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[发明专利]电解质的电再生-CN202280014449.6在审
发明人： M-A·古莱特;M·吴;Y·京;E·菲尔;D·波拉克;S·金;M·J·阿齐兹;R·G·戈登 -专利权人：哈佛大学校长及研究员协会
申请日： 2022-02-11 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01M8/18 文献下载
摘要：本发明提供了液流电池组和减少容量损失的使用液流电池组的方法。可以通过电氧化负电解质中的有机物质来减轻容量损失。
电解质再生

[发明专利]基于有机小分子的液流电池-CN202110624181.5在审
发明人： B·赫斯金森;M·马沙克;M·J·阿齐兹;R·G·戈登;T·A·贝利;A·阿斯普鲁-古兹克;S·艾尔;C·苏 -专利权人：哈佛大学校长及研究员协会
申请日： 2013-09-26 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01M8/18 文献下载
摘要：本发明提供一种基于新的化学物质的电化学电池，用于大规模（例如电网规模）电能储存的液流电池。通过使所谓醌变成氢醌的有机小分子质子化，电能以化学方式储存在电化学电极。通过在另一个电极的补充电化学反应提供质子。使这些反应逆转以释放电能。基于该构思的液流电池可作为封闭系统操作。液流电池结构相对于固体电极电池对于大规模储能具有放大优势。
基于有机分子流电

[发明专利]用于互连的自对准阻挡层和封盖层-CN201510612232.7有效
发明人： R·G·戈登;H·B·班达理;Y·欧;Y·林 -专利权人：哈佛大学校长及研究员协会
申请日： 2010-10-20 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：提供了用于集成电路中铜导线的集成电路用互连结构和用于制造这种互连结构的方法。含有Mn、Cr和V的层形成抵抗铜从所述导线扩散出来的阻挡体，从而保护绝缘体免于过早断裂并且保护晶体管免于被铜降解。含有Mn、Cr和V的层还增进铜和绝缘体之间的强有力附着，因而保持器件在制造和使用期间的机械完整性，以及在器件的使用期间保护免遭因铜的电迁移所致的失效并且保护铜免受来自其环境的氧或水腐蚀。在形成此类集成电路时，本发明的某些实施方案提供了在铜表面上选择性沉积Mn、Cr、V或Co同时减少或甚至防止Mn、Cr、V或Co在绝缘体表面上沉积的方法。使用含有Mn、Cr或V的前体和含有碘或溴的前体，还提供铜的催化性沉积。
绝缘体集成电路互连结构使用期间前体沉积自对准阻挡层机械完整性选择性沉积催化性电迁移封盖层水腐蚀铜表面铜导线阻挡体晶体管互连附着降解绝缘制造断裂抵抗扩散

[发明专利]四脒基金属(IV)化合物及其在气相沉积中的用途-CN201210461421.5无效
发明人： R·G·戈登;J-S·莱恩;H·李 -专利权人：哈佛学院院长等
申请日： 2007-06-26 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： C07C257/14 文献下载
摘要：合成并表征了四(N,N’-二烷基脒基)金属(IV)。示例性金属包括铪、锆、钽、铌、钨、钼、锡和铀。这些化合物是挥发性，高热稳定的，且适用于金属与它们的氧化物、氮化物和其他化合物的气相沉积。
基金 iv 化合物及其沉积中的用途

[发明专利]用于互连的自对准阻挡层和封盖层-CN201080059054.5有效
发明人： R·G·戈登;H·B·班达理;Y·欧;Y·林 -专利权人：哈佛大学校长及研究员协会
申请日： 2010-10-20 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：提供了用于集成电路中铜导线的集成电路用互连结构和用于制造这种互连结构的方法。含有Mn、Cr和V的层形成抵抗铜从所述导线扩散出来的阻挡体，从而保护绝缘体免于过早断裂并且保护晶体管免于被铜降解。含有Mn、Cr和V的层还增进铜和绝缘体之间的强有力附着，因而保持器件在制造和使用期间的机械完整性，以及在器件的使用期间保护免遭因铜的电迁移所致的失效并且保护铜免受来自其环境的氧或水腐蚀。在形成此类集成电路时，本发明的某些实施方案提供了在铜表面上选择性沉积Mn、Cr、V或Co同时减少或甚至防止Mn、Cr、V或Co在绝缘体表面上沉积的方法。使用含有Mn、Cr或V的前体和含有碘或溴的前体，还提供铜的催化性沉积。
用于互连对准阻挡盖层

