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[实用新型]一种由CMOS传输门和平板电容器构成的像素电路-CN201320358469.3有效
发明人：代永平;李明;刘彐娇;刘宇佳;史景祎;赵瑜;刘艳艳 -专利权人：南开大学
申请日： 2013-06-21 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： G02F1/1368 文献下载
摘要：一种由CMOS传输门和平板电容器构成的像素电路，属于硅基液晶显示器像素单元电路领域。该电路，主要由1个CMOS传输门（27）和1个平板电容器（33）通过串联组成；其中，CMOS传输门（27）由1个NMOS晶体管和1个PMOS晶体管通过并联组成。本实用新型充分利用了NMOS管和PMOS管互补的电学特性，可以得到1种开态电阻能够保持较低值的输入信号控制开关，这种控制开关具备CMOS传输门的结构特征及其电学信号传输完整性的优势。
一种 cmos 传输平板电容器构成像素电路

[发明专利]智能门及其控制方法-CN201510566889.4在审
发明人：梁爱民 -专利权人：梁爱民
申请日： 2015-09-09 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： G08B13/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种智能门及其控制方法，该智能门包括智能门主体，所述智能门主体上安装有红外传感器、图像信号采集器以及信号传输器；其中，所述红外传感器用于检测所述智能门的状态；所述图像信号采集器用于收集所述智能门外的图像信号；所述信号传输器用于将所述视频信号采集器采集到的图像信号，传输到预置的终端设备。通过本申请提供的一种智能门及其控制方法，该智能门结构简单合理，通过红外传感器监测该智能门是否属于暴力开启、门外是否有可疑人员活动，利用摄像头通过无线通讯技术将视频或图片传输到手机客户端，家居主人可根据实际情况用手机进行一键报警
智能及其控制方法

[发明专利]具有多路选择器功能的混合相位D触发器-CN202210456135.3有效
发明人：范志军;田文博;孔维新;杨作兴;郭海丰 -专利权人：深圳比特微电子科技有限公司
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H03K3/037 文献下载
摘要：本公开涉及一种具有多路选择器功能的混合相位D触发器，包括：传输门，所述传输门的数据输入端被配置为接收第一数据信号，所述传输门的时钟输入端被配置为接收第一时钟信号；三态门，所述三态门的数据输入端被配置为接收第二数据信号，所述三态门的时钟输入端被配置为接收第二时钟信号；反相锁存单元，所述反相锁存单元的数据输入端连接到传输门的输出端和三态门的输出端，所述反相锁存单元的时钟输入端被配置为接收第三时钟信号；以及反相器，所述反相器的输入端连接到反相锁存单元的输出端
具有选择器功能混合相位触发器

[发明专利]基于互联网的子母进户门及控制方法-CN202310894732.9有效
发明人：任萍;姚丽华;邹吉强;陈博 -专利权人：辽宁省智果数字科技有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G07C9/00 文献下载
摘要：本申请提供一种基于互联网的子母进户门及控制方法，基于互联网的子母进户门包括：门框、母门板、子门、门锁、摄像模块、语音通信模块、控制传输模块、电源模块以及终端模块；母门板与门框铰接，子门设置在母门板的底部，电源模块分别与门锁、子门、摄像模块、语音通信模块以及控制传输模块电连接；门锁和语音通信模块设置在母门板上；门锁、子门、摄像模块、语音通信模块以及终端模块与控制传输模块通信连接。控制传输模块通过获取终端模块发送的控制信号；根据控制信号生成控制指令；根据控制指令，控制指定模块执行控制指令，指定模块为门锁、子门、摄像模块、语音通信模块以及终端模块中任意一个或多个，以解决进户门功能单一的问题
基于互联网子母进户门控制方法

[实用新型]智能门-CN201520691666.6有效
发明人：梁爱民 -专利权人：梁爱民
申请日： 2015-09-09 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： G08B13/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种智能门，该智能门包括智能门主体，所述智能门主体上安装有红外传感器、图像信号采集器以及信号传输器；其中，所述红外传感器用于检测所述智能门的状态；所述图像信号采集器用于收集所述智能门外的图像信号；所述信号传输器用于将所述视频信号采集器采集到的图像信号，传输到预置的终端设备。通过本申请提供的一种智能门，该智能门结构简单合理，通过红外传感器监测该智能门是否属于暴力开启、门外是否有可疑人员活动，利用摄像头通过无线通讯技术将视频或图片传输到手机客户端，家居主人可根据实际情况用手机进行一键报警
智能

