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[发明专利]一步法湿法黑硅制备以及表面处理方法-CN201610595316.9有效
发明人：韩庚欣;丁晓辉;韩冰;徐涛 -专利权人：南京科乃迪科环保科技有限公司
申请日： 2016-07-26 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一步法湿法黑硅制备以及表面处理方法，包括以下步骤将去除表面损伤层后的硅片浸入腐蚀液中反应制得黑硅；所述腐蚀液为含金属离子的浓氢氟酸、氧化剂和高分子聚合物的混合水溶液；将黑硅浸入表面处理腐蚀液中进行表面优化处理本发明提供的湿法黑硅制备方法工艺简单、成本低廉，经腐蚀处理的黑硅绒面表面均匀且无尖锐边界、反射率在7‑15％，该方法大大提高了硅电池对光的吸收效率，利用该方法制得的黑硅制得的太阳能电池具有较低的电池漏电率
一步法湿法制备以及表面处理方法

[发明专利]多晶黑硅的扩孔工艺-CN201711005422.8有效
发明人：章圆圆;常振宇;陈其成 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2017-10-23 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶黑硅的扩孔工艺，先采用金属辅助湿法化学刻蚀，将金刚线切割多晶硅片制备成带纳米孔洞的多晶黑硅；再分两步对上述带纳米孔洞的多晶黑硅进行扩孔处理。本发明通过双槽两步扩孔工序，使扩孔反应可控，能分别控制预扩孔、再扩孔的腐蚀深度和腐蚀效果，获得外观良好、CTM较高且具有蜂巢结构孔洞的多晶黑硅。
多晶扩孔工艺

[发明专利]黑有机硅耐热餐具漆及制造方法-CN92106101.3无效
发明人：强文友;杨金洪;郑辉太;郑德守 -专利权人：鞍山市树脂厂
申请日： 1992-03-25 - 公布日： 1992-09-09 - 主分类号： C09D183/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种黑有机硅耐高温餐具漆及其制造方法，其特征是黑有机硅耐热餐具漆的配方，黑有机硅耐热餐具漆的制造工艺。按配方比取有机硅苯基单体、有机硅甲基单体经水解、水洗、浓缩、缩聚制成半成品漆基，再加入黑色耐热颜料及填料，在研磨、对稀、过滤制成黑有机硅耐热餐具漆。
有机硅耐热餐具制造方法

[发明专利]一种测量黑硅材料与金属电极之间欧姆接触电阻率的方法-CN201210237942.2有效
发明人：李伟;李雨励;余峰;李世彬;吴志明;蒋亚东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-07-11 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种测量黑硅材料与金属电极之间欧姆接触电阻率的方法，其方案为：针对在单晶硅表面通过刻蚀得到的黑硅材料，在其表面用欧姆接触制备工艺沉积至少6个圆点形金属电极；在单晶硅背面沉积金属对电极；使用热压焊工艺从每一个圆点形金属电极的内接触圆引出极细的金属线，然后分别将金属丝键合到面积较大的外引电极上；用可变电压源在每一圆点形金属电极与对电极之间持续提供恒定的反向电压偏置，确保黑硅/单晶硅异质结完全反偏；在确保黑硅/单晶硅异质结完全反偏的条件下，通过圆点形传输线模型法对金属/黑硅比接触电阻率进行测试。
一种测量材料金属电极之间欧姆接触电阻率方法

[发明专利]一种异质结太阳能电池及其制备方法-CN201110263401.2有效
发明人：夏洋;刘邦武;沈泽南;李超波;刘杰;李勇滔 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-09-07 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：所述太阳能电池包括金属栅电极、导电薄膜、非晶硅薄膜、黑硅层、晶硅和金属背电极；金属背电极位于晶硅的背面，黑硅层位于晶硅上，非晶硅薄膜位于黑硅层上，导电薄膜位于非晶硅薄膜上，金属栅电极位于导电薄膜上。本发明通过在黑硅结构上制备非晶硅薄膜，形成异质结太阳能电池，提高了太阳能电池的开路电压和短路电流，进而大大提高了太阳能电池的转化效率。
一种异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种通过重复利用黑硅清洗液对硅片进行制绒的方法-CN201810750853.5有效
发明人：赵燕;刘尧平;王燕;杜小龙;朱姚培;唐磊;蒋健;王磊 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2018-07-10 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过重复利用黑硅清洗液对硅片进行制绒的方法，包括：(1)将硅片浸入包含0.01‑200mmol/L的金属离子盐、1‑10mol/L的氢氟酸和0.1‑10mol/L的黑硅制绒液中进行制绒；(2)用去离子水清洗制绒后的硅片，吹干；(3)采用20‑80wt％的硝酸溶液清洗步骤(2)中得到的吹干后的硅片以去除沉积在硅片表面上的金属颗粒；(4)用去离子水清洗黑硅清洗液清洗后的硅片，吹干，制得具有绒面结构的硅片；和(5)重复步骤(1)至(4)，直至黑硅清洗液达到使用寿命，以达到使用寿命的黑硅清洗液为原料配制黑硅制绒液。本发明方法可以简单、有效地实现黑硅清洗液特别是其中的金属离子的重复利用，降低了制绒成本和废水处理成本，绿色环保。
一种通过重复利用清洗硅片进行方法

