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[实用新型]单晶硅太阳能电池片湿法刻蚀装置-CN201120025086.5有效
发明人：程鹏飞;龚双龙;全余生 -专利权人：东方电气集团(宜兴)迈吉太阳能科技有限公司
申请日： 2011-01-25 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： C23F1/08 文献下载
摘要：一种单晶硅太阳能电池片湿法刻蚀装置，它包括刻蚀槽（1）和多个滚轮（3），刻蚀槽（1）内装有刻蚀液（2），多个滚轮（3）均安装在刻蚀槽（1）内，浸没在刻蚀液（2）中。本实用新型使用时，不需要在刻蚀前对电池片正面进行掩膜保护，电池片在腐蚀液中浸入的深度及刻蚀时间可以通过滚轮的转速进行调节，使用该装置生产的单晶硅太阳能电池片的工业化平均转换效率达到18.5%以上。
单晶硅太阳能电池湿法刻蚀装置

[实用新型]一种滴液头及刻蚀装置-CN202122037891.6有效
发明人：刘冲;闫月亮 -专利权人：昆山龙腾光电股份有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种滴液头及刻蚀装置，涉及显示屏制造技术领域。该滴液头包括本体及滴液组件。所述本体设置有容纳腔，所述容纳腔设置有开口，所述开口与所述本体外部连通，所述本体设置有滴液平面；所述滴液组件包括多个滑动设置的滴液管，所述滴液管的一端伸入所述容纳腔，所述滴液管的另一端伸出所述滴液平面。该滴液头能够在刻蚀基板时防止刻蚀液扩散，使刻蚀被限制在合理范围，并且可更精准地调节滴液头与基板的高度，便于控制刻蚀的程度。
一种滴液头刻蚀装置

[发明专利]一种去除硅片玻璃层的方法、太阳能电池片及光伏组件-CN201911134543.1有效
发明人：张玥;金井升;王东;熊世龙 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种去除硅片玻璃层的方法，包括获取与待去除玻璃层的硅片相同的激活硅片，其中，玻璃层为磷硅玻璃或者硼硅玻璃，待去除玻璃层的硅片为去绕镀后硅片；将激活硅片置于HF‑HCl混合刻蚀液中进行刻蚀，并将刻蚀后的激活硅片取出，得到激活刻蚀液；将待去除玻璃层的硅片置于激活刻蚀液中进行刻蚀，得到去除玻璃层的硅片。本申请中先将与待去除玻璃层的硅片相同的激活硅片放入HF‑HCl混合刻蚀液中进行反应，使得到的激活刻蚀液的浓度分布更加均匀，同时激活硅片与HF反应的产物还可作为缓冲剂，使待去除玻璃层的硅片与激活刻蚀液的反应的均匀性
一种去除硅片玻璃方法太阳能电池组件

[实用新型]一种刻蚀槽用匀流板及刻蚀槽-CN201922351736.4有效
发明人：张临安 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种刻蚀槽用匀流板及刻蚀槽，其属于光伏电池加工装置技术领域，该刻蚀槽用匀流板包括板体，所述板体上开设有多个匀流孔，所述匀流孔包括相连通的进液孔和出液孔，所述进液孔的横截面的面积小于所述出液孔的横截面的面积；沿所述出液孔远离所述进液孔的方向，所述出液孔呈横截面面积逐渐增大的喇叭状。本实用新型使得出液孔侧的液压小于进液孔侧的液压，如此设置，能够使得药液以散发式的喷射方式进入到刻蚀槽内，使得药液混合地更加均匀，从而提高刻蚀槽内对硅片刻蚀的均匀性。
一种刻蚀槽用匀流板

[发明专利]玻璃刻蚀液及其制备方法和条纹玻璃及其生产方法-CN202111267082.2在审
发明人：袁涛;罗富华;马兰 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种玻璃刻蚀液，该玻璃刻蚀液玻璃蚀刻液包括以下质量百分含量的各组分：氟化氢铵：20％～30％；金属氟化物：2％‑5％；磷酸氢盐：2％～5％；硝酸：15％～30％；硫酸：12％～25％；有机酸该玻璃刻蚀液组分均一，具有良好的稳定性，将其应用于玻璃刻蚀工艺时，通过简单的步骤即可在玻璃表面形成刻蚀条纹，从而使玻璃具有均匀、全面和美观的条纹外观效果。本申请还提供了上述玻璃刻蚀液的制备方法和一种条纹玻璃及其生产方法。
玻璃刻蚀及其制备方法条纹生产

