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[发明专利]一种高效肖特基接触超势垒整流器-CN202310821634.2在审
发明人： 徐向涛;张澳航;张成方;陈文锁;王航;张力 -专利权人：重庆平伟实业股份有限公司;重庆大学
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本申请提供一种高效肖特基接触超势垒整流器包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型漂移区，其设置于所述第一导电类型衬底层的一侧；第二导电类型柱状区，其与第一导电类型漂移区并排设置于基底背离所述阴极结构的一侧，其中第一导电类型漂移区与第二导电类型柱状区之间设置有隔离层；第二导电类型体区，其设置于第二导电类型柱状区背离第一导电类型衬底层的一侧，第二导电类型体区完全覆盖第二导电类型柱状区并部分延伸至第一导电类型漂移区；阳极结构，分别接触第二导电类型体区和第一导电类型漂移区；其中，在反向工作状态时，通过第二导电类型柱状区调节整流器内部的电场分布，使得器件的反向击穿电压升高。
一种高效肖特基接触超势垒整流器

[发明专利]一种混合导通机制二极管-CN202310826403.0在审
发明人： 徐向涛;张澳航;张成方;陈文锁;王航;张力 -专利权人：重庆平伟实业股份有限公司;重庆大学
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本申请提供一种混合导通机制二极管，包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型漂移区，其设置于所述第一导电类型衬底层的一侧；第二导电类型体区，其设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧；锗硅区，其设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧，其中所述第二导电类型体区和所述锗硅区通过所述第一导电类型漂移区分隔开；阳极结构，分别接触所述第二导电类型体区、所述第一导电类型漂移区和所述锗硅区；其中，在正向导通时，所述锗硅区与所述阳极结构的接触处形成空穴导通通道。本申请可通过混合导通机制提高器件大电流导通性能以及抗单粒子辐照性能。
一种混合机制二极管

[发明专利]为特定车辆进行路径规划的方法及装置-CN201910005395.7有效
发明人：江锋;王俊其;徐向涛;金慧修;陈健;陈周笑 -专利权人：阿里巴巴集团控股有限公司
申请日： 2019-01-03 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G01C21/34 文献下载
摘要：本说明书实施例提供一种计算机执行的、为特定车辆进行路径规划的方法，所述方法包括：首先，获取多个备选站点，以及特定车辆所归属的服务站点；接着，基于多个备选站点和服务站点，确定多条备选线路，其中各条备选线路中包括多个备选站点中的至少一部分备选站点，其中各条备选线路的终点站均为所述服务站点；然后，基于所述至少一部分备选站点，以及预先确定的备选站点与服务站点的客户数量的映射关系,确定各条备选线路所对应的总客户数量；再接着，基于所述总客户数量，从所述多条备选线路中确定最优线路。
特定车辆进行路径规划方法装置

[发明专利]贴片式光伏旁路模块及其封装工艺-CN202110250762.7有效
发明人：夏大权;马红强;徐向涛;周玉凤;王兴龙;李述洲 -专利权人：重庆平伟实业股份有限公司
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明提供了一种贴片式光伏旁路模块及其封装工艺，在本发明提供的贴片式光伏旁路模块中，相较于传统的铝丝、金丝等丝线的电气连接，基于较宽的导电条带的电气连接，降低了MOSFET芯片的漏源导通电阻，减少了导通损耗，并提高了MOSFET芯片的抗浪涌电流冲击能力，同时还降低了整个光伏旁路模块的热阻，提高了其导热能力；对应的引线框架为薄片状结构设计，适合目前小型化、扁平化的封装；基于引线框架的结构设计和塑封工艺，封装后的贴片式光伏旁路模块的背部散热面积大，主要的冷却路径是通过MOSFET裸露的金属焊盘到第一框架，提高了封装后的散热能力；且选用的塑封料为低应力、低翘曲、低吸水率的环保型塑封料，完全满足光伏旁路模块的高可靠性要求。
贴片式光伏旁路模块及其封装工艺

[实用新型]半导体器件的跳线连接框架以及封装结构-CN202222292524.5有效
发明人：夏大权;闫瑞东;郭磊;马鹏;周玉凤;徐向涛;马红强;李述洲 -专利权人：重庆平伟实业股份有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体器件的跳线连接框架以及封装结构，包括框架本体和跳线单元，所述跳线单元在朝向所述框架本体的一侧设置有凸台，所述跳线单元在背离所述框架本体的一侧设置有散热平面。本实用新型解决现有了技术中半导体器件在封装键合时采用引线键合散热性能差、导通电阻高、散热效果差和封装体积控制困难的问题，通过双面散热结构增大散热面积，通过框架与跳线单元的贴装焊接在缩减封装体积的同时有效降低导通损耗，使得电流承载能力得到巨大提高，有效增强散热效果。
半导体器件跳线连接框架以及封装结构

