专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种电路板加工自动化线路刻蚀装置-CN202120016700.5有效
  • 王小伟 - 台山市科伟电子科技有限公司
  • 2021-01-06 - 2021-09-03 - H05K3/06
  • 本实用新型公开了一种电路板加工自动化线路刻蚀装置,包括底座,所述底座的上表面固定连接有多个刻蚀室和清理室并间隔设置,所述刻蚀室和清理室的上表面均开设有第一滑槽,所述刻蚀室和清理室的上表面位于第一滑槽两侧均对称开设有第二滑槽并与第一滑槽相连通本实用新型中,收集漏斗可以将喷洒过程中溅射的刻蚀进行收集,避免了刻蚀的浪费,同时减少了成本,收集漏斗同时可以收集被反应后的刻蚀至收集箱内,可以通过还原反应实现了刻蚀的循环利用,进一步地减少了成本
  • 一种电路板加工自动化线路刻蚀装置
  • [发明专利]一种基于电泳技术的自动化刻蚀机构及其使用方法-CN202111053569.0在审
  • 许红梅;闫艳琴;王迪 - 上海集众慧智能科技有限公司
  • 2021-09-09 - 2021-12-14 - H01L21/67
  • 本发明公开了一种基于电泳技术的自动化刻蚀机构,包括操作面,刻蚀操纵组件,操作面上阵列设置有若干安装槽;每个硅片根据光刻胶图案黏附有刻蚀腔体,每个刻蚀腔体的上方均对应有刻蚀操纵组件;每层刻蚀腔体均由增强纤维构筑而成,增强纤维通过若干支撑纤维固定;每个刻蚀腔体从顶层向下以三个增强纤维为涂布周期布置有亲疏水性不同的增强纤维,涂布周期包括两个超亲水介质层、一个涂布有超疏水介质层;刻蚀操纵组件包括若干等角度布置的喷头和导电纤维;每个喷头能够自动切换到刻蚀操纵组件的中心实现下料;导电纤维沿同心圆轨迹运动。该设备基于电泳操纵滴的技术,通过电场的强弱变化,滴表面的电荷发生迁移,改变液体表面的张力,达到平整面的目的。
  • 一种基于电泳技术自动化刻蚀机构及其使用方法
  • [发明专利]一种用于湿法蚀刻相变材料的碱性蚀刻及其应用-CN202210387167.2有效
  • 童浩;彭忻怡;缪向水 - 华中科技大学
  • 2022-04-13 - 2023-09-05 - C09K13/02
  • 本发明属于微电子工艺领域,具体涉及一种用于湿法蚀刻相变材料的碱性蚀刻及其应用,碱性蚀刻质量百分组成为:10~30%的碱性溶液,0~5%的氧化剂,余量为去离子水;其中碱性溶液为氢氧化钠溶液、氢氧化钾溶液或本发明所提蚀刻能够应对现在干法刻蚀过程中卤素气体对相变材料组分造成改变影响器件性能的问题,同时本配方的刻蚀溶液相较酸性刻蚀溶液所存在的刻蚀速率较快不够稳定且表面较为粗糙的问题,能得到表面粗糙度较低的刻蚀表面将上述碱性蚀刻应用于功能器件单元制备,利用碱性溶液的上述刻蚀效果以及金属上电极耐碱性溶液刻蚀可做硬掩模的性质,避免传统刻蚀工艺中刻蚀气体使材料表面卤化而影响器件性能的问题并降低工艺成本。
  • 一种用于湿法蚀刻相变材料碱性及其应用
  • [发明专利]双面PERC太阳能电池的背面结构刻蚀方法及其刻蚀-CN202010974812.1在审
  • 陈伟;刘尧平;肖川;张小虎;王燕;杜小龙 - 松山湖材料实验室
  • 2020-09-16 - 2022-04-01 - H01L21/306
  • 本发明公开了一种双面PERC太阳能电池的背面结构刻蚀方法及其刻蚀,使晶硅片的背面浸入刻蚀中,在温度8℃~40℃下刻蚀30s~180s,对晶硅片背面的金字塔形貌结构的塔尖进行刻蚀削平形成四棱台形貌结构整个刻蚀方法工艺简单,与目前的刻蚀工艺兼容,能对晶硅片背面的金字塔形貌结构的塔尖进行刻蚀削平形成四棱台形貌结构,该四棱台形貌结构的顶面为平面,易于后续钝化膜的沉积,反射率可控,同时兼顾电池的光学和电学性能,得到的双面太阳能电池背面效率高,双面率高;同时所采用的刻蚀不含氮,有效避免了现有技术酸刻蚀中的硝酸排放,废液处理成本低,对环保压力小,而且原料化学药液成本低,易于获得。
