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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种双面曝光晶圆定位吸盘和光刻机-CN202222036046.1有效
发明人：李华;王晓军 -专利权人：上海探跃半导体设备有限公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种双面曝光晶圆定位吸盘和光刻机。双面曝光晶圆定位吸盘包括，吸盘本体，吸盘本体包括晶圆放置区和与晶圆放置区相邻的暴露区，吸盘本体上设有通孔。至少一个导光结构，导光结构包括物窗和观察窗，物窗设置于晶圆放置区内，观察窗设置于暴露区内，物窗和观察窗均设置于通孔内。扫描模块，扫描模块与观察窗对应设置，扫描模块发出的扫描光进入观察窗，并经过导光结构传输后从物窗照射于待测晶圆的定位标记上，定位标记的图像光线从物窗入射，经过导光结构传输和观察窗出射，被扫描模块获取。仅需更换晶圆定位吸盘即可实现利用传统光刻机进行双面晶圆曝光工艺，避免了更换设备带来的生产成本增长。
一种双面曝光定位吸盘光刻

[发明专利]一种带深腔的晶圆级红外光学窗口-CN202111681262.5在审
发明人：樊利花;侯树军;林达世 -专利权人：苏州厚朴传感科技有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种带深腔的晶圆级红外光学窗口，涉及到红外光学窗口领域，包括晶圆，所述晶圆的表面制作有带深腔的晶圆级红外窗口单元，所述晶圆的外围有用激光打穿的4个十字对准标记。本发明所有光刻图案均在平面上制作，避免在已经制备好深腔晶圆的上进行光刻造成的光刻胶旋涂不均，去胶困难问题，本发明全流程使用光刻方法进行图形制作，避免使用机械掩膜在深槽内制作图形造成的图形边缘衍出问题，且可以实现带深腔红外晶圆级封装窗口小型化需求，单个光窗的尺寸最小可达到微米级，光窗单元尺寸范围可设置在500um‑5mm，一般机械掩膜镀膜很难完成此规格下小尺寸的光窗制备。
一种带深腔晶圆级红外光学窗口

[发明专利]制备超导探测器玻璃窗时所需的晶圆键合装置及使用方法-CN202011077138.3在审
发明人：宋艳汝;杨瑾屏;刘志 -专利权人：上海科技大学
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备超导探测器玻璃窗时所需的晶圆键合装置及使用方法。所述晶圆键合装置包括晶圆对准装置及承重砝码，所述晶圆对准装置上设有晶圆放置槽，所述承载晶圆贴于玻璃窗晶圆的玻璃窗一侧，晶圆槽的边缘设有夹取晶圆的镊子槽。使用方法为：首先，在玻璃窗晶圆及承载晶圆上旋涂粘合物；然后，将承载晶圆、玻璃窗晶圆先后放入晶圆槽，晶圆切边与镊子槽对齐放置；第三，将承重砝码放置在玻璃窗晶圆上，并配合加热来赶走两片晶圆之间的气泡，从而实现晶圆键合本发明在玻璃窗晶圆的玻璃窗一侧键合一片承载晶圆，利用承载晶圆来承受玻璃窗制备时的背部氦气气压，以此来解决玻璃窗破裂的难题。
制备超导探测器玻璃窗晶圆键合装置使用方法

[实用新型]一种晶圆针测机-CN202320208361.X有效
发明人：陆金君;马圣佳;沈振凯 -专利权人：盛合晶微半导体（江阴）有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶圆针测机，所述晶圆针测机包括紫外光电荷祛除装置及探针测量装置，所述紫外光电荷祛除装置位于所述探针测量装置的一侧，所述紫外光电荷祛除装置包括：机架、光源模块、传动模块，所述第一机架设置有光源容置室，所述光源模块通过所述传动模块设置在所述光源容置室内，由所述传动模块带动所述光源模块平移和/或升降，并且所述光源模块的出光口朝下；所述探针测量装置包括第二机架及晶圆承载室，所述晶圆承载室的上方设置有照射窗，所述传动模块带动所述光源模块移动使所述光源模块的出光口对准所述照射窗。本实用新型的晶圆针测机能够解决现有工厂应用的具有紫外光祛除电荷功能的设备成本高昂、作业效率低的问题。
一种晶圆针测机

[实用新型]一种制备超导探测器玻璃窗时所需的晶圆键合装置-CN202022247713.1有效
发明人：宋艳汝;杨瑾屏;刘志 -专利权人：上海科技大学
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种制备超导探测器玻璃窗时所需的晶圆键合装置，其特征在于，包括晶圆对准装置及承重砝码，所述晶圆对准装置上设有晶圆槽，所述承载晶圆贴于玻璃窗晶圆的玻璃窗一侧，晶圆槽的边缘设有夹取晶圆的镊子槽本实用新型在玻璃窗晶圆的玻璃窗一侧键合一片承载晶圆，利用承载晶圆来承受玻璃窗制备时的背部氦气气压，以此来解决玻璃窗破裂的难题。
一种制备超导探测器玻璃窗晶圆键合装置