[实用新型]一种内嵌光伏旁路开关-CN202122837477.3有效
发明人：张真荣;王露;杨若飞;马红强;夏大权;徐向涛 -专利权人：重庆西南集成电路设计有限责任公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H02S40/34 文献下载
摘要：本实用新型提出一种内嵌光伏旁路开关，包括：旁路开关电路、封装体、正电极和负电极；所述旁路开关电路置于所述封装体内，所述正电极和所述负电极分别与所述旁路开关的正端和负端电性连接，且所述正电极和所述负电极分别从所述封装体的不同侧端向外延伸；本实用新型结构简单，可满足嵌入光伏电池组件的尺寸需求。
一种内嵌光伏旁路开关

[发明专利]一种浮空缓冲层沟槽集电极逆导型绝缘栅双极型晶体管-CN202210315138.5在审
发明人：陈文锁;简鹏;张澳航;王玉莹;徐向涛;李剑;廖瑞金 -专利权人：重庆大学;重庆平伟伏特集成电路封测应用产业研究院有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种浮空缓冲层沟槽集电极逆导型绝缘栅双极型晶体管，包括集电极接触层(1)、重掺杂第二导电类型集电极区(10)、重掺杂第一导电类型集电极区(11)、集电极沟槽重掺杂第二导电类型栅极区(12)、第一导电类型浮空缓冲层(21)、轻掺杂第一导电类型漂移层(22)、第二导电类型基区(30)、重掺杂第二导电类型发射区(31)、重掺杂第一导电类型发射区(32)、重掺杂第一导电类型栅极区(33)、集电极沟槽绝缘介质层(35)、发射极接触层(2)、栅极接触层(3)；本发明器件结构击穿电压得到提高、实现工艺得到简化、关断损耗进一步降低。
一种缓冲沟槽集电极逆导型绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]一种逆导型绝缘栅双极型晶体管-CN202210315111.6在审
发明人：陈文锁;简鹏;张澳航;王玉莹;徐向涛;李剑;廖瑞金 -专利权人：重庆大学;重庆平伟伏特集成电路封测应用产业研究院有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种逆导型绝缘栅双极型晶体管，包括集电极接触层(1)、重掺杂第二导电类型集电极区(10)、重掺杂第一导电类型集电极区(11)、轻掺杂第二导电类型集电极区(12)、第一导电类型缓冲层(20)、轻掺杂第一导电类型漂移层(21)、第二导电类型基区(30)、重掺杂第二导电类型发射区(31)、重掺杂第一导电类型发射区(32)、重掺杂第一导电类型栅极区(33)、栅极绝缘介质层(40)、发射极接触层(2)、栅极接触层(3)；本发明采用较小的背面元胞尺寸抑制RC‑IGBT在正向导通时的折回(snap‑back)现象，提高可靠性并降低功率损耗，提升RC‑IGBT器件整体性能。
一种逆导型绝缘栅双极型晶体管

[实用新型]一种用于固定汽车用塑壳的防水固定卡钉-CN202122501170.6有效
发明人：宋道仁;邓琛;徐向涛 -专利权人：立讯电气（上海）有限公司
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： F16B13/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于固定汽车用塑壳的防水固定卡钉，包括连接板和固定板，所述连接板上端等距离固定连接有若干个支撑板，且若干个支撑板上端共同固定连接有限位圈，所述连接板上端中部固定连接有定位块，所述定位块上端中部开有定位槽，所述连接板下端中部固定连接有第一安装装置，所述固定板下端中部固定连接有卡接装置，所述卡接装置内固定穿插连接有支撑杆，所述固定板上端中部固定连接有第二安装装置。本实用新型所述的一种用于固定汽车用塑壳的防水固定卡钉，整个装置便于安装，且安装的稳定性高，不易松动，并通过设置的卡接装置，使其与限位圈配合，提高了装置卡接的效果，从而提高了汽车固定的稳定性。
一种用于固定汽车用塑壳防水

[实用新型]一种汽车线束支架结构-CN202122970319.5有效
发明人：徐长皓;孙余;徐向涛 -专利权人：立讯电气（上海）有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H02G3/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种汽车线束支架结构，包括底座，所述底座的上端中部开有固定槽，所述固定槽的前槽壁下部和后槽壁下部均开有滑槽，两条所述滑槽之间共同滑动连接有两个理线装置，两个所述理线装置的上端均通过螺栓固定连接有固定装置，所述底座的后端上部通过合页活动连接有橡胶盖，所述橡胶盖的后端左部和后端右部均固定连接有锁块，所述底座的前端上部固定连接有两个锁扣，所述底座的前端下部和后端下部均固定连接有两个安装板。本实用新型所述的一种汽车线束支架结构，通过设置理线装置，可对线束进行整理，便于线束的后续检修，通过设置固定装置和压紧装置，对线束起到固定作用，提高了装置的实用性。
一种汽车支架结构

