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[实用新型]一种反应时长可调的微通道反应器-CN201921656860.5有效
发明人：罗青;阮建伟;吴明洋;朱华良 -专利权人：浙江凯德化工有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： B01J19/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种反应时长可调的微通道反应器，至少包括相互叠合的上板体、中间板体和下板体，中间板体一面刻蚀有若干进液通道和反应通道，反应通道内设置有若干可控出液口，可控出液口包括刻蚀槽，刻蚀槽底部设置有通孔，刻蚀槽两侧连接有进液端和出液端，出液端深度小于刻蚀槽，进液端的深度等于刻蚀槽，刻蚀槽内设置有厚度大于出液端且小于刻蚀槽深度的活动块，活动块内设置有铁片，上板体与中间板体的刻蚀面贴合，下板体上刻蚀有若干出液通道，下板体与中间板体贴合使得若干出液通道分别与若干通孔连通，上板体和下板体外侧设置有用于吸引各个活动块运动的电磁铁。
一种应时可调通道反应器

[发明专利]一种腐蚀液及芯片台面的制备方法-CN201911032371.7有效
发明人：邹颜;杨彦伟;刘宏亮;陆一锋 -专利权人：芯思杰技术（深圳）股份有限公司
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： C09K13/04 文献下载
摘要：本发明提供一种腐蚀液及芯片台面的制备方法，涉及半导体芯片制备领域。腐蚀液，包括：溶剂和溶于所述溶剂中的重铬酸盐和卤酸。利用该腐蚀液能够解决现有芯片采用IPC干法刻蚀造成的刻蚀速率不均、刻蚀表面粗糙且刻蚀成本高的问题，使刻蚀速率更均匀，降低刻蚀成本，提高表面刻蚀质量的效果。
一种腐蚀芯片台面制备方法

[发明专利]晶边刻蚀设备及晶边刻蚀方法-CN202010006272.8在审
发明人：周永平;宋冬门 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶边刻蚀设备及晶边刻蚀方法。该晶边刻蚀设备包括基台、湿法刻蚀组件和阻挡部件，基台具有上表面，用于放置晶圆；湿法刻蚀组件位于基台的一侧，湿法刻蚀组件具有至少一个第一喷口，用于向晶圆边缘喷射腐蚀液以进行刻蚀；阻挡部件设置于湿法刻蚀组件的一侧，用于阻挡腐蚀液向晶圆表面溅射。采用上述晶边刻蚀设备对晶圆边缘进行刻蚀，在HF酸等腐蚀液喷射至晶圆边缘的同时，能够通过上述阻挡部件阻挡腐蚀液溅射到晶圆表面，从而有效地防止了腐蚀液溅射导致的晶圆表面缺陷的产生。
刻蚀设备方法

[实用新型]在线配制刻蚀液的系统-CN202121751348.6有效
发明人：段亚伟;史伟华;崔海舰;李志军;安利营 -专利权人：甘肃光轩高端装备产业有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： B01J19/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及玻璃生产技术领域，具体涉及一种在线配制刻蚀液的系统。该系统包括：依次连通的配制刻蚀液装置、超声预加热装置和存储供给装置；其中，所述配制刻蚀液装置设置有反应釜和磁力搅拌器，所述反应釜设置有至少一个配制试剂入口、搅拌磁子和第一出口，用于将配制试剂混合均匀，得到刻蚀液；所述超声预加热装置设置有第一入口、预加热丝、超声发生器和第二出口，用于将所述刻蚀液中配制试剂在超声和预加热的作用下，完全充分溶解；所述存储供给装置设置有第二入口、加热丝和第三出口，用于将所述刻蚀液加热至刻蚀温度输送至刻蚀装置该系统能够实现刻蚀液的在线配制，保证刻蚀液最佳效果的同时，提高了产线生产效率。
在线配制刻蚀系统

[发明专利]碳化硅器件电极金属层的湿法刻蚀方法-CN201911391962.3在审
发明人：刘启军;马亚超;刘锐鸣;赵艳黎;周正东;刘芹;黄爱权;李诚瞻 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本公开提供一种碳化硅器件电极金属层的湿法刻蚀方法。该方法包括：调整待刻蚀的碳化硅晶圆的位置，使所述碳化硅晶圆上的待刻蚀电极金属层垂直于刻蚀液的液面且所述碳化硅晶圆的主定位边与所述刻蚀液的液面呈第一预设角度；其中，所述第一预设角度为40°至50°；将所述碳化硅晶圆按照预设频率浸入到所述刻蚀液中，以对所述电极金属层进行刻蚀；其中，每次将浸入所述刻蚀液中的所述碳化硅晶圆取出静置预设时长。不仅可以消除所述电极金属层刻蚀过程中各管芯在纵向与横向的刻蚀差异，还可以消除在所述电极金属层刻蚀过程中产生的并附着于所述电极金属层表面的氢气气泡，避免造成刻蚀残留。
碳化硅器件电极金属湿法刻蚀方法