[发明专利]温度测定方法-CN202310429342.4在审
发明人：小野行雄;大森麻央 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01K11/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种能正确计算入射到放射温度计的外乱光的强度，而高精度测定衬底的温度的温度测定方法。在将半导体晶圆搬入到腔室之前，进行端缘部放射温度计的测定。搬入半导体晶圆之后，在将半导体晶圆支撑在提升销的状态及将其载置在基座的状态的各状态下，进行端缘部放射温度计的测定。从这些测定值计算半导体晶圆的反射率，基于所述反射率及从石英窗放射的放射光的强度，计算入射到端缘部放射温度计的外乱光的强度。从半导体晶圆的加热处理期间端缘部放射温度计接收到的光的强度减去外乱光的强度，计算半导体晶圆的温度。
温度测定方法

[发明专利]热处理装置及热处理方法-CN202111490559.3在审
发明人：山田隆泰;古川雅志 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明是在收纳半导体晶圆W的腔室6的上方配置多个闪光灯FL，同时在下方配置多个LED灯45。从闪光灯FL对由来自多个LED灯45的光照射预备加热的半导体晶圆W的正面照射闪光。LED灯45放射波长900nm以下的光。从LED灯45放射的光透过石英的下侧腔室窗64照射到半导体晶圆W。从LED灯45放射的波长900nm以下的光能够被500℃以下的低温区的半导体晶圆W良好地吸收，同时几乎不被石英的下侧腔室窗64吸收。因此，由LED灯45能够效率良好地将半导体晶圆W加热。
热处理装置方法

[发明专利]外延装置和外延过程中外延层的测量方法-CN201410445791.9有效
发明人：方浩;马志芳;吴军 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2014-09-03 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：其中，该装置包括：反应腔；设置在反应腔之上的观察窗；设置在反应腔内的托盘，托盘上承载有晶圆；光纤式傅里叶红外光谱分析仪，光纤式傅里叶红外光谱分析仪具有光纤，光纤的一端与观察窗对应，光纤用于发射红外光线，并通过观察窗将红外光线照射至晶圆，以及通过观察窗接收晶圆反射的反射光，光纤式傅里叶红外光谱分析仪用于根据反射光检测晶圆的外延层厚度。
外延装置过程测量方法

[实用新型]薄膜沉积系统和薄膜处理系统-CN202223294549.5有效
发明人：尹艳超;谭华强;谈太德 -专利权人：拓荆科技股份有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C23C14/52 文献下载
摘要：薄膜沉积系统包括：控制器和薄膜沉积设备，薄膜沉积设备包括：腔室、光窗和膜厚仪；腔室的穹顶表面设置有至少一个光窗，每个光窗的外侧设置有膜厚仪；膜厚仪通过对应的光窗发出光线，光线的第一部分经过膜厚仪内部的反射面反射，光线的第二部分经过腔室内的晶圆表面正在生成的薄膜的表面反射；膜厚仪接收反射后的第一部分的光线和反射后的第二部分的光线；控制器基于反射后的第一部分的光线和反射后的第二部分的光线对应的干涉光的光强度分布，确定晶圆表面正在生成的薄膜的厚度。可以在薄膜生长的过程中实时检测晶圆的表面生成薄膜的厚度，具有较高的实时性，可以提高检测速度、减少测量时间。
薄膜沉积系统处理

[发明专利]一种基于硅窗晶圆的焊料预置工艺-CN202310390975.9在审
发明人：熊杰然;邹建;陈嘉霖 -专利权人：汕尾市栢林电子封装材料有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及封装技术领域，具体涉及到一种基于硅窗晶圆的焊料预置工艺。本申请的一种基于硅窗晶圆的焊料预置工艺，通过S1、对硅窗晶圆进行匀胶、曝光、显影处理，再通过磁控溅射，镀制金属膜；S2、制备预成型焊料，并将所述焊料与步骤S1的硅窗晶圆进行定位、点焊，获得具有预置焊料的硅窗晶圆；S3、将步骤S2的具有预置焊料的硅窗晶圆与红外探测器晶圆进行晶圆级封装，实现通过预置成型焊料来大大提升红外器件晶圆级封装的生产效率，并降低了封装窗口的成本，为实现红外探测器晶圆级封装打好基础，满足集成化批量化生产的需求
一种基于硅窗晶圆焊料预置工艺