[实用新型]光伏旁路模块及光伏电池-CN202123040846.2有效
发明人：张真荣;王露;杨若飞;马红强;夏大权;徐向涛 -专利权人：重庆西南集成电路设计有限责任公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H02S40/34 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种光伏旁路模块及光伏电池，在光伏旁路模块中，正电极或者负电极的另一端设置有压紧接头，对应的正负电极可通过压紧接头与线缆铆接，而后通过线缆再连接到电池片上，不需要通过贴片回流焊工艺与电池片电连接，从而有效消除了回流焊工艺温度高、对器件热应力大的缺点，并节省了加工时间、设备费、场地费等。
旁路模块电池

[实用新型]半导体器件的跳线连接结构-CN202122900656.7有效
发明人：夏大权;马鹏;周玉凤;闫瑞东;徐向涛;马红强;王兴龙;张成方;李述洲 -专利权人：重庆平伟伏特集成电路封测应用产业研究院有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体器件的跳线连接结构，包括框架本体和跳线单元，所述跳线单元设置为多个，且阵列排布于所述框架本体上，所述跳线单元上沿竖直方向平行设置有用于焊接的第一凸台和第二凸台。本实用新型可在半导体器件封装时实现双面散热，增大散热面积，增强散热效果，还可以降低导通损耗，使得电流能力得到巨大提高。
半导体器件跳线连接结构

[实用新型]光伏旁路模块引线框架及光伏旁路模块-CN202122630278.5有效
发明人：夏大权;马鹏;闫瑞东;余镇;周玉凤;徐向涛;马红强;王兴龙;李述洲 -专利权人：重庆平伟伏特集成电路封测应用产业研究院有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，特别是涉及一种光伏旁路模块引线框架及光伏旁路模块，光伏旁路模块引线框架包括框架本体，所述框架本体上并列设置有多个框架单元，所述框架单元包括引脚组件和基岛，所述引脚组件包括阴极引脚和阳极引脚，所述基岛设置在阳极引脚上，所述阴极引脚和阳极引脚均呈T型，所述阴极引脚和阳极引脚上均开设有沟槽。在本方案中阴极引脚和阳极引脚的形状均为T型，有利于引线框架在使用时固定位置，方便引线框架的使用，提高封装时的工作效率；阴极引脚和阳极引脚上均开设有沟槽，有利于引线框架在使用时进行引脚整形，方便引线框架的使用。
旁路模块引线框架

[实用新型]半导体器件引线框架及半导体器件-CN202122466334.6有效
发明人：夏大权;马鹏;余镇;周玉凤;徐向涛;马红强;王兴龙;李述洲 -专利权人：重庆平伟伏特集成电路封测应用产业研究院有限公司
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体器件引线框架及半导体器件，半导体器件引线框架包括：框架本体以及沿其长度方向排布于框架本体上的多个框架单元，各个框架单元呈单排排列，框架单元包括基岛及连接于基岛底端的管脚组件，管脚组件包括并排布置的多个管脚，基岛与管脚之间设置有电连接的管脚部，基岛上表面设置有基岛网格，管脚部背面设置有管脚网格。本实用新型通过单排式排列的多个框架单元，每个框架单元对应一个模块的封装，能够同时实现多个模块封装，可有效提高生产效率、原材料的利用率和降低生产成本；并且，半导体器件引线框架具有较佳的抗冲击能力以及优越的性能，能够提高封装器件的散热效果。
半导体器件引线框架

[发明专利]光伏旁路模块的封装方法-CN202111275699.9在审
发明人：夏大权;马鹏;闫瑞东;余镇;周玉凤;徐向涛;马红强;王兴龙;李述洲 -专利权人：重庆平伟伏特集成电路封测应用产业研究院有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供一种光伏旁路模块的封装方法，包括如下步骤：提供引线框架、MOS芯片、IC芯片及电容；上芯，将MOS芯片、IC芯片及电容固定在阳极引脚的基岛上；键合，将MOS芯片、IC芯片及电容之间采用铜线或金线键合，将MOS芯片与阴极引脚之间采用铝带键合；清洗；塑封；上锡；切筋、测试印字及包装出货。本发明通过多排式的框架单元可有效提高生产效率，降低生产成本；封装过程中，芯片之间及芯片与电容间采用铜线或金线键合，可以降低导通电阻20％～30％，提高焊点的可靠性；MOS芯片与阴极引脚之间采用铝带进行键合，可以降低导通电阻10％～20％，减少导通损耗，提高抗电流冲击能力；并且用较宽的铝带进行键合，可有效降低热阻20％～30％，提高导热能力。
旁路模块封装方法

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