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[发明专利]旋转加热装置、气相沉积设备和方法-CN202310814758.8在审
发明人：张佳琦;尹艳超;张艳娟;谭华强;吴凤丽 -专利权人：拓荆科技(上海)有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C23C16/46 文献下载
摘要：本申请公开了一种旋转加热装置、气相沉积设备和方法，涉及半导体技术领域。旋转加热装置包括承载部、驱动机构以及加热机构。承载部具有用于承载晶圆的承载面，承载部内设置有加热通道，加热通道具有入口和出口。驱动机构与承载部传动连接，用于驱动承载部旋转。加热机构用于向加热通道输送热媒。由于承载盘可以在驱动机构的驱动下转动，在转动的过程中成膜，能够改善因反应腔室内温度场、流场不均导致的晶圆表面气体难以均匀分布的问题，从而改善成膜质量。另外，通过向承载部内注入热媒来控制承载部的温度，能够使承载部保持在合适的工艺温度，并且承载部温度均匀，有利于提高沉积质量。
旋转加热装置沉积设备方法

[发明专利]一种扩散构件和半导体工艺设备-CN202310809470.1在审
发明人：张佳琦;尹艳超;谭华强;方成;吴凤丽 -专利权人：拓荆科技(上海)有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种扩散构件及半导体工艺设备，涉及半导体制造技术领域。扩散构件用于安装在进气口，以进行导流和均流。扩散构件包括扩散件，扩散件具有导流面，扩散件的上沿扩散件的周向间隔设置有多个导流通道，且导流通道贯穿扩散件。由进气口流入的工艺气体可沿导流面和导流通道流动。其能够提高半导体工艺设备的镀膜厚度的均一性。
一种扩散构件半导体工艺设备

[发明专利]一种喷气结构及半导体设备-CN202310779910.3在审
发明人： 尹艳超;谭华强;李洪昊 -专利权人：拓荆科技(上海)有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供了一种喷气结构及半导体设备，涉及镀膜技术领域。该喷气结构包括喷淋板，喷淋板设有第一喷气孔和第二喷气孔，第一喷气孔和第二喷气孔间隔设置，第一喷气孔用于喷出自由基，第二喷气孔用于喷出前驱物；第二喷气孔包括限流孔段和出口孔段，限流孔段和出口孔段连通，且出口孔段的孔径大于限流孔段的孔径，使得前驱物扩散出出口孔段。该喷气结构在使用时，前驱物经由限流孔段进入出口孔段，由于出口孔段的孔径大于限流孔段的孔径，因此进入出口孔段的前驱物能够快速扩散，并与自由基进行反应，前驱物和自由基快速进行反应能够减少自由基的损失，确保各种气体反应的更加均匀，从而确保能够形成均匀的薄膜。
一种喷气结构半导体设备

[发明专利]一种盖板及半导体设备-CN202310736809.X在审
发明人：方成;尹艳超 -专利权人：拓荆科技(上海)有限公司
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请的实施例提供了一种盖板及半导体设备，涉及半导体技术领域。该盖板具有相对的第一表面和第二表面，盖板上开设有贯穿第一表面和第二表面的第一通孔；盖板上位于第一通孔处设置有导流块，导流块能够使工艺气体远离半导体设备中的腔室的中心，其能够提升半导体设备的腔室内工艺气体分布的均匀性。
一种盖板半导体设备

[发明专利]一种基盘加热系统及半导体设备-CN202310779957.X在审
发明人：张艳娟;尹艳超;谭华强;张佳琦 -专利权人：拓荆科技(上海)有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C23C16/46 文献下载
摘要：本申请提供一种基盘加热系统及半导体设备，涉及气相沉积技术领域。该基盘加热系统包括：基座和转动设置在基座上的基盘，基盘内设有第一加热组件和第二加热组件，第一加热组件位于基盘的承载面和第二加热组件之间，第一加热组件用于加热承载面，第二加热组件用于对第一加热组件加热。该基盘加热系统，在旋转的基盘内分别设置第一加热组件和第二加热组件，通过至少两级加热，提高了基盘温度的稳定性，从而提高了衬底晶片表面薄膜沉积的均匀性，能够得到高质量的薄膜。
一种加热系统半导体设备