[发明专利]一种检验刻蚀液是否有效的方法-CN200710039194.6有效
发明人：魏广升 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-04-06 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种检验刻蚀液是否有效的方法。现有检验方法因不去除测试晶圆表面的自然氧化层而直接用测试晶圆检验刻蚀液，致使测得的刻蚀速率无法准确反应刻蚀液的状况。本发明的方法先提供一测试晶圆，其中，该测试晶圆上具有一测试层，该测试层上具有一自然氧化层；接着去除该自然氧化层；之后测量该测试晶圆的厚度或方块电阻；然后将该测试晶圆浸没在刻蚀液中进行一预定刻蚀时间的刻蚀；之后测量该测试晶圆被刻蚀后的厚度或方块电阻；接着计算出该测试晶圆厚度或方块电阻的改变量，并依据该改变量计算出刻蚀速率；最后判断该刻蚀速率是否在容许范围内并依据判断结果判定刻蚀液是否有效。采用本发明的方法可有效检验出检验刻蚀液是否有效。
一种检验刻蚀是否有效方法

[发明专利]一种悬浮刻蚀制备氧化铝纳米通孔输液器滤膜的方法-CN202010759044.8在审
发明人：蒋开;朱学林 -专利权人：常州费曼生物科技有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： B01D71/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种悬浮刻蚀制备氧化铝纳米通孔输液器滤膜的方法，包括以下步骤：S1，制备阳极氧化铝盲孔膜；S2，在刻蚀槽内布置支撑装置，支撑装置的顶端接近刻蚀槽的溢流液面，然后将阳极氧化铝盲孔膜正面朝上放置于支撑装置上；S3，在阳极氧化铝盲孔膜的外围布置限位装置；S4，刻蚀槽的刻蚀液进液装置开启，在刻蚀液浮力的作用下，阳极氧化铝盲孔膜将被刻蚀液托起；S5，启动湿法刻蚀过程；S6，刻蚀结束后，得到氧化铝纳米通孔输液器滤膜，回落溢流刻蚀液，氧化铝纳米通孔输液器滤膜降至支撑装置上。本发明无需复杂的密封夹具，即可实现单面刻蚀残留铝层和氧化铝阻挡层，刻蚀液的选择不受限制，且能够避免损坏氧化铝纳米通孔输液器滤膜。
一种悬浮刻蚀制备氧化铝纳米输液滤膜方法

[实用新型]一种HDI板用蚀刻装置-CN202122153968.6有效
发明人：彭登洋;肖振华;汤永火 -专利权人：遂川县善德电子科技有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种HDI板用蚀刻装置，包括液槽和安装台，所述液槽内部固定安装有安装台，且液槽顶面固定安装有支架。有益效果：本实用新型采用了安装台、分流管和潜水泵，在进行HDI板刻蚀时，可将HDI板一端固定安装在夹持仓中，第一电推杆伸长，推动吊装箱下移，吊装箱底面与安装台顶面抵接，即可将HDI板插入到刻蚀仓中，潜水泵抽取液槽中的刻蚀液，通过输液管注入到分流管中，在经过分流管注入到刻蚀仓中，经过出水管排出，流回液槽中，形成快速循环流动，快速流动的刻蚀液不仅可对HDI板进行刻蚀，而且还会冲走HDI板刻蚀后停留在HDI板表面的刻蚀废料，从而避免刻蚀废料停留在HDI板上影响进一步刻蚀，从而加快了刻蚀进程，提高了刻蚀效率。
一种 hdi 蚀刻装置

[实用新型]一种提高背面反射率的碱刻蚀配液槽-CN202220403578.1有效
发明人：张尧羲;马传兵;王旭 -专利权人：江苏华恒新能源有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提高背面反射率的碱刻蚀配液槽，包括配液槽和出液口，配液槽内设有用于对刻蚀液进行中和的反应区、对刻蚀液进行混合的混流区和用于对刻蚀液内粘性沉淀物进行沉淀的沉淀区，反应区、混流区和沉淀区依次设置在配液槽内部，反应区包括用于对配液进行导入的入液管，混流区包括用于对配液进行混合的混合隔板，沉淀区包括用于对配液进行沉淀的沉淀板，混合隔板和沉淀板均与配液槽可拆洗连接，反应区能够对导入放入刻蚀液和添加补充剂进行中和反应，使得添加剂能够与刻蚀液进行混合，混流区能够带动刻蚀配液充分的进行混合导流，沉淀区能够对配液进行沉淀检测，提高刻蚀配液的效率和质量，从而提高硅片在蚀刻后的背面反射率。
一种提高背面反射率刻蚀配液槽

[实用新型]一种刻蚀槽装置及湿法刻蚀设备-CN202222897181.5有效
发明人：陈大鹏;冉晓芳;邬小可;马律成;王森;王一川 -专利权人：江苏光微半导体有限公司
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体刻蚀设备技术领域，具体公开了一种刻蚀槽装置和湿法刻蚀设备，包括加热槽，用于容纳加热液体；刻蚀槽，位于所述加热槽内，用于容纳刻蚀液；第一加热装置，设置在所述加热槽内，用于加热所述加热液体，以使得加热后的所述加热液体对所述刻蚀液进行加热。本实用新型提供的刻蚀槽装置能够提升刻蚀液温度的均匀性，进而提高晶圆刻蚀的均匀性。
一种刻蚀装置湿法设备