[实用新型]一种黑硅电池片的高效清洗装置-CN201920075492.9有效
发明人：陈桂宝;王磊;朱姚培;蒋健;徐爱春 -专利权人：江苏荣马新能源有限公司
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： B08B3/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了黑硅电池片领域的一种黑硅电池片的高效清洗装置，包括水池槽，两个固定架固定在所述水池槽的两侧，液压缸固定在所述固定架的内部，升降柱升降连接在所述液压缸的上端，捞取框设于所述水池槽的内部，支撑板固定在所述捞取框的上表面；本实用新型超声波发生器发出超声波，带动水振动，达到清洗黑硅电池片的效果，清洗完毕后液压缸带动升降柱升起，并带动捞取框升起，捞取框上的漏水孔将水排出，便于工作人员拿取黑硅电池片，清洗后的黑硅电池片从上而下依次放入多个托板，电机的输出端转动带动扇叶转动，将风吹至黑硅电池片上，小通风孔可以将风通入下方，也可以将水排入下方，达到快速烘干黑硅电池片的效果。
电池片黑硅捞取水池槽高效清洗装置清洗本实用新型固定架升降柱液压缸水排转动超声波发生器从上而下后液压缸快速烘干升降连接小通风孔超声波漏水孔上表面输出端支撑板上端放入风吹风通框设拿取扇叶托板电机

[发明专利]一种背光面黑硅太阳能电池结构及其制作方法-CN201010113777.0无效
发明人：朱洪亮;朱小宁;刘德伟;马丽;赵玲娟 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-02-24 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明公开了一种背光面黑硅太阳能电池结构，该结构包括：硅基衬底；在硅基衬底正面制作的陷光材料层；以及在硅基衬底背面制作的广谱吸收黑硅材料层。本发明同时公开了一种制作背光面黑硅太阳能电池结构的方法。利用本发明，能充分利用黑硅材料广谱吸收的特点，使进入电池的太阳光几乎能被全部吸收，为光电流作出贡献，解决了传统硅基电池受红外吸收限制，不能吸收和转化1.1μm以上波长太阳光谱的问题，有效提高了硅基太阳能电池的光电转换效率
一种光面太阳能电池结构及其制作方法

[发明专利]一种黑硅太阳能电池表面的钝化方法-CN201110380033.X无效
发明人：夏洋;刘邦武;钟思华;李超波;李勇滔 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-11-25 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种黑硅太阳能电池表面的钝化方法，属于晶体硅太阳能电池制备技术领域。所述方法包括：向六氟硅酸溶液分别加入二氧化硅粉末、去离子水和硼酸粉末，制备二氧化硅沉积溶液；将扩散后的黑硅硅片浸没入二氧化硅沉积溶液中，在黑硅硅片表面沉积生成一层二氧化硅薄膜。本发明通过液相沉积二氧化硅的方法，在黑硅硅片表面镀上一层均匀的高质量二氧化硅薄膜，从而较好地钝化了黑硅表面的悬挂键，有效地提高了黑硅太阳能电池的少子寿命和开路电压，提高了黑硅太阳能电池的光电转换效率。
一种太阳能电池表面钝化方法

[实用新型]一种清洗黑硅电池片的装置-CN201420815906.4有效
发明人：罗西佳;蒋仙;吴而义;李华;范琼;刘林华 -专利权人：无锡德鑫太阳能电力有限公司
申请日： 2014-12-19 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种清洗黑硅电池片的装置，包括金属工作槽、坩埚和超声波发生器，所述坩埚位于立方体形金属工作槽内部，所述金属工作槽底部设有多个超声波发生器；所述金属工作槽与坩埚之间设有间隙；所述坩埚中盛放硝酸溶液用于清洗黑硅电池片；本实用新型提供了一种避免金属残留，保证黑硅电池的电性能的清洗黑硅电池片的装置。
一种清洗电池装置

