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[发明专利]一种银辅助湿法刻蚀黑硅的制备方法-CN202210240429.2在审
发明人：明安杰;张少勋;赵永敏;韩雨庐;连紫薇 -专利权人：有研工程技术研究院有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了属于光学器件技术领域的一种银辅助湿法刻蚀黑硅的制备方法。所述方法通过磁控溅射的方法，在单晶硅或CVD多晶硅衬底上沉积制备银纳米颗粒的点阵或图案，然后将沉积后的衬底置于反应溶液中进行刻蚀，刻蚀方向为银纳米颗粒与衬底的竖直方向，得到图案化纳米硅柱结构，最后去除银纳米颗粒经干燥得到图案化黑硅本发明方法制备的银辅助湿法刻蚀黑硅实现晶圆级制备，使纳米硅柱直径、间距可控，并具有较好的重复性，同时引入光刻工艺实现图形化。
一种辅助湿法刻蚀制备方法

[发明专利]利用黑滑石制备硅-碳纳米复合材料的方法、产品及应用-CN202111094497.4有效
发明人：陈情泽;朱润良;杜静;韦寿淑;何宏平;朱建喜 -专利权人：中国科学院广州地球化学研究所
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了利用黑滑石制备硅‑碳纳米复合材料的方法、产品及应用，涉及无机纳米材料制备技术领域。该方法包括：将黑滑石与还原性金属的混合物在球磨作用下发生还原反应。该方法利用黑滑石作为原料，提高了黑滑石的利用价值。由于黑滑石同时含有硅和碳两种元素，且分别以硅氧四面体片和类石墨烯片层的形式存在，层间不含水，层电荷为零，片层与片层间以较弱的范德华力结合，本申请中通过球磨剥离片层，暴露硅氧四面体片，使得还原性金属与硅氧四面体充分接触制备获得的硅‑碳纳米复合材料呈现层状形貌、多级孔结构，具有良好的硅碳界面稳定性，可广泛应用于锂电子电池中。
利用滑石制备纳米复合材料方法产品应用

[发明专利]采用宽脉冲激光器光源扫描辐照制作黑硅材料的方法-CN200910078864.4无效
发明人：梁松;朱洪亮;林学春;韩培德;王宝华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-03-04 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： C30B33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用宽脉冲激光器光源扫描辐照制作黑硅材料的方法，该方法包括：步骤1：将硅片置于硫系物质环境中；步骤2：利用经过透镜聚焦的激光扫描辐照硅片表面，形成具有硅微锥、硅微粒和硅微洞的黑硅材料。用这类宽脉冲激光器光源扫描置于硫系物质环境下的硅晶片，可以制作出对全太阳光谱有强吸收作用的硅微锥、微粒和微孔的黑硅微结构材料。
采用脉冲激光器光源扫描辐照制作材料方法

[发明专利]降低黑硅材料在红外波段吸收退化的方法-CN201410781665.0无效
发明人：杨海贵;王延超;李资政;王笑夷;申振峰;刘震;刘海;高劲松 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2015-08-04 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：降低黑硅材料在红外波段吸收退化的方法，涉及半导体光电子材料领域，解决了在黑硅光电二极管的制作过程中存在的退火后黑硅材料在红外波段的吸收下降从而使得黑硅光电探测器的红外性能下降的问题。sub>6、SeF₆、SO₂、H₂S、H₂Se中的一种或多种，利用飞秒激光在混合气体中按扫描硅片表面，对黑硅退火处理本发明有效的抑制了硫系原子在高温退火时向晶界扩散，从而使得飞秒激光加工微结构黑硅在近红外的高吸收得以保持。
降低材料红外波段吸收退化方法

[实用新型]一种黑硅高效率太阳能板-CN201920330015.2有效
发明人：谈秋一;陈卫;王怀峰 -专利权人：浙江晶尚新能源科技有限公司
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本实用新型属于光伏发电技术领域，尤其为一种黑硅高效率太阳能板，包括太阳能板的内部上方贯穿连接有高透光率透明EVA，高透光率透明EVA的底部固定安装有黑硅太阳能电池组，黑硅太阳能电池组的底部固定安装有光伏玻璃，光伏玻璃的下表面安装有白色EVA，白色EVA的底部固定安装有光伏背板，当太阳能照射到太阳能板上时，太阳能会穿过搞头光率透明EVA处并照射到黑硅太阳能电池组处，并会在黑硅太阳能电池组处将光能转化为电能，同时穿透过去的太阳能会进入到光伏玻璃内部并通过白色EVA和光伏背板处对穿透过来的光进行反射，反射后的会在在黑硅太阳能电池组进行二次转化，能够最大化的利用光能，有效的减少对光能的浪费。
太阳能电池组黑硅光伏玻璃太阳能板太阳能高透光率光能光伏透明反射穿透照射本实用新型二次转化光伏发电光能转化背板处高效率过去的下表面最大化背板穿过贯穿

