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[发明专利]一种快速制备大面积均匀黑硅材料的方法和设备-CN201110260886.X无效
发明人：邱荣;李晓红;王俊波;周自刚;胡思福 -专利权人：西南科技大学
申请日： 2011-09-05 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： C30B33/00 文献下载
摘要：本发明公开的是一种利用脉冲激光光栅式扫描快速制备大面积黑硅材料的方法和设备。所述方法包括以下步骤：步骤1，将硅基片放置于黑硅制备环境中；步骤2，对激光光束整形并汇聚为带状光斑，辐照硅基片表面；步骤3，利用所述激光对硅基片表面进行光栅式扫描，在硅片表面生长微结构形成黑硅。本发明的方法和设备能够直接在2英寸、4英寸，甚至更大的硅片上通过一次性扫描制备黑硅，且制备出的黑硅表面微结构均匀性好，可以满足大批量生产的实际要求。
一种快速制备大面积均匀材料方法设备

[实用新型]一种黑硅基紫外光电传感器-CN202122838548.1有效
发明人：张晶茹 -专利权人：山西广维海事科技有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本实用新型涉及光电传感器领域，具体涉及一种黑硅基紫外光电传感器，包括硅衬底、黑硅结构、氧化铝薄膜、P型掺杂区、N型掺杂区、电极和欧姆接触区，所述硅衬底为N型高阻硅片，与所述P型掺杂区和N型掺杂区共同构成PIN型光电探测器结构，所述黑硅结构由纳米结构与烟囱状或蜂窝状的微米结构复合所得，设置在硅衬底的正面；所述氧化铝薄膜通过原子层沉积技术沉积在黑硅结构表面，所述电极分为Ti电极和Au电极，所述欧姆接触区设置在硅衬底正面，与黑硅结构的边缘接触以确保导通。本实用新型可以实现对近紫外波段的探测且具有高量子效率，将微米结构设置成烟囱状、蜂窝状，改变了硅材料的能带结构，制备的黑硅反射率明显减少。
一种黑硅基紫外光电传感器

[发明专利]一种湿法黑硅制绒清洗槽、制绒机台及湿法黑硅制绒方法-CN201811068621.8在审
发明人：孟少东;黄明;李超;徐昆 -专利权人：江西展宇新能源股份有限公司
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种湿法黑硅制绒清洗槽，包括槽体、花篮、加热板、循环管道及循环泵，在所述湿法黑硅制绒清洗槽中，通过兆声波发生器，所述兆声波发生器设置在所述槽体的底部，用于产生高能声波，推动清洗液分子连续冲击黑硅基片表面本发明通过推动清洗液分子连续冲击黑硅基片表面，使黑硅基片表面吸附的颗粒等污染物离开基片进入溶液中，从而去除黑硅基片表面的污染物，除此之外，兆声波发生器产生的高能声波，可用于清除小于1微米的污染物微粒，同时对表面的损伤较小本申请还公开了一种具有上述有益效果的制绒机台及湿法黑硅制绒的方法。
黑硅湿法基片表面制绒制绒清洗发生器兆声波机台声波连续冲击清洗液槽体污染物污染物微粒循环管道加热板循环泵可用去除吸附花篮损伤申请

[发明专利]一种湿法黑硅的选择发射极制作方法及一种太阳能电池-CN201711321456.8有效
发明人：张艳鹤;金井升;张昕宇;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种湿法黑硅的选择发射极制作方法及一种太阳能电池，该方法包括对对硅片进行湿法制绒，形成黑硅表面；在所述黑硅表面进行扩散，形成n型元素掺杂区域；在所述黑硅表面与待制作金属栅线位置相对应的区域进行激光刻槽该太阳能电池包括在黑硅表面的上述选择发射极，所述选择发射极中设置有金属栅线。上述湿法黑硅的选择发射极的制作方法及太阳能电池，能够促进电池片与栅线之间的电荷传输性能，提高湿法黑硅电池的光电转化效率。
一种湿法选择发射极制作方法太阳能电池

[实用新型]一种黑硅电池高CTM光伏组件-CN201821978377.4有效
发明人：郭敏;宋令枝;马建峰;丁振华;李景龙;冯婧婧;袁志林;郑乐;程俊雨;葛祖荣 -专利权人：浙江昱辉阳光能源江苏有限公司
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种黑硅电池高CTM光伏组件，属于太阳能电池技术领域。该黑硅电池高CTM光伏组件,包括层压件和铝边框，铝边框封装在层压件的四周，层压件包括从受光面向下依次设置的钢化玻璃、高透热熔胶膜、黑硅电池片、UV截止热熔胶膜、背板和第一金属橡胶层，黑硅电池片为包括若干呈矩阵排列的五主栅线多晶黑硅电池片，多晶黑硅电池片的主栅线之间设有连接的焊带，层压件的侧面和铝边框之间设置有第二金属橡胶层。本实用新型利用黑硅电池片的内陷光吸光技术能提高组件的转换效率1%以上，从而提升组件填充因子，最终达到提高组件光电转换效率的效果。
黑硅电池片层压件光伏组件铝边框本实用新型金属橡胶提高组件电池主栅线多晶钢化玻璃太阳能电池技术光电转换效率矩阵排列热熔胶膜提升组件填充因子依次设置转换效率熔胶膜受光面背板焊带内陷透热吸光封装截止侧面