[发明专利]液态源气相传输系统和方法-CN202310729521.X在审
发明人： 尹艳超;谭华强;邓浩;李洪昊;叶五毛 -专利权人：拓荆科技(上海)有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： F17D1/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种液态源气相传输系统和方法，涉及半导体领域。液态源气相传输系统包括储存装置、反应装置以及输送管线。储存装置包括容器和容器加热组件，容器加热组件用于对所述容器进行加热，以使所述容器中的液态原料气化。输送管线连通容器和反应装置的反应腔室。输送管线包括内管、套设于所述内管外的外管以及设置于外管外侧的管线加热组件，外管与内管之间填充有保护气体，内管内部用于输送气态原料。本申请实施例提供的液态源气相传输系统和方法能够对原料进行均匀加热，不容易产生凝结导致颗粒污染。此外，液态源气相传输系统和方法具有较佳的安全性。
液态相传系统方法

[发明专利]一种双层进气结构及镀膜设备-CN202310782378.0在审
发明人： 尹艳超;谭华强 -专利权人：拓荆科技(上海)有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明的提供了一种双层进气结构及镀膜设备，涉及镀膜技术领域。该双层进气结构包括喷淋盘，喷淋盘设有分气通道，分气通道和喷淋盘的侧壁连通；喷淋盘还设有喷气孔，喷气孔和分气通道连通，喷气孔用于喷出第一种气体；喷淋盘还设有出气孔，出气孔贯穿喷淋盘，且出气孔和喷淋孔间隔设置，出气孔用于喷出第二种气体。喷气孔设置于喷淋盘，且喷气孔和分气通道连通，第一种气体通过分气通道进入喷淋盘，并通过分气通道到达喷气孔喷出，通过出气孔和喷气孔喷出两种不同的气体，喷气孔和出气孔间隔设置使得喷出的两种气体能够更均匀的进行结合从而形成均匀的薄膜，该双层进气结构能够更均匀的进行喷气，确保分气均匀性，从而确保能够形成均匀的薄膜。
一种双层结构镀膜设备

[发明专利]一种盖板以及流体气相沉积装置-CN202310713243.9在审
发明人：张艳娟;张佳琦;尹艳超;谭华强;吴凤丽 -专利权人：拓荆科技(上海)有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种盖板以及流体气相沉积装置，涉及半导体沉积技术领域。该盖板设置有穹顶曲面，盖板用于盖设于喷淋盘上，穹顶曲面与喷淋盘共同围成气流空腔，穹顶曲面为非平整面，穹顶曲面用于对工艺气体进行导流，以使其均匀流至喷淋盘上。与现有技术相比，本发明提供的盖板由于采用了非平整面设置的穹顶曲面，所以能够对工艺气体进行稳定导流，导流效果好，沉积速率高，保证工艺气体的流速和分布均匀性，从而提高成膜的平整度和均匀性。
一种盖板以及流体沉积装置

[发明专利]一种半导体设备的水路系统和水路气泡消除方法-CN202310725584.8在审
发明人：万亿;尹艳超;吴凤丽;张艳娟;张佳琦 -专利权人：拓荆科技(上海)有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： B01D19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体设备的水路系统和水路气泡消除方法。水路系统包括：水路输送管路，其两端分别连接提供超纯水的厂务端和使用超纯水的反应腔室，水路输送管路的内部包括多个气泡监测装置，用以检测输送的超纯水中的原始气泡含量；第一气泡析出装置，设置于水路输送管路中，根据原始气泡含量，对超纯水进行一级气泡析出，获得第一气泡含量；第二气泡析出装置，设置于脱气腔室的下方，根据第一气泡含量，对流经脱气腔室的超纯水进行二级气泡析出，获得第二气泡含量；以及脱气腔室，基于第二气泡含量，调整对超纯水的脱气速率。本发明能够降低供水端到反应腔之间的长距离传输水路中的气泡含量，保证进入反映腔的超纯水纯度，提升湿氧工艺效果。
一种半导体设备水路系统气泡消除方法

[发明专利]一种针对喷淋板的工艺间隙校正工装及校正方法-CN202211599717.3在审
发明人：谭华强;方成;尹艳超 -专利权人：拓荆科技股份有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造设备技术领域，更具体的说，涉及一种针对异形孔喷淋板的工艺间隙校正工装及校正方法。本发明提供了一种针对喷淋板的工艺间隙校正工装，包括上方校准基准板、量块和下托板；所述上方校准基准板，通过量块与下托板连接；所述下托板，用于放置晶圆间隙量测系统；所述上方校准基准板，用于提供校准面，所述校准面与待测喷淋板面形状相同；所述量块高度与所需校准的工艺间隙高度相同。本发明提出的针对喷淋板的工艺间隙校正工装及校正方法，通过将AGS上方校准基准板的校准面设计成实际的异形孔喷淋板面，实现对异形孔喷淋板的无误差间隙校准。
一种针对喷淋工艺间隙校正工装方法

