成都万应微电子有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体材料产品的切割方法，包括：提供一半导体材料产品，半导体材料产品上具有切割道；在该半导体材料产品背面粘贴第一保护膜；对半导体材料产品的切割道延伸方向的两端沿着切割道的方向切割，形成定位切口；在半导体材料产品正面沿着切割道切割，形成第一预设深度；对半导体材料产品正面粘贴第二保护膜，并去除背面的第一保护膜；基于两个定位切口，确定半导体材料产品背面的切割位置，并在半导体材料产品背面沿着切割位置进行切割，形成第二预设深度，以将半导体材料产品切割分离，通过正反面切割的方式，并通过定位切口将正反面的切割位置对准，可实现对超厚产品的切割，且规避了背崩现象。
一种半导体材料产品切割方法

[发明专利]半导体器件及其制备方法与应用-CN202111208074.0在审
发明人：李宗翰 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请实施例涉及半导体技术领域，具体公开了一种半导体器件及其制备方法与应用。其中，所述半导体器件，包括：衬底；半导体材料层，半导体材料层位于衬底上，且覆盖部分衬底；栅极，栅极位于半导体材料层和未被半导体材料层覆盖的衬底上；其中，沿栅极的延伸方向，半导体材料层的宽度小于衬底的宽度，且半导体材料层与衬底的材料的载流子迁移率不同。本申请通过形成沿栅极的延伸方向，宽度小于衬底的宽度的半导体材料层，且根据半导体材料层与衬底的载流子迁移率的差异，提供了一种至少为三阶的控制器件，该控制器件至少包括关断、半导通和完全导通三个状态。
半导体器件及其制备方法应用

[发明专利]一种增强低维半导体光电性能的方法-CN202310456234.6在审
发明人：胡亮;刘福浩;程李源;杨秉璋;全清林 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于二维光电材料技术领域，涉及一种增强低维半导体光电性能的方法，包括以下步骤；二维磁性材料和低维半导体材料晶体的制取；薄层二维磁性材料和低维半导体材料的分离；薄层二维磁性材料和低维半导体材料光电异质结的构筑本发明利用二维磁性材料的自旋注入，通过低维半导体与磁性材料的影响，提高了低维半导体材料的光电性能，为提高低维半导体光电性能提供了一种新型简易的方法。
一种增强半导体光电性能方法

[发明专利]制造半导体致冷件所用的材料、半导体晶粒和致冷件-CN202110379634.2在审
发明人：陈建民;赵丽萍;张文涛;惠小青;李永校;蔡水占;钱俊有;张建中;任保国;韩笑;冯玉洁;王军霞 -专利权人：河南鸿昌电子有限公司
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明涉及半导体生产工艺技术领域，具体地说是涉及制造半导体致冷件所用的材料，包括N型半导体材料和P型半导体材料；所述的N型半导体材料按照重量份为含有四碘化碲1～1.5、硒33～35、碲620～650、铋790～800、铜2～4、银1～2；所述的P型半导体材料按照重量份为含有硒11.5～12.5、铋180～190、锑320～330、碲620～650，铜2～4、银1～2，还涉及一种半导体晶粒和一种半导体致冷件这样的制造半导体致冷件所用的材料具有可以制成致冷效果更好、和金属导体焊接更牢固的晶粒。
制造半导体致冷所用材料晶粒

[发明专利]显示面板制造方法、显示面板的制造设备和显示面板-CN201710330494.3有效
发明人：冯翔;杨瑞智;刘莎;乔赟;孙晓;邱云;张强;杨照坤;王瑞勇;尤杨 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示面板制造方法、显示面板的制造设备和显示面板，属于显示技术领域。所述方法包括：通过微流控技术在衬底基板上形成多个半导体材料液滴；对所述多个半导体材料液滴进行固化处理，固化处理后的所述多个半导体材料液滴形成半导体层图案。本发明通过微流控技术在衬底基板上形成半导体层图案，无需使用光刻胶。解决了相关技术中由于光刻胶可能污染有机半导体材料，因而无法用传统的光刻工艺形成由有机半导体材料构成的半导体层图案的问题。达到了可以使用各种半导体材料来形成半导体层图案的效果。
显示面板制造方法设备