[发明专利]一种防水型压力传感器-CN202210798716.5在审
发明人：王文涛 -专利权人：无锡惠贻华普微电子有限公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G01L9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种防水型压力传感器，包括基板、气压传感ASIC晶圆、MEMS晶圆、射频MCU晶圆、RF射频晶圆以及红外温感芯片，气压传感ASIC晶圆、射频MCU晶圆以及红外温感芯片均装配于基板上端，MEMS晶圆装配于气压传感ASIC晶圆，RF射频晶圆装配于射频MCU晶圆上端，基板、气压传感ASIC晶圆、MEMS晶圆、射频MCU晶圆、RF射频晶圆以及红外温感芯片之间均通过金线相互导电连接，基板外侧密封封装有金属外壳，金属外壳开设有感应口，金属外壳密封设有光窗，基板设有与金属外壳相匹配的划胶槽，本发明采用集成组合封装方式，在减少集成封装的尺寸，节约装配空间的基础上，增加了密封防水的工艺，更加适应不同商家的生产要求。
一种防水压力传感器

[发明专利]一种检测装置、检测方法及晶圆刻蚀设备-CN202011643761.0在审
发明人：金根浩;李俊杰;李琳;王佳;周娜 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开一种检测装置、检测方法及晶圆刻蚀设备，涉及等离子刻蚀技术领域，以保证检测装置和晶圆刻蚀设备的反应腔连接，防止由于不完全连接导致晶圆损伤的情况发生。所述检测装置应用于晶圆刻蚀设备，所述晶圆刻蚀设备的侧壁上开设有检测窗口，所述检测窗口内设置有透光检测窗。所述检测装置包括：光接收传送组件、位置检测组件、以及控制组件。本发明提供的检测装置用于提高晶圆的良率。
一种检测装置方法刻蚀设备

[发明专利]一种适用于超导探测器玻璃窗的制备工艺-CN202011076966.5在审
发明人：宋艳汝;杨瑾屏;刘志 -专利权人：上海科技大学
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于超导探测器玻璃窗的制备工艺，其特征在于，在玻璃窗晶圆的玻璃窗一侧切割出芯片边界切割槽一，并完全刻蚀芯片边界切割槽一内的硅或氮化硅及截止层；将玻璃窗晶圆的玻璃窗一侧与承载晶圆键合；在键合晶圆的硅层一侧刻蚀玻璃窗，并在对应芯片边界切割槽一的位置刻蚀出芯片边界切割槽二，露出截止层；采用氧气等离子体清洗残留的光刻胶；使用有机溶剂分离玻璃窗晶圆与承载晶圆，将含玻璃窗的芯片与玻璃窗晶圆分离。采用本发明提供的适用于宇宙微波背景辐射探测的超导探测器玻璃窗的制备方案，可将制备含探测器图形的玻璃窗的成功率提高到100％，含玻璃窗的芯片从玻璃窗晶圆上分离的成功率同样达到100％。
一种适用于超导探测器玻璃窗制备工艺

[发明专利]堆叠集成电路半导体晶粒的形成方法-CN200910206678.4有效
发明人：陈明发;陈承先;邱文智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-10-28 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明是有关于一种堆叠集成电路半导体晶粒的形成方法，是在集成电路晶粒或晶圆上形成穿硅介层窗(through-silicon vias；TSVs)，其中穿硅介层窗形成在金属化制程前的整合制程中。可制造具有增加的高宽比的穿硅介层窗，而更深入地延伸在晶圆基板中。此方法大致上可降低在晶圆背面研磨制程中过度薄化晶圆基板的风险，其中此晶圆背面研磨制程一般是用来露出及产生穿硅介层窗的电性连接。藉由提供更深的穿硅介层窗与接合垫，个别晶圆与晶粒可直接结合在穿硅介层窗与另一个晶圆上的接合垫之间。
堆叠集成电路半导体晶粒形成方法

[发明专利]一种晶圆级真空封装的IR FPA器件及其制造方法-CN201210088348.1有效
发明人：欧文;蒋文静 -专利权人：江苏物联网研究发展中心
申请日： 2012-03-29 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆级真空封装的IRFPA器件及其制造方法，采用2片晶圆键合的方式来实现红外探测器的制作及实现其晶圆级封装，把CMOSIC与MEMS器件分开制作，既实现与CMOSIC的集成，又增加MEMS红外探测器器件制作的灵活性，又能同时实现晶圆级封装。本发明的优点是：通过在一片晶圆上制作CMOS读出电路和共振吸收结构的反光板，利用另外一片晶圆制造IRFPA的MEMS结构部分，同时利用这片晶圆做IRFPA的红外光窗，既利用共振吸收结构提供了红外IRFPA器件的红外吸收效率，同时实现IRFPA器件的晶圆级封装，有利于减小IRFPA器件的尺寸和降低制作成本。
一种晶圆级真空封装 ir fpa 器件及其制造方法

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