[发明专利]一种快速高效处置废刻蚀液的技术方法-CN201910511006.8在审
发明人：吴东亮;吴卫林;胡长江;项艳;郭鹏飞;余端;王振宇;洪骏 -专利权人：安徽浩悦环境科技有限责任公司
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： B09B3/00 文献下载
摘要：本发明属于废水处理技术领域，具体涉及一种快速高效处置废刻蚀液的方法，废刻蚀液Ⅰ、废刻蚀液Ⅱ与含铬废物联合处理；所述废刻蚀液Ⅰ为浓硫酸和双氧水的混合废液；废刻蚀液Ⅱ为高浓度双氧水废液。采用上述方法，利用废刻蚀液Ⅰ的强酸性和废刻蚀液Ⅱ中的高浓度双氧水的弱还原性，将含铬废物中以六价铬形式存在的铬酸根(酸性条件下具强氧化性)还原成三价铬，实现高效反应，以废治废，且产物对环境无二次污染。
刻蚀液双氧水含铬废物废水处理技术无二次污染高效反应混合废液联合处理强氧化性酸性条件以废治废铬酸根还原性六价铬浓硫酸强酸性废液还原

[实用新型]刻蚀滚轮、滚轮组件和刻蚀设备-CN202222383629.1有效
发明人：王德全;付少剑;郁寅珑;张明明;郭小飞 -专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型提供一种刻蚀滚轮、滚轮组件和刻蚀设备，涉及硅片刻蚀技术领域。所述刻蚀滚轮中，刻蚀滚轮的周向表面上设置有用于黏取刻蚀液的沟槽，沟槽的深度在0.5‑1.0cm之间，且最宽处在0.1cm‑0.5cm之间。相比现有技术，本实用新型中刻蚀滚轮上的沟槽更深，进而可以更好地粘取刻蚀液，以使得滚轮上能够由足够的刻蚀液去刻蚀硅片背面的BSG，提高太阳能硅片的良品率。
刻蚀滚轮组件设备

[发明专利]太阳电池的检测方法及检测装置-CN202310331837.3在审
发明人：何宇;蔡晓玲;王永洁;徐文州 -专利权人：通威太阳能（眉山）有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：检测方法包括：将基体浸泡于刻蚀液，记录刻蚀液未出现冒泡现象的时间，记为第一刻蚀时间。第一刻蚀时间为刻蚀液刻蚀隧穿氧化层的时间，刻蚀液具有刻蚀隧穿氧化层的第一刻蚀速度，利用第一刻蚀速度与第一刻蚀时间之积计算隧穿氧化层的厚度；其中，刻蚀液包括质量浓度不低于1％的NaOH。
太阳电池检测方法装置

[发明专利]一种温度控制装置及刻蚀设备-CN202010001117.7有效
发明人：刘彦修;任志明;李发业;周建;李显杰;田龙宇;晏熙 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2020-01-02 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请公开了一种温度控制装置及刻蚀设备，该装置包括：壳体以及设置在该壳体内的加热元件，该壳体为敞口结构，该壳体设置在刻蚀室的顶板上，且该壳体的敞口朝向该顶板，在该顶板与该壳体之间形成温控腔体，该加热元件用于加热该温控腔体内的气体，使得该刻蚀室的顶板的温度与该刻蚀室内的刻蚀液温度接近。本申请实施例通过加热元件对刻蚀室顶板上的腔体内的气体加热，使得该顶板被加热，进而使得该顶板的温度与刻蚀室内的刻蚀液的温度保持接近，避免了刻蚀液的挥发气体在刻蚀室顶板上遇冷凝结形成液滴，从而避免了由于液滴回落造成的刻蚀工艺缺陷，保证了刻蚀基板上的均匀性，提高了产品的良品率。
一种温度控制装置刻蚀设备

[实用新型]一种湿法刻蚀速率自动控制器-CN202122356405.7有效
发明人：范冬冬;范贤力;张顺红 -专利权人：江苏团祥光电科技有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种湿法刻蚀速率自动控制器，包括固定结构、温度控制机构、浓度控制机构和分液箱，所述固定结构包括安放台、支撑框和刻蚀溶液箱，所述支撑框固定安装于安放台的顶部。该湿法刻蚀速率自动控制器，通过按下其中一个开关按钮，供电电源与内加热条接通，内加热条对刻蚀溶液箱加热，再按下另外一个开关按钮，外加热条供电电源接通，外加热条对刻蚀溶液箱加热，从而是否温度升高对刻蚀液的刻蚀速率快，通过伺服电机启动，连接轴和活动盘转动，大通孔、中通孔和小通孔均与进液管连通后，从连接出来进入到刻蚀溶液箱中不同刻蚀液的浓度哪种会提高刻蚀液的刻蚀速率，解决了不能调节最佳温度加快刻蚀速率的问题。
一种湿法刻蚀速率自动控制器