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- [发明专利]温度测定方法-CN202310429342.4在审
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小野行雄;大森麻央
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株式会社斯库林集团
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2023-04-20
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2023-10-27
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G01K11/00
- 本发明的目的在于提供一种能正确计算入射到放射温度计的外乱光的强度，而高精度测定衬底的温度的温度测定方法。在将半导体晶圆搬入到腔室之前，进行端缘部放射温度计的测定。搬入半导体晶圆之后，在将半导体晶圆支撑在提升销的状态及将其载置在基座的状态的各状态下，进行端缘部放射温度计的测定。从这些测定值计算半导体晶圆的反射率，基于所述反射率及从石英窗放射的放射光的强度，计算入射到端缘部放射温度计的外乱光的强度。从半导体晶圆的加热处理期间端缘部放射温度计接收到的光的强度减去外乱光的强度，计算半导体晶圆的温度。
- 温度测定方法
- [发明专利]热处理装置及热处理方法-CN201910073446.X有效
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青山敬幸;上田晃颂;大森麻央;天児和则
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株式会社斯库林集团
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2019-01-25
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2023-08-08
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H01L21/67
- 本发明提供一种即使在中断氧浓度的测定时，也能够维持低氧浓度区域中的测定精度的热处理装置及热处理方法。在将腔室(6)内的压力设为大气压，且将腔室(6)内设为惰性气体的气氛时，腔室(6)内的气氛经过取样管线(92)被吸引至氧浓度计(91)，由氧浓度计(91)测定腔室(6)内的氧浓度。如果腔室(6)内减压至小于大气压，那么中断腔室(6)内的氧浓度的测定，与此同时，从惰性气体供给管线(94)对氧浓度计(91)供给氮气。在中断腔室(6)内的氧浓度的测定时，也能够防止从气体排气管(88)向氧浓度计(91)的逆流，从而能够防止氧浓度计(91)暴露在来自腔室(6)的排气中而维持氧浓度计(91)的低氧浓度区域中的测定精度。
- 热处理装置方法
- [发明专利]热处理装置-CN202111368368.X在审
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近藤泰章;大森麻央
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株式会社斯库林集团
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2021-11-18
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2022-06-07
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H01L21/67
- 本发明提供一种能够减小气体供给相关要素的设置空间的热处理装置。本发明的热处理装置中，对半导体晶圆进行加热处理的腔室(10)连接有助燃性气体管线(31)、可燃性气体管线(41)及惰性气体管线(51)。在对腔室(10)供给可燃性气体之前，从惰性气体管线(51)对助燃性气体管线(31)送入氮气，将助燃性气体管线(31)内置换为氮气。在对腔室(10)供给助燃性气体之前，从惰性气体管线(51)对可燃性气体管线(41)送入氮气，将可燃性气体管线(41)内置换为氮气。助燃性气体管线(31)及可燃性气体管线(41)设有共通的1根惰性气体管线(51)，因此能够减小气体供给相关要素的设置空间。
- 热处理装置
- [发明专利]热处理方法-CN202110823843.1在审
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大森麻央;布施和彦
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株式会社斯库林集团
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2021-07-21
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2022-02-18
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H01L21/324
- 本发明提供一种能在短时间内高效率地使腔室内的温度稳定化的热处理方法。在对作为处理对象的半导体晶圆进行处理之前，对多个虚设晶圆进行加热处理，从而将基座等腔室内构造物预热。针对多个虚设晶圆中的前几片虚设晶圆，在通过来自卤素灯的光照射加热到第1加热温度之后照射闪光。针对接下来的几片虚设晶圆，在通过来自卤素灯的光照射加热到低于第1加热温度的第2加热温度之后照射闪光。由于将虚设晶圆加热到高温之后再加热到低温，因此，能在短时间内且以较少的虚设晶圆的片数使腔室内构造物的温度稳定化。
- 热处理方法
- [发明专利]热处理方法-CN201910676989.0在审
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大森麻央;古川雅志
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株式会社斯库林集团
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2019-07-25
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2020-03-06
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H01L21/26
- 本发明提供一种能够将腔室内以短时间减压的热处理方法。半导体晶片(W)在形成在腔室(6)内的氨气气氛中通过来自卤素灯(HL)及闪光灯(FL)的光照射而进行加热处理。当在腔室(6)内形成氨气气氛时暂时将腔室(6)内减压。另外，在半导体晶片(W)的加热处理后也将腔室(6)内减压。在将腔室(6)内排气而减压之前，从卤素灯(HL)进行光照射而将腔室(6)内的气氛加热。通过在减压前将腔室(6)内的气氛加热，该气氛中的气体分子的热运动活化并且气体密度变小。其结果，在减压时腔室(6)内的气体分子会迅速地排出，能够将腔室(6)内以短时间减压至特定的气压为止。
- 热处理方法
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