[发明专利]一种提升SRAM比特率的方法-CN202310889953.7在审
发明人：王寅 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：本发明提供一种提升SRAM比特率的方法，提供半导体结构，半导体结构设有传输门器件区域；传输门器件区域设有硅凸起；硅凸起上设有横跨在硅凸起上的伪栅极；去除伪栅极；在传输门器件区域的硅凸起上形成一层包裹硅凸起的本发明在SRAM器件中，在传输门的硅凸起结构上形成SiGe层以包裹，或者在SRAM中的纳米线外包裹一层SiGe层，通过压缩应力减小传输门的迁移率，从而增加比特率和静态噪声边限。
一种提升 sram 比特率方法

[发明专利]传递电路和存储装置-CN202110671532.8在审
发明人：马亮 -专利权人：珠海博雅科技有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：公开了一种传递电路和存储装置，该存储装置包括该传递电路，该传递电路包括预处理单元、锁存单元、第一传输门和第二传输门，预处理单元根据原始数据信号提供差分的第一总线信号和第二总线信号，第一总线信号和第二总线信号分别通过第一传输门和第二传输门提供至锁存单元本发明的传递电路通过锁存单元采样、锁存后获得原始数据信息，信息传输速度快，且锁存单元通过第一传输门和第二传输门获得第一总线信号和第二总线信号，保障了锁存单元获得的第一总线信号和第二总线信号的准确性，保障了信息传递的准确性
传递电路存储装置

[发明专利]一种基于循环反馈C单元的三节点翻转自恢复锁存器-CN202111517128.1在审
发明人：闫爱斌;位少杰;李志星;崔杰;周勇;倪天明;黄正峰 -专利权人：安徽大学
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H03K3/356 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于循环反馈C单元的三节点翻转自恢复锁存器，包括双循环结构存储模块和四个传输门，双循环结构存储模块由十二个二输入C单元组成，包括第一C单元CE1至第十二C单元CE12；所述四个传输门包括第一传输门TG1至第四传输门TG4；四个传输门的信号输入端均作为锁存器的数据输入端D，所述第五C单元CE5的输出端作为锁存器的数据输出端。本发明可靠性高，可容忍任意三节点翻转并且可自恢复；使用较少MOS管，降低了面积和功耗开销，并且提升了锁存器容忍能力，具有更为优越的性能；具有低延迟性，由于透明模式下，输入端与输入端之间只有一个传输门，所以本发明建立了更为高效的路径，因此传输延迟低。
一种基于循环反馈单元节点翻转恢复锁存器

[实用新型]一种基于双总线的安全门装置-CN201921360910.5有效
发明人：李振松;郑裕杰;邹瀛忠 -专利权人：广州安的电子科技有限公司
申请日： 2019-08-20 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： G07C9/00 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种基于双总线的安全门装置，包括控制中心、主门和副门，所述主门含有主门天线、主门读写器、报警器，所述副门含有副门天线、副门控制器、报警器，所述主门和所述副门之间形成检测通道，所述控制中心与所述副门连接，所述副门与所述主门连接，所述控制中心的第一信号端通过RS485总线与所述副门、所述主门的RS485信号端依次连接；所述控制中心的第二信号端分别通过CAN总线与所述副门、所述主门的CAN信号端连接；本实用新型通过同时采用RS485总线和CAN总线，以解决现有技术安全门传输数据通过单线传输导致时效性差的技术问题，从而采用双总线机制，对所有连接在总线上的安全门进行控制，进而实现提高安全门数据传输的时效性。
一种基于总线安全门装置

[发明专利]半导体结构及其形成方法、以及掩膜版版图-CN202110774621.5在审
发明人：金吉松 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法、以及掩膜版版图，形成方法包括：提供基底，包括衬底以及凸立于衬底的多个鳍部，鳍部沿第一方向延伸且沿第二方向平行排列，衬底包括多个存储单元区，存储单元区包括传输门晶体管区、下拉晶体管区和上拉晶体管区，在存储单元区中，衬底上形成有伪栅结构，伪栅结构覆盖鳍部的部分顶部和部分侧壁；在上拉晶体管区中，去除与传输门晶体管区相邻的鳍部上的伪栅结构，形成隔断开口，隔断开口露出与传输门晶体管区相邻的鳍部的顶部；在隔断开口中形成隔断结构后续形成栅极结构，传输门晶体管区的栅极结构由传输门晶体管区的鳍部延伸至隔断结构的长度较大，有利于降低形成传输门晶体管区对应的栅极结构的工艺难度。
半导体结构及其形成方法以及掩膜版版图