[发明专利]一种通过重复利用无氮黑硅清洗液对硅片进行制绒的方法-CN201810752362.4有效
发明人：刘尧平;赵燕;王燕;杜小龙;朱姚培;唐磊;蒋健;王磊 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2018-07-10 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过重复利用无氮黑硅清洗液对硅片进行制绒的方法，包括：(1)将硅片浸入含有铜盐、氢氟酸和双氧水的黑硅制绒液中进行制绒；(2)用去离子水清洗制绒后的硅片，吹干；(3)采用包含选自氢氟酸、盐酸、硫酸和醋酸中的一种或多种酸以及双氧水的无氮黑硅清洗液清洗吹干后的硅片；(4)用去离子水清洗无氮黑硅清洗液清洗后的硅片，吹干，制得具有绒面结构的硅片；和(5)重复步骤(1)至(4)，直至无氮黑硅清洗液达到使用寿命，以达到使用寿命的无氮黑硅清洗液为原料配制所述黑硅制绒液。本发明方法可以简单、有效地实现无氮黑硅清洗液特别是其中的金属离子的重复利用，降低了制绒成本和废水处理成本，绿色环保。
一种通过重复利用无氮黑硅清洗硅片进行方法

[发明专利]一种制造宽波段高吸收黑硅材料的方法-CN201410296521.6无效
发明人：李世彬;王健波;余宏萍;张鹏;吴志明 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-06-27 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种制造宽波段高吸收黑硅材料的方法，包括：获取P型重掺杂硅衬底；使用电感耦合等离子体-反应离子刻蚀法（ICP-RIE）对硅衬底进行刻蚀，在硅衬底表面上形成黑硅层；在黑硅层表面沉积钝化层本发明的实施例的方法中，采用的是P型重掺杂硅衬底，并且选用ICP-RIE对硅表面进行刻蚀，由于ICP刻蚀选择比高，均匀性好，刻蚀的垂直度和光洁度较高，因此可以获得更好的截面形貌且污染较少。刻蚀之后获得的黑硅材料再通过原子层沉积(ALD)在黑硅层表面沉积一层Al₂O₃钝化层，可以降低反射，减少表面电荷复合率。
一种制造波段吸收材料方法

[发明专利]一种重度修饰黑硅材料的三维仿真模型建立及仿真方法-CN202310217056.1在审
发明人：王辉;李雨航;王栋 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明涉及黑硅材料仿真分析技术领域，提供了一种重度修饰黑硅材料的三维仿真模型建立及仿真方法。本发明重构得到的重度修饰黑硅材料的三维仿真模型，在实现精确还原重度修饰黑硅材料的纳米结构的基础上，能够自由调整粗糙随机表面层中各硅柱的相对高度及其他几何参数，有利于后续通过对该三维仿真模型进行仿真分析来实现定性甚至定量的直接预测重度修饰黑硅材料的远场光学响应
一种重度修饰材料三维仿真模型建立方法

[发明专利]一种黑硅材料及其制备方法-CN201910312443.7有效
发明人：吕坚;祝威;李小飞;杨凯;阙隆成 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-04-18 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种黑硅材料及其制备方法，解决了现有的硒元素掺杂黑硅材料制备方法的不足，制备方法包括：获取清洁衬底；采用热蒸发法在衬底表面沉淀一层硒膜；在氟化氢气体氛围下，利用飞秒激光扫描烧蚀；除去材料表面氧化硅，得到黑硅材料。本发明在飞秒激光烧蚀衬底材料的过程中，引入了氟元素，借助氟元素与衬底硅材料产生的化学反应，制备得到的黑硅材料，表面具有微结构尖锥阵列，即“黑森林”结构，这种黑硅材料具有很强的陷光性，因此这样获得的黑硅材料的吸收波长得到扩展
一种材料及其制备方法

[发明专利]一种银铜双金属MACE法制备黑硅结构的方法-CN201610898676.6有效
发明人：沈鸿烈;郑超凡;蒲天;蒋晔;吴兢 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种低成本的制备黑硅结构的方法，属于光电技术领域。将清洗好的硅片置于H₂O₂、HF、AgNO₃、Cu(NO₃)₂和超纯水的混合溶液中腐蚀以制备黑硅纳米减反结构；(3)采用纳米重构溶液对黑硅结构进行优化处理，形成均匀的倒金字塔结构。该发明采用Ag和Cu双金属辅助于多晶硅表面进行化学腐蚀，相对于现有的Ag辅助化学腐蚀，该发明使AgNO₃消耗量降低几十倍以上，且工艺简单，降低了黑硅制备成本，可实现大面积黑硅的批量制备，并利用纳米重构溶液对黑硅结构进行优化处理的方法，在高转换效率的黑硅太阳电池制备中有巨大的应用潜力。
一种双金属 mace 法制备黑硅结构方法

