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[发明专利]功率半导体器件热流特性的频域建模方法及应用-CN202210086682.7在审
发明人：马柯;徐梦琦;蔡旭 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率半导体器件热流特性的频域建模方法及应用，基于功率半导体器件流出热流在频域下所呈现的幅频特性，建立包含3个特征频率的多阶低通滤波器模型，并利用该低通滤波器模型，构建功率半导体器件输出热流频域模型，实现对功率半导体器件热流特性的仿真和应用。其中，所述低通滤波器的幅频特性应尽可能与器件流出热流的幅频特性保持一致，且该低通滤波器的特征频率为3个。通滤波器的总阶数与功率半导体器件内部材料层数一致。同时提供了一种相应的终端及介质。本发明可以准确地对功率半导体器件热流特性进行刻画，提高功率半导体器件工况下热特性及老化状态的预测精度。
功率半导体器件热流特性建模方法应用

[发明专利]功率型半导体器件封装方法及封装结构-CN201710674607.1有效
发明人：林仲康;李现兵;石浩;韩荣刚;张朋;武伟;张喆;田丽纷 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司
申请日： 2017-08-08 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率型半导体器件封装方法及封装结构，功率型半导体器件包括分别位于两面至少两个端子，其中方法包括：将第一电极放入基板的定位孔内，将至少一个功率型半导体器件的一个端子固定连接在第二电极上，在功率型半导体器件的第一端子分别与所述第一电极电接触后对第二电极与基板进行压接通过定位孔对第二电极限位，通过第一电极对功率型半导体器件限位，基板与第一电极压接可以实现全部限位，由此，可以省略功率型半导体器件及其电极的定位件，不仅封装方法简易，封装过程中电极与器件的定位准确，而且，可以较为有效的减少绝缘的定位件带来的气隙放电，使功率型半导体器件封装结构更加可靠。
功率半导体器件封装方法结构

[发明专利]功率半导体器件的分类系统和分类方法-CN201710564148.1有效
发明人：陈嵩;李俊 -专利权人：富士电机（中国）有限公司
申请日： 2017-07-12 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： B07C5/344 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件领域，特别涉及一种功率半导体器件的分类系统和分类方法。分类系统包括：分配模块，用于将功率半导体器件的性能参数分为N个区间，N为大于1的自然数；读取模块，用于读取功率半导体器件所附带的标签上记录的性能参数；读取模块和分配模块通信连接，分配模块在收到读取模块所给出的性能参数后，将功率半导体器件与该性能参数所属的区间相互关联。本发明的分类方法包括如下步骤：将功率半导体器件的性能参数分为N个区间，N为大于1的自然数；根据在功率半导体器件所附带的标签上记录的性能参数，将功率半导体器件与该性能参数所属的区间相互关联。
功率半导体器件分类系统方法

[发明专利]半导体模块-CN03107319.0有效
发明人：宫本升 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2003-03-20 - 公布日： 2004-01-14 - 主分类号： H02M7/48 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一种在内部具备开关半导体器件的半导体模块中使外部系统能够识别该开关半导体器件的功率损耗的技术。在半导体模块10的内部所具备的开关半导体器件11中，设置多个开关半导体元件。损耗运算部12以在电压测量部13测得的各开关半导体元件的电压和在电流测量部14测得的各开关半导体元件的电流为基础，求出在开关半导体器件11中产生的功率损耗。损耗运算部12将求得的表示功率损耗的损耗数据作为数据信号输出到半导体模块10的外部的电动机控制部82。电动机控制部82能够从损耗数据识别在开关半导体器件11中产生的功率损耗。
半导体模块

[发明专利]用于半导体器件的功率金属化结构-CN201910693203.6在审
发明人： R.K.约希;R.佩尔策;A.比尔克;M.内尔希贝尔;S.施密德鲍尔 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：公开了用于半导体器件的功率金属化结构。半导体器件包括半导体衬底、形成在半导体衬底上面的功率金属化结构、以及形成在功率金属化结构和半导体衬底之间的阻挡层。阻挡层被配置为防止金属原子在朝向半导体衬底的方向上从功率金属化结构扩散。功率金属化结构在第一区中与阻挡层或者形成在阻挡层上的导电层直接接触。半导体器件进一步包括在第二区中被插入在阻挡层和功率金属化结构之间的钝化层。还描述了制造半导体器件的对应方法。
功率金属阻挡层半导体器件衬底半导体结构扩散金属原子导电层第一区钝化层配置制造