[发明专利]一种用于蓝宝石湿法刻蚀的装置和方法-CN202010358864.6在审
发明人：王勇炜;刘东方;万冬云 -专利权人：上海大学
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请涉及蓝宝石刻蚀技术领域，公开了一种用于蓝宝石湿法刻蚀的装置和方法，包括：刻蚀腔和水蒸气发生腔，所述刻蚀腔与所述水蒸汽发生腔之间由导管连接；所述刻蚀腔内设有用于放置蓝宝石的衬底支架；往所述刻蚀腔内加入刻蚀溶液后，所述刻蚀溶液没过所述导管的水蒸气出口端和所述蓝宝石；所述水蒸气发生腔经第一加热装置加热后，使其内部的水沸腾产生水蒸汽，所述水蒸汽通过所述导管导入所述刻蚀腔内的刻蚀溶液中，第二加热装置对所述刻蚀腔加热。通过在浓硫酸刻蚀液中持续通入水蒸汽，使得浓硫酸刻蚀液中的水分子实际含量远高于刻蚀温度下的平衡值，大幅提升刻蚀产物在刻蚀液中的溶解度，保证刻蚀行为的均匀稳定性。
一种用于蓝宝石湿法刻蚀装置方法

[发明专利]一种湿法刻蚀方法-CN202310876527.X在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：新美光（苏州）半导体科技有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本申请提供一种湿法刻蚀方法，属于半导体技术领域。湿法刻蚀方法包括以下步骤：S1将承载有工件的承载件放入容纳有刻蚀液的刻蚀槽；S2驱动承载件带动工件进行运动，使得工件的部分或全部待刻蚀部位能够间歇地浸没或漏出刻蚀液，直至工件刻蚀完成，该湿法刻蚀方法能够改善工件存在色差的问题
一种湿法刻蚀方法

[发明专利]一种半导体器件的选择性刻蚀方法及BSI图像传感器制作方法-CN201310312586.0在审
发明人：王冲;吴秉寰;罗仕洲;奚民伟;常延武;史爽 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-07-23 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本申请提供了一种选择性刻蚀方法及BSI图像传感器的制作方法。该选择性刻蚀方法包括以下步骤：用HNA溶液（HF-HNO₃-CH₃COOH）刻蚀掺杂型硅，反应预定时间后形成亚硝酸根离子浓度为C₁的刻蚀液；用该刻蚀液选择性刻蚀待刻蚀的半导体器件，其中，刻蚀待刻蚀半导体器件所需的亚硝酸根离子初始浓度为C₀，刻蚀液的C₁大于C₀，且HNA溶液为氢氟酸由于本申请提供的选择性刻蚀方法具有刻蚀速率均匀的优点，将其应用到半导体器件，尤其是BSI图像传感器的选择性刻蚀时，可实现刻蚀后半导体器件的厚度均匀性。
一种半导体器件选择性刻蚀方法 bsi 图像传感器制作方法

[发明专利]一种湿法刻蚀设备及湿法刻蚀方法-CN201910647531.2有效
发明人：褚海波 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种湿法刻蚀设备及湿法刻蚀方法，属于半导体制造领域，方法包括：将一晶圆竖直的送入刻蚀液，并经过一预定制程时间后，将所述晶圆竖直送出所述刻蚀液；其中，于所述晶圆完全进入所述刻蚀液后，使所述晶圆以所述晶圆的中心为轴旋转一预定角度上述技术方案的有益效果是：晶圆的上下部分互换，当制程时间结束以后，传送装置传送晶圆离开刻蚀液容器时，晶圆表面先浸入刻蚀溶液的下半部分先于后浸入刻蚀溶液的上半部分结束刻蚀制程，使得上下半部蚀刻量互补，有效改善了晶圆表面蚀刻的均匀度
一种湿法刻蚀设备方法

[发明专利]湿刻装置及基板湿刻方法-CN201911109804.4有效
发明人：彭钊 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种湿刻装置及面板湿刻方法，该湿刻装置包括刻蚀腔、刻蚀液、以及腔内传送构件，在刻蚀过程中，腔内传送构件所在的平面，与水平面所成的夹角为锐角；通过将腔内传送构件设置成一定的角度，使得基板在刻蚀的过程中呈倾斜状态传送，借助于刻蚀液对基板表面的作用力，加强了基板表面材料与刻蚀液的置换作用，使得反应产物更容易扩散出来，减小了反应产物残留在基板不易扩散图形区域(孔，拐角等)的风险；同时，使得刻蚀液与待反应材料能更有效的接触，降低了刻蚀不完全情况的发生，有利于得到高品质的刻蚀图案。
装置基板湿刻方法

