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[发明专利]可控硅结构-CN202110673779.3在审
发明人：杨志伟;邵长海;左建伟;孙传帮 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本申请提供的可控硅结构，涉及半导体技术领域。在本申请中，可控硅结构包括电极结构和半导体结构，电极结构与半导体结构电连接。半导体结构包括至少一层N型半导体材料层和至少一层P型半导体材料层。其中，至少一层N型半导体材料层和至少一层P型半导体材料层中的至少一层为目标半导体层，目标半导体层包括依次分布的掺杂浓度不同和/或掺杂元素不同的多个子区域。
可控硅结构

[发明专利]一种半导体材料表面湿法钝化方法-CN201710830574.5在审
发明人：周路;杨小天;迟耀丹;王欢;初学峰;闫兴振;杨帆;高晓红;王超;郭亮 -专利权人：吉林建筑大学
申请日： 2017-09-08 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明一种半导体材料表面湿法钝化方法，属于半导体材料技术领域。该领域已知技术难以采用湿法钝化手段有效降低材料表面态的同时，维持钝化效果的长期稳定性。本发明提出采用正二十烷硫醇做为硫化物钝化液，在特定的条件下与半导体材料反应，能有效去除半导体材料表面的氧沾污，同时在半导体表面自组装上长碳链硫醇分子层，实现表面稳定的钝化保护。本方法化学污染小，操作简单，成本低廉，钝化效果明显，可用于半导体器件制备过程中的表面处理。
一种半导体材料表面湿法钝化方法

[实用新型]一种用于半导体发光材料用的收集装置-CN202221664226.8有效
发明人：王风谦;申展;张贵怀 -专利权人：河南荣峰光电科技有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： B65D25/02 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体技术领域，尤其为一种用于半导体发光材料用的收集装置，包括底板，所述底板的上表面固定安装有支撑板，所述支撑板的一端活动连接有圆筒，所述圆筒的内部活动连接有盛料箱，所述盛料箱的顶部固定安装有第二电机该用于半导体发光材料用的收集装置，通过在圆筒内壁的表面设置半导体制冷片，当外界温度过高时，利用半导体制冷片对盛料箱内的半导体材料进行降温，使半导体发光材料处于一个适合的温度状态，当温度过低时，利用电加热丝管升高盛料箱内半导体发光材料的温度，方便长期收集储存半导体发光材料，在对半导体发光材料加热或散热的同时利用第一齿轮与第二齿轮啮合带动盛料箱转动能够使半导体发光材料受热或散热均匀。
一种用于半导体发光材料收集装置

[实用新型]一种半导体光电材料生产用打磨设备-CN202121995643.6有效
发明人：华铁军;黄春城 -专利权人：江苏海创微电子有限公司
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： B24B27/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体光电材料技术领域，尤其涉及一种半导体光电材料生产用打磨设备，解决了现有技术中在进行半导体光电材料朝外侧的面的打磨时，不能进行半导体光电材料四周侧壁的打磨，造成效率低下的问题。一种半导体光电材料生产用打磨设备，包括加工箱，加工箱的左端设有用于放置半导体光电材料的开口，所述加工箱内设有用于固定半导体光电材料的安装框，所述加工箱的右端设有用于打磨半导体光电材料的第一打磨机构，所述安装框内设有用于打磨半导体光电材料的第二打磨机构本实用新型能够在打磨光电材料技术朝外侧的面的同时进行四周的侧壁的打磨，同时还能够避免砂轮破坏PIN针。
一种半导体光电材料生产打磨设备

[发明专利]基于ITO‑金属‑半导体结构的近红外光吸收器件-CN201710598738.6在审
发明人：刘正奇;刘桂强;黄镇平;张后交;陈戬 -专利权人：江西师范大学
申请日： 2017-07-21 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：本发明公开了基于ITO‑金属‑半导体结构的近红外光吸收器件，属于光电材料领域。所述吸收器自下而上依次由衬底、金属膜层、半导体结构层和ITO膜层组成，所述半导体结构层由半导体颗粒阵列和半导体膜层组成。通过引入ITO(氧化铟锡)透明材料实现光能量的有效入射和进入半导体材料以及运用ITO材料膜层本身的高电导特性，实现良好电导特性与良好光吸收特性的半导体光电器件。这种基于半导体结构的吸收器具有结构简单、近红外波段吸收和宽波段吸收的特点。此外结构中采用的半导体材料便于拓展此类吸收器在光电检测、光电转换、光生电子和热电子产生与收集以及电磁能量吸收等领域的应用开发。
基于 ito 金属半导体结构红外光吸收器件