[实用新型]功率半导体器件用老化板装置-CN202220221626.5有效
发明人：姚启明;孙元鹏;张文亮 -专利权人：山东阅芯电子科技有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种功率半导体器件用老化板装置。其包括老化板体以及若干设置于老化板体上的测试工位区；还包括器件测试支撑连接体，待测功率半导体器件置于器件测试支撑连接体上时，待测功率半导体器件的器件引出端子插入器件测试支撑连接体上相应的器件端子定位连接孔内，以使得一器件引出端子与位于所插入器件端子定位连接孔内的测试工位测试连接体适配电连接，器件测试支撑连接体与置于所述器件测试支撑连接体上的待测功率半导体器件相互绝缘；在待测功率半导体器件上设置测试散热器。本实用新型能提高待测试功率半导体器件与老化板连接的便捷性与可靠性，提高测试的效率。
功率半导体器件老化装置

[发明专利]半导体功率器件-CN201810506071.7在审
发明人：刘伟;刘磊;袁愿林;毛振东 -专利权人：苏州东微半导体有限公司
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种半导体功率器件，包括MOSFET功率器件芯片和IGBT功率器件芯片；所述MOSFET功率器件芯片和所述IGBT功率器件芯片封装在同一个封装体内，其中：所述MOSFET功率器件芯片的源极与所述IGBT功率器件芯片的发射极均接所述封装体的源极引脚；所述MOSFET功率器件芯片的漏极与所述IGBT功率器件芯片的集电极均接所述封装体的漏极引脚；所述MOSFET功率器件芯片的栅极与所述IGBT功率器件芯片的栅极均接所述封装体的栅极引脚。本发明提供的半导体功率器件能够降低半导体功率器件的通态损耗，提高系统效率。
功率器件芯片半导体功率器件封装体芯片漏极通态损耗系统效率芯片封装源极引脚栅极引脚发射极集电极引脚源极封装体内

[发明专利]一种半导体功率器件及其制备方法-CN202211095497.0在审
发明人：杜泽晨;杨霏;张文婷;刘瑞;安运来;牛喜平;桑玲;吴裔;田英杰 -专利权人：北京智慧能源研究院;国网上海市电力公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体功率器件及其制备方法，其中，半导体功率器件包括：半导体衬底层；第一漂移层，位于半导体衬底层上；第二漂移层，位于第一漂移层背离半导体衬底层的一侧表面，第二漂移层的导电类型和第一漂移层的导电类型相同本发明的半导体功率器件能够改善大功率半导体功率器件的导通性能。
一种半导体功率器件及其制备方法

[发明专利]一种半导体功率器件-CN201711481071.8在审
发明人：王睿;毛振东;袁愿林;刘伟 -专利权人：苏州东微半导体有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种半导体功率器件，包括半导体衬底；在所述半导体衬底上形成的MOSFET区，所述MOSFET区包括至少一个MOSFET单元；位于所述半导体衬底中的至少一个集电极区，所述集电极区从所述半导体衬底的顶部引出接集电极；所述集电极区与所述MOSFET单元形成绝缘栅场效应晶体管结构。本发明的一种半导体功率器件能够实现电子和空穴双载流子导电，提高半导体功率器件的输出电流密度。
半导体功率器件衬底半导体集电极区载流子绝缘栅场效应晶体管空穴集电极导电输出

[发明专利]半导体功率器件-CN201711489809.5有效
发明人：袁愿林;毛振东;刘伟;王睿 -专利权人：苏州东微半导体有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种半导体功率器件，包括半导体衬底；在所述半导体衬底上形成的至少一个MOSFET单元，所述MOSFET单元包括位于所述半导体衬底底部的第一导电类型的漏区；位于所述半导体衬底中且位于所述漏区之上的至少一个第二导电类型的集电极区本发明的一种半导体功率器件能够实现电子和空穴双载流子导电，提高半导体功率器件的输出电流密度。
半导体功率器件