[发明专利]用于具有高深宽比小孔硅产品的刻蚀设备及方法-CN202211634944.5在审
发明人：吴彦飞;张晓明;李玲玲;丁亚国;顾彦滨;王浩;马全森 -专利权人：宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于具有高深宽比小孔硅产品的刻蚀设备，其包括滚筒，滚筒设置固定同一硅产品的固定槽倾斜设置，滚筒内安装硅产品后浸入酸液中对硅环等硅产品进行刻蚀，使设置在硅产品高深宽比的小孔孔径延伸方向和酸液液面形成一定的倾斜角度，使酸液能够浸入倾斜小孔内，小孔表壁的硅与刻蚀液发生反应之后生成气体，气体在刻蚀液中形成气泡，气泡在浮力作用下沿着小孔壁向上溢出，同时会补充新的酸液进入小孔的底部进行反应，可以使小孔底部与小孔顶部保持相同的反应速率，进而保持底部刻蚀的直径与顶部的刻蚀直径大体相同，完成刻蚀后的小孔底部的直径与顶部直径保持原有的尺寸比例。本申请还提供一种用于具有高深宽比小孔硅产品的刻蚀方法。
用于具有高深小孔产品刻蚀设备方法

[发明专利]一种硅片刻蚀方法-CN201410602761.4在审
发明人：李国荣 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种硅片刻蚀方法，能够平滑硅片上干法刻蚀步骤中形成的刻蚀图案的表面。该硅片刻蚀方法包括：干法刻蚀步骤，通过干刻工艺对掩膜层未覆盖的硅片表面进行刻蚀，以在所述硅片上形成刻蚀图案，所述刻蚀图案的表面具有凹凸不平的毛刺；湿法刻蚀步骤，将干法刻蚀后的硅片置于腐蚀液中进行去除毛刺的化学抛光处理，所述腐蚀液对所述毛刺的尖锋的刻蚀速率大于对所述毛刺的低谷的刻蚀速率。
一种硅片刻蚀方法

[实用新型]刻蚀装置-CN201120158003.X有效
发明人：王振荣;刘红兵 -专利权人：上海新阳半导体材料股份有限公司
申请日： 2011-05-17 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种刻蚀装置，其特征在于，包括液槽，所述液槽上设置有接收从液槽中溢流出的液体的溢液槽；所述液槽设置有槽盖；槽盖上设置有晶圆夹持装置；还包括储液槽，所述储液槽通过进液管与液槽联通；所述储液槽通过出液管与溢液槽联通本实用新型中的刻蚀装置，腐蚀液自下方注入液槽，且腐蚀液自下而上流动，在流动过程中与晶圆接触腐蚀晶圆，可实现晶圆水平放置刻蚀，确保晶圆各位置刻蚀均匀一致。本实用新型中的刻蚀装置结构简单。使用时。腐蚀液可循环使用，无需采用喷淋装置，能耗低，使用方便。
刻蚀装置

[发明专利]一种液晶面板酸洗回收系统-CN202111342361.0在审
发明人：肖红星;程灿;吴佳辉;汪康;龙维 -专利权人：湖北优尼科光电技术股份有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： B65F1/14 文献下载
摘要：本发明提供一种液晶面板酸洗回收系统，包括有用于液晶面板酸蚀的刻蚀装置，其还包括：压滤机、两个储液箱、输液管道装置及两个回流输液装置；所述压滤机包括压滤机主体、进液端和出液端，所述压滤机主体设置于所述刻蚀装置的一侧，所述进液端连接于所述刻蚀装置的酸液排放口，用以过滤所述刻蚀装置排出的液体中的固体杂质；两个所述储液箱设置于所述刻蚀装置的下方且间隔设置，所述储液箱开设有可开闭的箱门；所述输液管道装置包括主流管道、两个分流管道及其控制阀本发明提供的回收系统可回收刻蚀装置的酸洗液并分别存放至两个储液箱内，两个储液箱可单独进行液体的处理，保证刻蚀装置可持续运行。
一种液晶面板酸洗回收系统

[发明专利]一种用于InAlSb芯片的刻蚀液及刻蚀方法-CN201710161962.9在审
发明人：何英杰;张亮;彭震宇;李墨;张利学;曹先存;吕衍秋;陶飞;张向锋;朱旭波;丁嘉欣;姚官生;张小雷;郭丽 -专利权人：中国空空导弹研究院
申请日： 2017-03-17 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于InAlSb芯片的刻蚀液及刻蚀方法，属于半导体光电探测器制造技术领域。本发明中的刻蚀液每100mL刻蚀液由10～30mol的H2O2、50～100g的C6H8O7、1～5mol的HF配制而成。本发明利用双氧水作为氧化剂，柠檬酸作为缓蚀剂，氢氟酸作为酸性剂，刻蚀速度适宜，利于工程化应用。刻蚀后芯片表面比较光滑，平整，比较利于后序工艺的制备。用这种刻蚀液制作的台面，钻蚀比较小，提高了有效占空比，适于大阵列小面元的制作。本发明的刻蚀方法简单，所需设备少，更进一步，通过实时测量刻蚀深度极大提高了刻蚀精度，有利于提高元器件的工作性能。
刻蚀刻蚀液双氧水半导体光电探测器芯片工程化应用有效占空比柠檬酸氧化剂工作性能实时测量芯片表面缓蚀剂氢氟酸酸性剂台面元器件小面钻蚀光滑制备制作配制平整制造

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