[发明专利]一种选择性发射极黑硅电池及其制作方法-CN201611035207.8在审
发明人：李化阳;张良;李良;王霞;姚玉;任海兵 -专利权人：镇江大全太阳能有限公司
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明涉及一种选择性发射极黑硅电池，包括电池银栅线、氮化硅膜、黑硅绒面、选择性发射极、硅衬底及铝背场，该选择性发射极黑硅电池的制作方法包括如下步骤：1硅片去损伤层/抛光工艺；2正面PN结工艺；3发射极掩膜形成；4磷硅玻璃层和掩膜去除工艺；5反应离子刻蚀形成黑硅绒面工艺；6黑硅绒面修复工艺；7镀减反射膜；8丝网印刷和烧结工艺。该选择性发射极黑硅电池及其制作方法将黑硅工艺放置在扩散工艺后，使用抛光技术，有效避免由于RIE绒面形貌导致的扩散PN掺杂浓度不均的问题，减少干法制绒后绒面形貌对扩散后PN结深的影响，改善PN结的均匀性，提高产品的质量，同时将选择性发射极技术与黑硅制绒工艺结合在一起，进一步提高电池片转换效率。
黑硅选择性发射极电池绒面形貌掩膜制作反应离子刻蚀磷硅玻璃层扩散氮化硅膜减反射膜扩散工艺浓度不均抛光工艺抛光技术去损伤层烧结工艺丝网印刷修复工艺正面PN结制绒工艺转换效率电池片发射极硅衬底均匀性铝背场银栅线硅片后绒去除掺杂

[发明专利]从用于等离子体处理设备的硅和碳化硅电极表面除去黑硅和黑碳化硅的方法-CN200580046637.3有效
发明人： E·马格尼;M·凯利;R·赫夫蒂;M·鲁潘 -专利权人：兰姆研究公司
申请日： 2005-12-15 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： B44C1/22 文献下载
摘要：提供了一种从等离子体处理腔的上电极的等离子体暴露表面除去黑硅或黑碳化硅的方法。该方法包括使用包含含氟气体的气体组合物形成等离子体，并且用该等离子体从表面除去黑硅或黑碳化硅。该方法还可以从上电极以外的处理腔中元件的表面除去黑硅或黑碳化硅。
用于等离子体处理设备碳化硅电极表面除去方法

[发明专利]垂直型ITO/黑硅光电探测器及其制备方法-CN202310499466.X在审
发明人：张玉平;唐利斌;邓功荣;吴刚;袁绶章;王博;宋立媛;赵鹏;王静宇;岳彪;王海澎;刘燕;辛永刚;王琼芳;苏润洪;魏虹;姬玉龙;黄俊博;李红福;李轶民;敖雨;彭秋思;吴强 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：垂直型ITO/黑硅光电探测器及其制备方法，涉及光电器件成像技术领域，尤其是一种高性能垂直型ITO/黑硅可见‑近红外光电探测器的制备技术。该光电探测器基于n型硅衬底，正面为高掺杂浓度的p型层。器件背面的n型层为过饱和掺杂的黑硅层，并在黑硅表面覆盖透明电极ITO，来改善黑硅微结构的表面特性，抑制表面复合，增强载流子的分离，以提升光电探测器的光电响应性能。通过利用ITO作为黑硅微结构表面的电极，可以很好的抑制表面复合，增强光生载流子的分离，使器件具有高的光电响应性能，在发展低成本的硅基红外探测器方面，具有重要的应用前景。
垂直 ito 光电探测器及其制备方法

[实用新型]AZO-黑硅异质结太阳能电池-CN201220432470.1有效
发明人：夏洋 -专利权人：夏洋
申请日： 2012-08-28 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种AZO-黑硅异质结太阳能电池，包括表面保护层、金属栅电极、AZO薄膜、黑硅层、晶硅层和金属背电极，所述表面保护层位于金属栅电极之上，所述金属栅电极位于AZO薄膜上，所述AZO薄膜位于黑硅层之上，所述黑硅层位于晶硅层之上，所述晶硅层位于金属背电极上。本实用新型的有益效果：在黑硅结构表面沉积n型AZO薄膜，形成异质结太阳能电池，提高太阳能电池的开路电压与短路电流，进而提高太阳能电池的转化效率；并简化了太阳能电池的结构，降低了生产成本。
azo 黑硅异质结太阳能电池

[发明专利]一种干法黑硅电池的制备方法-CN201910348032.3在审
发明人：沈晓 -专利权人：江苏格林保尔光伏有限公司
申请日： 2019-04-28 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于电池片生产技术领域，具体涉及一种干法黑硅电池的制备方法。相较传统干法黑硅电池的制备方法，本发明通过调整RIE的工艺参数，以控制黑硅纳米绒面宽度和深度，降低黑硅表面复合，提升短波光谱响应。同时采用热氧化工艺制备SiO₂膜，SiO₂膜和SiNx膜相辅相成，协同作用于钝化发射极，进一步降低黑硅表面复合，提升开路电压，最终达到提升电池片转换效率的目的
黑硅制备干法表面复合电池短波光谱响应电池片生产热氧化工艺开路电压转换效率电池片发射极钝化绒面