[发明专利]用于确定半导体器件的热阻抗的方法-CN201410480442.0在审
发明人： O.D.科勒;J.霍姆特;M.里希特 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2014-09-19 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于确定半导体器件的热阻抗的方法，其中给所述半导体器件通加热电流（101、201），确定所述半导体器件上的损耗功率，检测所述半导体器件上的依赖于半导体器件的温度的电压降（103、205），由所检测的电压降将半导体器件关于时间的温度作为加热曲线来确定（104、207）并且将所述半导体器件的热阻抗作为所确定的温度和所确定的损耗功率的商来确定（106、208）。
用于确定半导体器件阻抗方法

[发明专利]一种终端钝化方法及半导体功率器件-CN201610843019.1在审
发明人：吴迪;刘钺杨;何延强;徐哲;金锐;温家良;潘艳 -专利权人：全球能源互联网研究院;国家电网公司
申请日： 2016-09-22 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种终端钝化方法及半导体功率器件，所述方法包括在半导体功率器件上顺次淀积半绝缘多晶硅薄膜、氮化层、二氧化硅层和钝化层，形成多层复合钝化层；半导体功率器件采用上述方法制造。与现有技术相比，本发明提供的一种终端钝化方法及半导体功率器件，在半绝缘多晶硅薄膜上淀积氮化层，可以阻挡水汽和钠离子，从而提高半导体功率器件的可靠性。
一种终端钝化方法半导体功率器件

[发明专利]一种功率半导体元件的驱动保护电路及其控制方法-CN201810827107.1在审
发明人：曾嵘;陈政宇;赵彪;余占清;刘佳鹏;周文鹏 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率半导体元件的驱动保护电路及其控制方法，功率半导体元件的驱动保护电路包括驱动单元和启停单元，所述驱动单元与所述启停单元均连接在功率半导体元件的门极与阴极之间；其中，所述启停单元包括启停模块，所述启停模块连接在功率半导体元件的门极与阴极之间，并且在功率半导体元件驱动保护电路上电和/或下电的过程，启停模块能够维持闭合以保护功率半导体元件。该驱动保护电路复杂度低，控制方法简单易实现，保证了在功率半导体元件型器件驱动电路上电或下电过程中，功率半导体元件型器件门阴极间不会因功率半导体元件型器件阳阴极间耐受电压过高及电压变化率过大而导致器件损坏
功率半导体元件驱动保护电路启停阴极驱动单元门极上电器件驱动电路电压变化率模块连接耐受电压器件损坏下电过程闭合复杂度下电保证

[实用新型]一种功率半导体元件的驱动保护电路-CN201821191039.6有效
发明人：曾嵘;陈政宇;赵彪;余占清;刘佳鹏;周文鹏 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种功率半导体元件的驱动保护电路，功率半导体元件的驱动保护电路包括驱动单元和启停单元，所述驱动单元与所述启停单元均连接在功率半导体元件的门极与阴极之间；其中，所述启停单元包括启停模块，所述启停模块连接在功率半导体元件的门极与阴极之间，并且在功率半导体元件驱动保护电路上电和/或下电的过程，启停模块能够维持闭合以保护功率半导体元件。该驱动保护电路复杂度低，控制方法简单易实现，保证了在功率半导体元件型器件驱动电路上电或下电过程中，功率半导体元件型器件门阴极间不会因功率半导体元件型器件阳阴极间耐受电压过高及电压变化率过大而导致器件损坏
功率半导体元件驱动保护电路启停阴极驱动单元门极上电器件驱动电路本实用新型电压变化率模块连接耐受电压器件损坏下电过程闭合复杂度下电保证

[发明专利]功率半导体模块以及用于冷却功率半导体模块的方法-CN201510493393.9在审
发明人：丹尼尔·卡尼;弗朗切斯科·阿戈斯蒂尼;迪迪埃·科泰;达尼埃莱·托雷辛;马蒂厄·哈贝特 -专利权人： ABB技术有限公司
申请日： 2015-08-12 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本公开内容涉及一种包括印刷电路板(PCB)的功率半导体模块，并且涉及冷却这样的功率半导体模块的方法。该模块包括埋置在印刷电路板内的功率半导体器件和热传导泡沫岛。功率半导体器件和热传导泡沫岛被定位成彼此堆叠，并且岛被布置成形成对功率半导体器件进行冷却的流动冷却剂的路径。
功率半导体模块以及用于冷却方法