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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有高透明性的无机氧化物分散体-CN201980035581.3在审
发明人：権藤亮介;酒井隆行 -专利权人：东洋油墨SC控股株式会社;东洋色材株式会社
申请日： 2019-05-27 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C09D17/00 文献下载
摘要：本发明可提供一种无机氧化物分散体，所述无机氧化物分散体包含：无机氧化物、下述通式A所表示的胺、分子量为200以下的脂肪族羟基酸、及介电常数为18以上的溶媒，由此具有高经时稳定性及高透明性。下述通式A中，R1表示碳数2～13的烷基。R2及R3分别独立地表示氢原子、或者碳数2～13的烷基。
具有透明性无机氧化物散体

[发明专利]无机氧化物粒子分散体-CN201980035799.9在审
发明人：権藤亮介;酒井隆行 -专利权人：东洋油墨SC控股株式会社;东洋色材株式会社
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： C08L71/02 文献下载
摘要：本发明通过无机氧化物粒子分散体来解决，所述无机氧化物粒子分散体包含无机氧化物粒子、分散剂以及增塑剂，其中，所述分散剂包含选自由通式A所表示的分散剂A及通式B所表示的分散剂B所组成的群组中的至少一种、以及通式C所表示的分散剂C。
无机氧化物粒子散体

[发明专利]等离子切割方法及等离子切割装置-CN201410406586.1在审
发明人： 酒井隆行 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-08-18 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种等离子切割方法，包括在含有第1气体的等离子体的气体环境中使膜堆积到切割区域及在焊盘开口部露出的金属电极上的堆积处理、和在含有第2气体的等离子体的气体环境中对下部电极赋予第1偏压电力而将由堆积处理堆积的膜蚀刻的蚀刻处理。在蚀刻处理中，如果检测到切割区域的基板的伴随着蚀刻的发光，则使第1偏压电力下降到第2偏压电力，将基板蚀刻。
等离子切割方法装置

[发明专利]沟槽形成方法及半导体装置的制造方法-CN201310070802.5无效
发明人： 酒井隆行;片桐宪明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-03-06 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种加工尺寸的面内均匀性高的沟槽的形成方法及半导体装置的制造方法。实施方式涉及的沟槽形成方法为，通过使用等离子源来交替反复进行沉积步骤及蚀刻步骤、而在硅衬底上形成沟槽的沟槽形成方法。在设封闭等离子的区域与上述硅衬底的距离为x（mm）、设用于诱导上述等离子的RF功率为w（kW）、设上述沉积步骤中的压力为y（Pa）、关于要形成的上述沟槽的宽度、设上述硅衬底的面内的波动的容许限度为z0（μm）时，以满足上述数学式1～3的方式来实施上述沉积步骤及上述蚀刻步骤。
沟槽形成方法半导体装置制造

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201210310956.2无效
发明人：武舍裕太;酒井隆行;奥村秀树;河野孝弘 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-08-28 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：实施方式提供一种具备通过自对准而形成的沟槽栅构造的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置的制造方法具备：在并排设置于半导体层的多个沟槽的内面形成第一绝缘膜的工序；隔着所述第一绝缘膜形成控制电极的工序；以及形成设置在所述控制电极之上的第二绝缘膜的工序，该第二绝缘膜的上表面处于比沿着所述沟槽的壁面延伸的所述第一绝缘膜的上端靠下的位置。还具备将所述半导体层蚀刻到所述控制电极的所述上端的附近的深度的工序；以及形成第一半导体区域的工序。而且具备：形成导电膜，并在所述第一半导体区域的上部形成第二半导体区域的工序；以及回蚀所述导电层并形成接触孔的工序。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]固体摄像装置及其制造方法-CN200610137523.6无效
发明人：土居高志;北村敏彦;酒井隆行 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2006-09-05 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供一种固体摄像装置，其特征在于，包括：半导体基板，其具有：存储通过在上述半导体基板的表层部形成的光电转换部的光电转换产生的信号电荷的第1导电类型的第1杂质区域；在上述第1杂质区域之下形成的上述第1导电类型的第2杂质区域；在上述半导体基板的厚度方向贯通上述半导体基板、并将存储在上述第1杂质区域的信号电荷传送到上述第2杂质区域的第1栅电极；以及在上述半导体基板的背面侧形成的、输入向第2杂质区域传送的信号电荷的信号处理部。
固体摄像装置及其制造方法

[发明专利]图形的制备方法及半导体器件的制造方法-CN03134814.9无效
发明人： 酒井隆行;大岩德久;岐部正信 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2003-09-24 - 公布日： 2004-05-19 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种图形的制备方法，包括：在下层的至少一部分上绘制掩模图形；蚀刻部分掩模图形；将入射光照射在进行蚀刻的掩模图形上，当入射光透过掩模图形之后检测反射入射光产生的反射光；得到反射的干涉光谱；以及使用反射的干涉光谱的数据计算掩模图形的图形宽度，反射的干涉光谱的波长范围不小于两倍的掩模图形的间距。
图形制备方法半导体器件制造

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