[发明专利]一种湿法化学刻蚀制备黑硅的方法-CN201610071219.X有效
发明人：蒲天;罗旌旺;吴兢;芮春保;汪洋 -专利权人：江苏辉伦太阳能科技有限公司
申请日： 2016-02-01 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开了一种湿法化学刻蚀制备黑硅的方法，包括以下步骤（1）用氢氟酸和硝酸混合液或强碱去除硅片表面的损伤层；（2）用金属盐和氢氟酸混合液在硅片表面沉积金属，或利用磁控溅射方法在硅片表面形成一层贵金属膜；（3）用氢氟酸和高碘酸钾混合液刻蚀硅片；（4）用氨水和双氧水混合液清洗硅片或氢氟酸和硝酸混合液清洗硅片去除金属，即可制得黑硅。采用本发明制备的黑硅，成本低廉、工艺稳定，黑硅结构可控且可获得极低的反射率。
一种湿法化学刻蚀制备方法

[发明专利]一种无金属催化黑硅的制备方法-CN201810903037.3有效
发明人：杜欢;吴兢;赵兴国 -专利权人：江苏辉伦太阳能科技有限公司
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种无金属催化黑硅的制备方法，在硅片表面涂覆硬脂酸根‑金属离子，然后在高温下进行煅烧，十七烷基酯在高温下分解从而破坏十七烷基的碳链，最终可在硅片表面形成细密而均匀的金属分布；再将煅烧后的硅片进行钻孔刻蚀、清洗、表面结构再处理等操作最终得到黑硅结构。本发明提供的无金属催化黑硅的制备方法，使用硬脂酸根‑铜进行硅片表面刻蚀，对硅片表面无晶向选择性，制备出的黑硅结构表面无晶花，外观一致性好，太阳能电池转化效率可提升0.2%。
一种金属催化制备方法

[发明专利]一种改善多晶RIE黑硅电池边缘发白石墨舟饱和工艺-CN201811551463.1有效
发明人：赵颖;历文斌;郑正明 -专利权人：横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善多晶RIE黑硅电池边缘发白石墨舟饱和工艺，干法黑硅电池片镀膜时要求石墨舟的饱和性低于常规电池片镀膜所使用的石墨舟，无需对反应离子刻蚀工艺和PECVD镀膜工艺进行更改，只需通过调试石墨舟饱和工艺的温度，镀膜步的时间、气体流量及射频辉光功率来降低石墨舟的饱和性，且此饱和工艺时间与原饱和工艺比时间大大缩短，气体流量也相对减少，这均可提高产能降低生产成本，增加黑硅电池片边缘石墨舟舟片吸收氮化硅能力，解决干法黑硅电池片边缘发白
一种改善多晶 rie 电池边缘发白石墨饱和工艺

[发明专利]一种以黑硅材料为光敏层的背照式Si-PIN光电探测器及其制备方法-CN201110074473.2有效
发明人：李伟;黄璐;赵国栋;吴志明;蒋亚东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-03-26 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： H01L31/028 文献下载
摘要：一种以黑硅材料为光敏层的背照式Si-PIN光电探测器及其制备方法，属于光电探测技术领域。所述光电探测器包括硅本征衬底、位于硅本征衬底正面中央的P型区、位于硅本征衬底正面四周的环形P+区、位于硅本征衬底背面的N型黑硅层、位于P型区和P+区上表面的上电极，以及位于N型黑硅层下表面两侧的下电极。本发明以黑硅材料为光敏层，同时在P型区2四周增加了环形P+区3，使得本发明能够吸收近红外波段光波，比传统Si光电探测器具有更高的光吸收率和更宽的响应波段，且制备工艺较为简单，具有成本低、易于集成、响应速度快
一种材料光敏背照式 si pin 光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种背接触式黑硅电池及其制备方法-CN201710815428.5有效
发明人：周智全;胡斐;戴希远;陆明 -专利权人：复旦大学
申请日： 2017-09-12 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明属于光伏技术领域，具体为一种背接触式黑硅电池的制备方法。本发明使用银纳米颗粒诱导化学腐蚀制备高吸收率黑硅，背表面黑硅将有效提升硅片在700nm至1500nm的吸收，而受光面将采用表面织构化技术。产生的300‑1500nm广谱光生电子空穴对都可被IBC结构的PN结区有效利用，其光电流远高于常见的晶硅太阳能电池。这种新型的IBC结构同时利用了黑硅的广谱吸收效应和背接触光伏结区构造的优势，从根本上拓宽了晶硅太阳能电池的光谱响应，突破窄带晶硅电池效率理论极限29%，充分利用占据太阳光能谱近半的红外光，实现近20年来晶硅电池工艺瓶颈的突破
一种接触式黑硅电池及其制备方法