[发明专利]一种基于纳米晶体的有机/无机杂化p型半导体薄膜材料-CN201810328542.X在审
发明人：丁毅;刘琳;田瀛;徐玉增;黄茜;侯国付;张晓丹;赵颖 -专利权人：南开大学
申请日： 2018-04-13 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料技术领域，提供了一种基于纳米晶体的有机/无机杂化p型半导体薄膜材料的设计及实现方法。该发明可以在保持有机半导体材料溶液法制备，柔性可折叠等诸多优势的前提下，通过在有机半导体材料中引入无机纳米晶体，在特定波长范围光照下，可以增加有机半导体材料中的空穴浓度、大幅提高其电导率。本发明可以分别通过改变有机半导体材料和无机纳米晶体质量比例，或者改变照射光子的能量及通量，来实现对有机/无机杂化p型半导体薄膜材料电学特性的调制。
有机半导体材料无机杂化无机纳米晶体纳米晶体半导体材料空穴电导率溶液法制备电学特性可折叠波长光子通量调制光照照射引入

[发明专利]一种基于纳米晶体的有机/无机杂化n型半导体薄膜材料-CN201810268314.8在审
发明人：丁毅;侯国付;黄茜;张晓丹;赵颖 -专利权人：南开大学
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料技术领域，提供了一种基于纳米晶体的有机/无机杂化n型半导体薄膜材料的设计及实现方法。该发明可以在保持有机半导体材料溶液法制备，柔性可折叠等诸多优势的前提下，通过在有机半导体材料中引入无机纳米晶体，在特定波长范围光照下，可以增加有机半导体材料中的电子浓度、大幅提高其电导率。本发明可以分别通过改变有机半导体材料和无机纳米晶体质量比例，或者改变照射光子的能量及通量，来实现对有机/无机杂化n型半导体薄膜材料电学特性的调制。
有机半导体材料无机杂化无机纳米晶体纳米晶体半导体材料电导率溶液法制备电学特性可折叠波长光子通量调制光照照射引入

[发明专利]一种碳化硅半导体材料及其制备工艺-CN202310289997.6在审
发明人：沈文舒;李庆喜;武刚;吕岩松 -专利权人：长春工程学院
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅半导体材料及其制备工艺，属于碳化硅半导体技术领域，该碳化硅半导体材料以重量计包括碳化硅微粉、石英砂、煤焦、木屑和钛；本发明中，该碳化硅半导体材料含有太空金属钛，使钛和碳化硅充分耦合，即能保证碳化硅半导体材料的轻量化，且保证碳化硅半导体材料的结构强度，避免使用时碳化硅半导体材料出现碰撞损坏的现象，提高碳化硅半导体材料的使用寿命；该碳化硅半导体材料的制备工艺中，涂层为富硅抗反射涂层，193nm波长下n=1.63～1.65，k=0.15～0.22，满足光刻工艺要求，硅含量大于40wt%，涂层耐PGMEA、PGME溶剂，使制得的碳化硅半导体材料的耐腐蚀性能、绝缘性能、电学性能满足使用需求。
一种碳化硅半导体材料及其制备工艺

[发明专利]半导体合金鳍片场效应晶体管及其形成方法-CN201310447383.2有效
发明人： K.程;T.N.亚当;A.卡基菲鲁兹;A.瑞兹尼塞克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2013-09-27 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：通过凹陷包括第一半导体材料的半导体材料层以形成沟槽，并且在沟槽内外延沉积第一半导体材料和第二半导体材料的半导体合金材料可以形成半导体合金鳍片结构。半导体合金材料与半导体材料层中的第一半导体材料外延对齐。包括第一半导体材料的第一半导体鳍片和包括半导体合金材料的第二半导体鳍片可以同时形成。在一个实施例中，第一半导体鳍片和第二半导体鳍片可以形成在绝缘层上，防止第二半导体材料向第一半导体鳍片扩散。在另一个实施例中，采用浅沟槽隔离结构和反向偏置阱可以在相邻的半导体鳍片之间提供电隔离。
半导体合金场效应晶体管及其形成方法

[发明专利]一种有机包覆型的复合半导体材料及其制备方法和应用-CN202211426162.2在审
发明人：江凯斌;郭国聪;王明盛;徐忠宁 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： B01J31/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种有机包覆型的复合半导体材料及其制备方法和应用，属于半导体材料领域。一种有机包覆型的复合半导体材料，所述复合半导体材料包括有机小分子、半导体；所述有机小分子包覆在所述半导体的表面。与初始半导体相比，该包覆型半导体将有机小分子引入到初始半导体表面。通过电荷转移相互作用拓宽半导体光响应范围、提高电荷分离效率；该包覆型半导体材料兼具宽光响应范围、高电荷分离的性能：双端苯基紫精包裹的ZnS，在300W的AM1.5太阳光模拟氙灯辐照下产氢效率在48小时内基本维持不变
一种有机包覆型复合半导体材料及其制备方法应用