  • 双面perc太阳能电池背面结构刻蚀方法及其
  • [发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、显示装置-CN201911217754.1在审
  • 李金明 - TCL华星光电技术有限公司
  • 2019-12-03 - 2020-04-28 - H01L29/786
  • 本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、显示装置,所述薄膜晶体管包括基板、第一金属层、栅极绝缘层、半导体层、刻蚀阻挡层以及第二金属层,所述刻蚀阻挡层中至少包含氧化钛和第二金属层的金属,利用所述刻蚀阻挡层中的氧化钛隔绝刻蚀,防止刻蚀对半导体层中的半导体造成损伤,从而保证薄膜晶体管的正常功能;所述制备方法利用含有金属钛的材料形成刻蚀阻挡层,并利用金属钛易氧化形成氧化钛的特性,使刻蚀阻挡层具有很好的隔绝刻蚀的能力,保护半导体层免受损伤
  • 薄膜晶体管及其制备方法显示装置
  • [发明专利]一种CVD生长的石墨烯的转移装置和方法-CN201410560750.4在审
  • 贾宝平;王小周;丁建宁 - 江南石墨烯研究院;常州大学
  • 2014-10-21 - 2015-02-25 - C01B31/04
  • 生长的石墨烯的快速转移装置和方法,具体步骤如下:1)去除化学气相沉积法在相应衬底上背面生长的石墨烯;2)将目标衬底与步骤1)中得到的单面石墨烯/生长衬底样品同一端固定在底部镂空的容器壁上,其中目标衬底平行于刻蚀面,生长衬底/单面石墨烯样品以一定角度插入面以下;3)步骤2)中浸在面下的生长衬底部分首先被刻蚀,调节镂空容器中面位置,使石墨烯与目标衬底接触贴合,即先完成转移。4)然后继续调节刻蚀面位置,重复步骤3)中刻蚀,转移操作,使单面石墨烯样品由自由端向固定端逐渐被刻蚀,直至全部刻蚀完成。本发明避免目前石墨烯转移技术使用PMMA等有机物,导致残留有机成分的污染问题,简化了转移工艺,实现了一种新型的连续大面积、高质量石墨烯样品的边刻蚀边转移的工艺。
  • 一种cvd生长石墨转移装置方法
  • [实用新型]一种多层柔性电路板刻蚀组合装置-CN202122105546.1有效
  • 徐剑初;谢晓春 - 温州银河电子有限公司
  • 2021-09-02 - 2022-02-11 - H05K3/06
  • 本实用新型公开了一种多层柔性电路板刻蚀组合装置,包括底板和两个挡板,两个挡板固定安装于底板顶部的两侧,本实用新型涉及电路板加工设备技术领域;该多层柔性电路板刻蚀组合装置,通过在存框的底部两侧设置凸轮,并且两组凸轮相对设置,当两组凸轮在同一个动能电机的作用下同步转动时,使得存框发生倾斜,并且存框多个往复倾斜,从而达到存框内部的刻蚀浓度保持一致,存框在倾斜时,内部的刻蚀也会缓慢的移动到另一侧,并不会对固定的多层柔性电路板产生影响,有效的减少了在刻蚀融合时,对多层柔性电路板的破坏,减少了刻蚀融合的时间,进而提高了层柔性电路板刻蚀装置的工作效率。
  • 一种多层柔性电路板刻蚀组合装置
  • [发明专利]刻蚀含铋氧化物膜的方法-CN00811478.1有效
  • F·欣特梅尔 - 因芬尼昂技术股份公司
  • 2000-08-09 - 2003-02-26 - H01L21/311
  • 本发明提供一种刻蚀氧化物膜的方法,其中氧化物膜至少包括一种含铋氧化物,尤其包括一种铁电含铋混合氧化物,这种方法含有下列步骤a)制备衬底,在其上涂敷至少一层至少包括一种含铋氧化物的氧化物膜,b)使刻蚀与此衬底接触,使得刻蚀可以与氧化物膜发生反应,其中刻蚀包括2-20重量百分比的氟离子给体,15-60重量百分比的硝酸和20-83重量百分比的水,以及c)从衬底上去掉刻蚀。此刻蚀也应用在含铋氧化物膜的结构化方法中。
  • 刻蚀氧化物方法

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