[实用新型]适用于手电筒的LED灯珠-CN201822111514.0有效
发明人：管志斌;章少华 -专利权人：晶能光电（江西）有限公司
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种适用于手电筒的LED灯珠，包括：黑料支架，底部包括由金属材料制备的固晶区域和打线区域，除固晶区域和打线区域外由黑料制备而成；固定在黑料支架固晶区域表面的至少一颗硅基白光LED芯片；用于电连接硅基白光LED芯片与黑料支架打线区域的金线；及压制于黑料支架上方、硅基白光LED芯片表面的光学透镜。
黑料支架白光LED芯片打线区域固晶区域硅基手电筒金属材料制备本实用新型光学透镜用户体验电连接中芯片金线杂光制备封装压制外围节约保证

[发明专利]黑硅太阳能电池的制绒装置及制绒工艺-CN201910268623.X在审
发明人：陈嘉豪;徐文州;耿荣军;陈辉 -专利权人：乐山新天源太阳能科技有限公司
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明公开了一种便于黑硅片制绒，提高制绒效率的黑硅太阳能电池的制绒装置及其制绒工艺。该黑硅太阳能电池的制绒装置，包括底座；所述底座的中央设置有制绒槽，所述制绒槽的一侧设置有花篮输送平台，另一侧设置有花篮输出平台；所述花篮输出平台与制绒槽之间设置有斜面；所述制绒槽上方设置有花篮输送装置。采用黑硅太阳能电池的制绒装置的制绒工艺包括步骤，准备黑硅片花篮；通过花篮输送装置将花篮输送到制绒槽上方，并且使得花篮浸没到制绒槽内，并且使得制绒液的温度为80℃至90℃；制绒时间为20min至40min采用该黑硅太阳能电池的制绒装置及制绒工艺，便于操作，能够保证黑硅片制绒后的质量。
花篮制绒槽黑硅太阳能电池制绒装置制绒工艺输出平台输送装置制绒硅片制绒底座硅片花篮输送平台中央设置浸没制绒液吊运保证

[发明专利]一种湿法黑硅片的高效量产制备方法-CN201910145491.1在审
发明人：张良;席珍强;孙鹏;郑守春;余刚;唐骏 -专利权人：镇江仁德新能源科技有限公司;镇江荣德新能源科技有限公司
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种湿法黑硅片的高效量产制备方法，包括以下步骤：步骤一，去除损伤层：采用酸腐蚀或者碱腐蚀的方法，将硅片表面的损伤层去除；步骤二，清洗：将去除损伤层的硅片进行清洗，去除其表面多孔硅或者药液残留；步骤三，磷扩散吸杂：采用浓磷扩散在步骤二得到的硅片表面形成重掺杂区，吸收硅片体内杂质；步骤四，去磷硅玻璃：去除磷扩散后硅片表面形成的磷硅玻璃；步骤五，湿法黑硅制备：采用湿法黑硅工艺制备黑硅片。本发明的方法易于实现量产，去除多晶硅片中的杂质，提高多晶硅的少子寿命，提高电池的转换效率。
去除硅片湿法硅片表面损伤层量产制备磷扩散黑硅清洗去磷硅玻璃表面多孔多晶硅片工艺制备磷硅玻璃少子寿命体内杂质药液残留重掺杂区转换效率多晶硅碱腐蚀酸腐蚀浓磷吸杂电池扩散吸收

[发明专利]一种黑硅钝化用反应装置-CN201910219119.0在审
发明人：何其金;张靖;何飞 -专利权人：江苏德润光电科技有限公司
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及黑硅钝化设备技术领域，且公开了一种黑硅钝化用反应装置，包括反应罐，所述反应罐的左右两侧均固定安装有站脚，所述反应罐的底部固定安装有安装罩，所述安装罩的内部固定安装有搅拌电机，所述搅拌电机的输出轴固定安装有一端贯穿并延伸到反应罐内部的搅拌轴该黑硅钝化用反应装置，通过设置在盛板上的透水孔和放置箱上的手提把，使用者在使用设备时，使用者手持手提把上下提拉抖动，反应完成后将放置箱取出，设备一次可以反应大量黑硅，且黑硅的取放都极为简单，大大提高了使用效率
一种钝化反应装置

[发明专利]一种原位制备太阳能电池的方法-CN201010274489.3有效
发明人：夏洋;刘邦武;李超波;刘杰;汪明刚;李勇滔 -专利权人：中国科学院微电子研究所;嘉兴科民电子设备技术有限公司
申请日： 2010-09-07 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：所述制备方法包括：对硅片进行预处理；将经预处理后的硅片放置于等离子体浸没离子注入机的注入腔室内，利用等离子体浸没离子注入工艺，完成黑硅的制备，在所述黑硅上制作PN结和形成钝化层；将已完成PN结制作和钝化层形成的黑硅从等离子体浸没离子注入机取出，在黑硅的背面制备金属背电极，在钝化层上制备金属栅极，经封装后制成太阳能电池。本发明原位制备太阳能电池的方法能够在原位实现黑硅制备、PN结制作和钝化层成形，从而大大减少了制备太阳能电池所需的设备，大幅降低了太阳能电池的制作成本，并且工艺过程简单，易于控制。
一种原位制备太阳能电池方法