[发明专利]一种半导体光电材料生产用打磨设备-CN202011412231.5在审
发明人：孟令胜 -专利权人：孟令胜
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： B24B9/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体光电材料生产用打磨设备，属于半导体打磨技术领域，其技术方案要点包括工作台，所述工作台的顶部转动连接有转动杆，所述转动杆的顶部固定连接有框架，本发明通过设置第一夹持组件，可对半导体材料进行有效固定，避免其打磨时发生移动，确保打磨后半导体的品质，避免因移动导致半导体材料损坏二造成材料不必要的浪费，通过设置第二夹持组件，可对半导体材料进行夹持，在对半导体材料侧边进行打磨时更加方便，且第二伺服电机的带动下，半导体材料可实现自动旋转，可对不同的边角进行打磨，不用拆卸以后再夹持，节省打磨的时间，提高打磨的效率，调节板可对半导体材料的底部进行水平调节，使得打磨效果更好。
一种半导体光电材料生产打磨设备

[发明专利]半导体层的制备方法及装置、显示基板制备方法-CN201910040894.X有效
发明人：胡迎宾;闫梁臣;赵策;丁远奎;宋威;刘军;苏同上 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体层的制备方法及装置、显示基板制备方法，属于显示技术领域，其可至少部分解决现有的基板中的形成有源层的半导体层导电性不均匀而造成的不同薄膜晶体管的阈值电压不同的问题。本发明的一种半导体层的制备方法，包括：在衬底上形成半导体材料层；在半导体材料层的至少部分位置形成保护层，其中，对应半导体材料层的导电性不同的位置，保护层的情况不同；对覆盖有保护层的半导体材料层进行改性处理以形成半导体层，保护层能够阻止改性处理对其所在位置处的半导体材料层的影响，改性处理能够改变半导体材料层的导电性。
半导体制备方法装置显示

[实用新型]吸附组件及用于半导体热压接合的装置-CN202121995770.6有效
发明人：施海洋;吴品忠;朱俊 -专利权人：通富微电子股份有限公司
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本申请涉及半导体封装技术领域，公开了一种吸附组件及用于半导体热压接合的装置，吸附组件包括：吸附件，包括用于吸附半导体件的第一表面，所述第一表面与所吸附半导体件的封装材料的亲疏性为相疏。本申请通过第一表面与封装材料的亲疏性为相疏，第一表面与熔融态的封装材料不能相互粘接，避免封装材料污染吸附件；第一表面在半导体件上的正投影能够覆盖半导体件，使得第一表面阻挡了流动的封装材料进入第一表面与半导体件之间，避免了封装材料污染半导体件朝向吸附组件的表面。
吸附组件用于半导体热压接合装置

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201710658939.0有效
发明人：高志明;吴荣根;张翰文;陈俊旭;何游俊 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2017-08-04 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体结构及其制造方法，其中半导体结构的制造方法包含提供半导体基底，在半导体基底中形成沟槽，以第一半导体材料填满沟槽，第一半导体材料不具有掺杂物，在第一半导体材料上形成第二半导体材料，第二半导体材料中含有掺杂物，以及实施热处理，使得第二半导体材料中的掺杂物扩散至第一半导体材料中，以形成掺杂的第三半导体材料于该沟槽内。通过本发明的半导体结构制造方法所形成的半导体结构，孔隙或管道不会形成于沟槽内的半导体材料中，并且在热处理之后形成掺杂的半导体材料于沟槽内，藉此避免在后续工艺中所使用的材料流入沟槽内的掺杂的半导体材料的孔隙或管道中所引起的问题，因此提升了半导体装置的可靠度。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]用于形成半导体器件的方法以及半导体器件-CN201710469822.8有效
发明人：奥利弗·黑尔蒙德;彼得·伊尔西格勒;塞巴斯蒂安·施密特;汉斯-约阿希姆·舒尔策;马丁纳·赛德尔-施密特 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种形成半导体器件的方法包括：在半导体衬底的第一侧处形成多个非半导体材料部分；以及在多个非半导体材料部分上形成半导体材料以将多个非半导体材料部分埋置在半导体材料内。此外，该方法包括从半导体衬底的第二侧去除半导体衬底的至少一部分，以在半导体器件的背侧处露出多个非半导体材料部分。此外，该方法包括通过如下方式来在半导体器件的背侧处形成粗糙表面：去除多个非半导体材料部分中的至少子集，而保留半导体材料的侧向地位于多个非半导体材料之间的至少一部分；或者去除半导体材料的侧向地位于多个非半导体材料之间的至少一部分，而保留多个非半导体材料部分。
用于形成半导体器件方法以及