[发明专利]一种黑硅材料表面金属电极的制备方法-CN201210040263.6有效
发明人：李伟;李雨励;赵国栋;李世彬;吴志明;蒋亚东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-02-22 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：一种黑硅材料表面金属电极的制备方法，属于半导体光电子材料与器件技术领域。该方法包括：步骤1：化学镀前预处理；步骤2：用化学镀工艺在黑硅材料表面沉积一层过渡层；步骤3：干燥；步骤4：用蒸发或溅射工艺在过渡层上沉积金属电极层；步骤5：退火；步骤6：光刻形成电极形状。本发明利用化学镀的自催化镀膜原理，在金属电极与黑硅表面增加了一层化学镀层作为过渡层，能够提高金属电极与黑硅材料表面的结合力，降低接触电阻；本发明用于基于黑硅材料的硅光电探测器或太阳能电池，能有效提高器件效率及响应速度且制备工艺简单
一种材料表面金属电极制备方法

[发明专利]一种微结构周期可控的大面积黑硅的制造方法-CN201210523560.6有效
发明人：王作斌;张子昂;王大鹏;于淼;宋正勋;翁占坤;胡贞;许红梅 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提出一种利用激光干涉技术快速制造大面积黑硅的方法。利用特定多光束干涉组合，形成点阵周期光场分布，在含硫化合物气氛环境下，利用较大的干涉光场分布和控制硅材料样品的二维平面位移，结合硅材料的激光刻蚀阈值，直接在硅材料表面快速形成大面积黑硅表面结构。通过对干涉光场的控制，可以获得结构周期可变的黑硅表面结构。同时该方法解决了传统飞秒激光扫描方法难以快速获得大面积黑硅表面结构以及结构周期不可控的局限。另外还具有系统结构简单，加工成本低的优点。
一种微结构周期可控大面积制造方法

[发明专利]一种黑硅MSM结构光电探测器及其制备方法-CN201010249481.1无效
发明人：蒋亚东;赵国栋;吴志明;李伟;姜晶;张安元;郭正宇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2010-08-10 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明公开了一种黑硅MSM光电探测器，包括单晶硅衬底，其特征在于，在所述单晶硅衬底表面设置有作为光敏区的黑硅薄膜层，在所述黑硅薄膜层设有叉指电极，叉指电极下方设有势垒层，在没有设置叉指电极的区域设置有钝化层
一种 msm 结构光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种硅表面制作密度可调的锥状陷光结构的方法及制得的黑硅-CN201911089405.6有效
发明人：徐丽华;褚卫国;陈佩佩;闫兰琴 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅表面制作密度可调的锥状陷光结构的方法及制得的黑硅，所述方法包括：1)采用等离子体处理方法，对硅片进行表面处理，在硅片表面形成点状非连续SiOx掩膜，处理时间决定黑硅锥状结构的密度；2)然后进行等离子体刻蚀，即在硅表面制得锥状陷光结构，刻蚀时间决定锥状结构的深度。本发明的方法能够在硅片上形成具有很强吸光特性的黑硅，吸光特性可通过结构的密度和深度分别进行调控。而且，该方法工艺流程简单、成本低、重复性好，能够直接制备大面积的黑硅，具有很高的制备效率，适用于实际生产的批量制备，且制备的黑硅光吸收性能十分优异。
一种表面制作密度可调锥状陷光结构方法

[发明专利]一种基于机械研磨辅助腐蚀的黑硅制作方法-CN202110624638.2在审
发明人：黄建;江海波;鄢真真;雷仁方;钟玉杰;李睿智 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及光电探测器制备技术领域，特别涉及一种机械研磨辅助腐蚀的黑硅制作方法，制备方法包括对硅晶圆进行清洗；以含有金刚砂的减薄垫和含有SiO2磨料的研磨液辅助，采用机械研磨工艺对硅晶圆表面进行预处理，在硅晶圆表面产生粗糙表面与微损伤；对硅晶圆表面进行清洗；采用包括硝酸、氢氟酸、磷酸以及硫酸的混合液以湿法腐蚀的工艺在硅晶圆表面制备出黑硅微结构；对硅晶圆进行清洗，完成黑硅制备；本发明采用机械研磨形成微损伤与粗糙表面辅助湿法腐蚀制备黑硅，具有近红外吸收效果好，暗电流低，工艺简单，均匀性好，便于批量生产，成本低，与硅光电器件工艺兼容性好等优点。
一种基于机械研磨辅助腐蚀制作方法