[发明专利]一种DRAM芯片的晶圆级测试结构和测试方法-CN201410828842.6有效
发明人：王正文 -专利权人：山东华芯半导体有限公司
申请日： 2014-12-27 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： G11C29/08 文献下载
摘要：芯片内部供电网络上的第一电源焊盘和第二电源焊盘；第二电源焊盘分别与内部供电网络通过电源通路连通设置，与内部电压网络通过电压通路连通设置，电压通路并联设置在电源通路上；电压通路和电源通路上分别通过输入输出端连接有第一传输门和第二传输门，第一传输门与第二传输门的控制端极性相反且接入同一控制信号。本发明所述测试方法是将内部电压网络连接在非测试用的电源焊盘上，然后在非测试用的电源焊盘与内部供电网络与内部电压网络的连接通路上分别设置传输门，两个传输门的控制端极性相反且接入同一控制信号；在晶圆级测试时将此电源焊盘作为测试焊盘使用
一种 dram 芯片晶圆级测试结构方法

[发明专利]全PDAF(相位检测自动聚焦)CMOS图像传感器结构-CN201710063231.0有效
发明人：周耕宇;庄君豪;曾建贤;杨敦年;江伟杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-02-03 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：第一和第二图像传感像素的每个分别具有左PD(相位检测)像素和右PD(相位检测)像素，左PD像素包括可操作地连接到左传输门的左光电二极管，右PD像素包括可操作地连接到右传输门的右光电二极管。第二图像传感像素的右传输门是第一图像传感像素的左传输门沿着第一和第二图像传感像素之间的边界线的镜像。第二图像传感像素的左传输门是第一图像传感像素的右传输门沿着边界线的镜像。
pdaf 相位检测自动聚焦 cmos 图像传感器结构

[发明专利]用于基于写入辅助的存储器操作的低电压自定时跟踪电路-CN201711136915.5有效
发明人： H·拉瓦特;A·帕沙克 -专利权人：意法半导体国际有限公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： G11C11/417 文献下载
摘要：本文中公开了一种电子器件，其包括位线和互补位线、交叉耦合的第一反相器和第二反相器、耦合在互补位线与第一反相器之间的第一传输门、以及耦合在位线与第二反相器之间的第二传输门。电子器件还包括交叉耦合的第三反相器和第四反相器、耦合在互补位线与第三反相器之间的第三传输门、以及耦合在位线与第四反相器之间的第四传输门。第一传输门和第三传输门并联耦合。
用于基于写入辅助存储器操作电压定时跟踪电路

[发明专利]一种三值化存内计算单元-CN202210873774.X有效
发明人：乔树山;李润成;尚德龙;周玉梅 -专利权人：中科南京智能技术研究院
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：的第一输入端与输入数据的符号位连接；选择器MUX的第二输入端与输入数据的符号位的相反数连接；选择器MUX的选择端通过位线BLR与第一SRAM的一个输出端连接；第一SRAM的另一个输出端与位线BLBR连接；选择器MUX的输出端与传输门T1及传输门T2的控制端连接；传输门T1及传输门T2的输入端与输入in连接；传输门T1的输出端通过字线WLL与第二SRAM连接；传输门T2的输出端通过字线WLR与第二SRAM连接；第二SRAM的输出端与位线
一种三值化存内计算单元

[实用新型]一种插座自动检测线-CN202022671638.1有效
发明人：黄宇兰;林红英 -专利权人：惠州市晟利科技有限公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： G01R31/69 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种插座自动检测线，包括机架，在机架的顶面上设置有传输通道和传送机构，沿传输通道的传输方向还依次设置有保护门检测机构、通断检测机构和保护门复位检测机构，保护门检测机构设置在机架内部，并设于传输通道下方，通断检测机构包括上通断检测组件和下通断检测组件，上通断检测组件设置在机架的顶面，下通断检测组件设置在机架内，并设置于传输通道下方，且与上通断检测组件相配合，保护门复位检测机构设置在机架内，并设置在传输通道下方本实用新型通过传送机构对插座进行传送，通过保护门检测机构、通断检测机构和保护门复位检测机构对插座进行检测，以此来提高自动化程度，并提高检测效率及检测精准度。
一种插座自动检测

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