[发明专利]一种半导体喷淋板中的导流装置-CN202211664236.6在审
发明人：谭华强;方成;尹艳超 -专利权人：拓荆科技股份有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体喷淋板中的导流装置，喷淋板包括侧周密封连接的上盖板和喷淋面板，喷淋气体由上盖板中央的进气口通入后再由喷淋面板上的多个孔洞喷淋至待加工半导体表面，导流装置设于上盖板的进气口与喷淋面板之间，导流装置的主体为锥体，底部通过支撑装置安装于喷淋面板上，锥体的侧周面自上向下呈向外扩散状以将进入进气口的气体导流至喷淋面板的各处。
一种半导体喷淋中的导流装置

[发明专利]一种半导体喷淋板中的限流装置-CN202211664249.3在审
发明人：谭华强;方成;尹艳超 -专利权人：拓荆科技股份有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体喷淋板中的限流装置，喷淋板包括中央设有进气通道的上盖板，限流装置插装于进气通道内，限流装置为圆筒状结构，其内周沿轴向分为多段，中间段的孔径窄于上下两端的孔径，该多段之间通过斜面平滑过渡，本发明提供的半导体喷淋板中的限流装置，可以在不增加气体流量的情况下提升工艺气体进入喷淋腔室内部的动能，进而使得气体进入腔室后可以充分扩展至边缘各处，提升沉积薄膜的均匀性。
一种半导体喷淋中的限流装置

[发明专利]紫外固化设备-CN202211601457.9在审
发明人： 尹艳超;谭华强;张孝勇;谈太德;李蓬勃 -专利权人：拓荆科技股份有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： B05D3/06 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种紫外固化设备。紫外固化设备包括真空腔室，真空腔室内设有喷淋板和晶圆载盘，晶圆载盘位于喷淋板的下方，真空腔室内还包括分气环；分气环为环体结构，其环周顶部与喷淋板的周向下边沿相抵接设置；其环形内壁朝向真空腔室的内部设置，且环形内壁沿其周向设有多个分气孔；分气环的环形内壁、环周顶部、环形外壁和环周底部依次相接合围成环形气道，分气孔与环形气道相通设置，将环形气道内的气体通入至真空腔室的内部；晶圆载盘设置为可升降结构，其朝靠近或远离分气环的方向升降。紫外固化设备解决了真空腔室清洗效果不佳，导致单次设备维护与保养时间短、单次跑片数量低、成本过高的技术问题。
紫外固化设备

[发明专利]一种可流动性薄膜沉积设备气体流向系统-CN202211650799.X在审
发明人：谭华强;尹艳超;谈太德 -专利权人：拓荆科技股份有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本发明涉及半导体加工设备技术领域，更具体的说，涉及一种可流动性薄膜沉积设备气体流向系统。本发明提供了一种可流动性薄膜沉积设备气体流向系统，包括第一RPS反应单元、第二RPS反应单元和第三RPS清洗单元：第一RPS反应单元，可通断地与第一反应腔室连接，用于解离并输送工艺气体；第二RPS反应单元，可通断地与第二反应腔室连接，用于解离并输送工艺气体；第三RPS清洗单元，可通断地分别第一反应腔室、第二反应腔室连接，用于解离并输送清洁气体。本发明提供的可流动性薄膜沉积设备气体流向系统，通过控制不同的进气方向，实现不同的配方控制，实现不同区域的清洁，提升穹顶腔室的清洗效果，并提高单次预防性维护的跑片数量，降低持有成本。
一种流动性薄膜沉积设备气体流向系统

[实用新型]真空腔室及镀膜设备-CN202223397994.4有效
发明人： 尹艳超;谭华强;谈太德 -专利权人：拓荆科技股份有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本实用新型提供一种真空腔室及镀膜设备，涉及真空镀膜技术领域，真空腔室包括真空腔室本体、管道和调节组件；所述管道与所述真空腔室本体连通；所述调节组件包括第一阀体和第二阀体，所述第一阀体和所述第二阀体分别与所述管道连接，且所述第一阀体的开度和所述第二阀体的开度分别能够调节。在真空腔室本体的真空压力需要调节至低真空压力范围时，首先调节第一阀体开度，再调节第二阀体的开度；在真空腔室本体的真空压力需要调节至高真空压力范围时(0Torr‑200Torr)，通过调节第一阀体的开度即可精细调节真空腔室本体的真空压力，能够增大真空腔室的真空压力的调节范围。
空腔镀膜设备

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