[实用新型]一种沟槽超级结MOS半导体装置-CN202121830589.X有效
发明人：缪志平 -专利权人：盛廷微电子江苏有限公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及沟槽超级结MOS半导体领域，具体为一种沟槽超级结MOS半导体装置，包括MOS半导体装置，所述沟槽位于半导体材料和半导体层中，沟槽整个内壁表面有绝缘体，在衬底层上通过外延生产形成第一传导类型的半导体材料，在表面形成钝化层，形成沟槽区域表面去除钝化层，进行第二传导类型杂质扩散，然后进行第一传导类型杂质扩散，进行刻蚀半导体材料，形成沟槽，在沟槽内壁形成绝缘层，然后在沟槽内形成第二传导类型的半导体材料，进行第二传导类型的半导体材料反刻蚀，在沟槽内形成第一传导类型的半导体材料，然后进行第一传导类型的半导体材料反刻蚀，在器件表面形成钝化层，然后去除器件表面部分钝化层。
一种沟槽超级 mos 半导体装置

[发明专利]基于等离子体掺杂调控低维半导体材料电学性能的方法-CN202211582913.X在审
发明人：包文中;盛楚明;孙正宗;董祥麒;朱宇轩 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体为基于等离子体掺杂调控低维半导体材料电学性能的方法。本发明方法包括提供具有低维半导体材料的工件，对低维半导体材料进行等离子体掺杂，原位沉积钝化层形成封装结构，其中形成封装结构的步骤包括：向真空工艺腔室中通入气体，使气体电离形成等离子体，对低维半导体材料进行掺杂本发明对低维半导体材料进行等离子体掺杂后原位沉积钝化层，降低杂质对等离子体掺杂后活化的低维半导体材料表面的影响，降低低维半导体材料与钝化层之间界面态缺陷密度，通过等离子体掺杂改变低维半导体材料载流子浓度和类型，进而调控低维半导体材料电学性能。
基于等离子体掺杂调控半导体材料电学性能方法

[发明专利]一种半导体材料的表面钝化方法-CN201911017817.9有效
发明人：闫一方 -专利权人：苏师大半导体材料与设备研究院（邳州）有限公司
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体材料的表面钝化方法，涉及材料科学技术领域。该半导体材料的表面钝化方法，包括以下步骤：S1.准备好HCl溶液，将半导体材料置于HCl溶液中浸泡15‑30min，然后取出半导体材料使用蒸馏水对其表面进行清洗，清洗干净之后，将半导体材料送入到真空环境中进行干燥处理；S2.将半导体材料置于高温炉中，调节高温炉内的温度在1000‑1200℃范围内，在半导体材料的表面形成热氧化膜，然后利用氮气对半导体材料进行冷却。通过将形成的热氧化膜去除，然后再低温形成二氧化硅钝化层，使得二氧化硅钝化层可以更好的附着在半导体材料的表面，同时通过HCl溶液与HF溶液的处理，进一步去除了Na离子对半导体材料的影响，使得半导体材料的钝化效果大大提升
一种半导体材料表面钝化方法

[发明专利]一种金属包覆型的复合半导体材料及其制备方法和应用-CN202211425240.7在审
发明人：江凯斌;郭国聪;王明盛;徐忠宁 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： B01J27/04 文献下载
摘要：本申请公开了一种金属包覆型的复合半导体材料及其制备方法和应用，属于半导体材料领域。一种金属包覆型的复合半导体材料，所述复合半导体材料包括金属单质纳米颗粒、半导体；所述金属单质纳米颗粒包覆在所述半导体的表面和/或内部。通过金属‑半导体相互作用拓宽半导体材料光响应范围、提高电荷分离效率；包覆型半导体材料兼具宽光响应范围、高电荷分离的性能。
一种金属包覆型复合半导体材料及其制备方法应用

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