[实用新型]一种由CMOS传输门和平板电容器构成的像素电路有效
| 申请号： | 201320358469.3 | 申请日： | 2013-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN203324621U | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 代永平;李明;刘彐娇;刘宇佳;史景祎;赵瑜;刘艳艳 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | G02F1/1368 | 分类号： | G02F1/1368 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300071*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种由CMOS传输门和平板电容器构成的像素电路，属于硅基液晶显示器像素单元电路领域。该电路，主要由1个CMOS传输门（27）和1个平板电容器（33）通过串联组成；其中，CMOS传输门（27）由1个NMOS晶体管和1个PMOS晶体管通过并联组成。本实用新型充分利用了NMOS管和PMOS管互补的电学特性，可以得到1种开态电阻能够保持较低值的输入信号控制开关，这种控制开关具备CMOS传输门的结构特征及其电学信号传输完整性的优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 传输 平板 电容器 构成 像素 电路 | ||
【主权项】：
一种由CMOS传输门和平板电容器构成的像素电路，其特征在于该电路由1个CMOS传输门（27）和1个平板电容器（33）通过电学串联组成；其中，CMOS传输门（27）由1个NMOS晶体管（19）和1个PMOS晶体管（8）通过电学并联组成。
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式中，R1及R2各自独立地表示碳原子数1～8的烷基、碳原子数2～8的烯基、碳原子数1～8的烷氧基或碳原子数2～8的烯氧基，A表示1,4‑亚苯基或反式‑1,4‑亚环己基，k表示1或2，当k为2时，两个A可以相同也可以不同。
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- 2013-07-24 - 2018-02-06 - G02F1/1368
- 提供不降低开口率且具有电荷容量增大的电容器的半导体装置。该半导体装置包括具有透光性半导体膜的晶体管、介电膜设置在一对电极之间的电容器、设置在透光性半导体膜上的绝缘膜、以及设置在绝缘膜上的透光性导电膜。在电容器中，至少包含铟（In）或锌（Zn）且形成在与晶体管的透光性半导体膜同一表面上的金属氧化物膜用作一个电极，透光性导电膜用作另一个电极，并且，设置在透光性半导体膜上的绝缘膜用作介电膜。
- 有源矩阵基板、液晶面板以及有源矩阵基板的制造方法-201680031955.0
- 吉田昌弘;冨永真克;古川智朗;森永润一 - 夏普株式会社
- 2016-05-27 - 2018-01-19 - G02F1/1368
- TFT(21)的漏极电极(25)同与栅极线(23)一体形成的栅极电极重叠。像素电极(22)具有形成于栅极线(23)的第一侧的主体部；和沿数据线(24)的延伸方向延伸并覆盖栅极电极与漏极电极(25)的重叠部分的扩张部。漏极电极(25)未形成于栅极线(23)的第二侧，而像素电极(22)的扩张部也形成于栅极线(23)的第二侧。在像素电极(22)的位置沿数据线(24)的延伸方向偏移的情况下，像素电极(22)的扩张部与栅极线(23)重叠的部分的面积也不会变化，因此能够将TFT(21)的漏极‑源极间的寄生电容保持为恒定。由此，防止由TFT(21)的栅极‑漏极间的寄生电容的偏差而引起的显示质量的降低。
- 专利分类