[发明专利]用于互连的自对准阻挡层-CN200980112816.0有效
发明人： R·G·戈登;H·金 -专利权人：哈佛学院院长等
申请日： 2009-03-20 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：用于集成电路的互连结构，其包括完全包围集成电路中的铜线的硅酸锰和氮化硅锰层，并提供用于制备这种互连结构的方法。硅酸锰形成抵抗铜从布线扩散出的阻挡层，从而保护绝缘体过早断裂，保护晶体管免于被铜降解。硅酸锰和氮化硅锰还增进了铜和绝缘体之间的强有力的附着，因此在制造和使用过程中保持了器件的机械完整性。在铜-硅酸锰和氮化硅锰界面上的强有力的附着还防止器件使用过程中由铜电子迁移引起的失效。含锰包覆层(sheath)还保护铜免于被环境中的氧气或水腐蚀。
用于互连对准阻挡

[发明专利]四脒基金属(IV)化合物及其在气相沉积中的用途-CN200780029810.8有效
发明人： R·G·戈登;J-S·莱恩;H·李 -专利权人：哈佛学院院长等
申请日： 2007-06-26 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： C07C257/14 文献下载
摘要：合成并表征了四(N，N’-二烷基脒基)金属(IV)。示例性金属包括铪、锆、钽、铌、钨、钼、锡和铀。这些化合物是挥发性，高热稳定的，且适用于金属与它们的氧化物、氮化物和其他化合物的气相沉积。
基金 iv 化合物及其沉积中的用途

[发明专利]氮化钨的汽相沉积-CN03819074.5无效
发明人： R·G·戈登;S·苏赫;J·贝克尔 -专利权人：哈佛学院院长等
申请日： 2003-07-09 - 公布日： 2005-09-28 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：通过二(烷基亚氨基)二(二烷基氨基)钨的蒸汽和路易斯碱或氢等离子体反应在基材上沉积氮化钨薄膜。例如，二(叔丁基亚氨基)二(二甲基氨基)钨的蒸汽和氨气以交替的剂量提供到加热至300℃的表面，产生的氮化钨涂层具有非常均匀的厚度和在长径比高达至少40∶1的孔穴中具有极好的阶梯覆盖。所述薄膜是金属的并且是好导电体。在微电子器件中合适的应用包括铜扩散的阻挡层和用于电容的电极。相似的方法沉积氮化钼，其适用于在X射线镜面中和硅交替的层。
氮化沉积

[发明专利]二氧化硅纳米层压材料的汽相沉积-CN03809539.4有效
发明人： R·G·戈登;D·豪斯曼;J·贝克尔 -专利权人：哈佛学院院长等
申请日： 2003-03-28 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明涉及在固体基材上薄膜沉积用材料与方法。通过含铝化合物与硅烷醇反应，在加热基材上沉积二氧化硅/氧化铝纳米层压材料。纳米层压材料在长宽比大于40∶1的空穴内具有非常均匀的厚度和优良的阶梯覆盖。该膜透明且是良好的电绝缘子。本发明还涉及尤其通过生产半多孔介电材料用的材料与方法，生产在微电子器件中，在导电体的绝缘中使用的改进多孔介电材料用的材料与方法，其中表面孔隙度显著下降或消除，同时保持内部孔隙度，以维持整个介电材料所需的低k值。还使用本发明，用低k介电材料选择填充窄槽，同时避免任何电介质在沟槽外部的表面上沉积。
二氧化硅纳米层压材料沉积

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