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[发明专利]半导体存储器装置及其操作方法-CN201710237921.3有效
发明人：林榆瑄;许凯捷;林昱佑;李峰旻 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2017-04-12 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：半导体存储器装置包括：一存储器阵列，包括多个存储单元，所述存储单元处于一高阻抗状态或一低阻抗状态的任一者；一参考阵列，包括多个参考单元，所述存储单元与所述参考单元具有相同的阻抗‑温度关系，且所述参考单元处于一中阻抗状态，该中阻抗状态介于该高阻抗状态与该低阻抗状态之间；一平均电路，耦接至该参考阵列，用以平均由该参考阵列的所述参考单元所输出的个别参考电流成一平均参考电流；以及一比较器，耦接至该参考阵列与该平均电路，比较该平均参考电流与该存储器阵列的所述存储单元所输出的多个个别存储器电流，以得到多个输出数据以及判断该存储器阵列的所述存储单元的个别阻抗状态。
半导体存储器装置及其操作方法

[发明专利]一种波导分支电桥的相位色散补偿装置-CN201710204988.7有效
发明人：侯艳茹;胡卫东;孙浩;李霞 -专利权人：安徽四创电子股份有限公司
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01P5/18 文献下载
摘要：本发明包括设置在波导分支电桥直通口的输出臂上的波导高低阻抗变换段，所述波导高低阻抗变换段采用四个高阻抗变换段以及四个低阻抗变换段来实现色散补偿，同时完成阻抗匹配，相邻的所述高阻抗变换段与低阻抗变换段的长度之和为四分之一波导波长，经过往返相位叠加，使得反射波与入射波相位相反，幅度抵消，有效地改善了阻抗匹配和端口的驻波，很好的补偿了分支电桥本身的相位色散。
一种波导分支电桥相位色散补偿装置

[实用新型]一种新型同轴波导功分器-CN201820088692.3有效
发明人：姜永金;陈晓坤;李有权;周多;洪浩 -专利权人：武汉波诺电子科技有限公司
申请日： 2018-01-19 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01P5/18 文献下载
摘要：本实用新型提供一种新型同轴波导功分器，包括金属外壳，在金属外壳内安装有阻抗变换芯，在阻抗变换芯与金属外壳之间填充有介质材料层，所述金属外壳一端连接有输入接头，金属外壳的另一端连接有输出接头，输出接头通过同轴波导与阻抗变换芯相连，本实用新型的同轴波导功分器使用多阶的四分之一波长阻抗变换段作为芯线，采用先变换后功分的方式，避免在支路进行阻抗变换，大大缩减了功分器的尺寸和结构复杂度，同时可以达到良好的阻抗匹配效果。同轴阻抗变换段采用高介电常数的介质材料填充，以提高其对局部高电场强度的承受性能，阻抗变换后直接功分为四路或者多路空气填充的同轴波导。
金属外壳同轴波导阻抗变换功分器本实用新型输出接头一端连接填充四分之一波长阻抗匹配效果高介电常数结构复杂度介质材料层阻抗变换段支路承受性能介质材料空气填充输入接头同轴阻抗多阶多路芯线

[发明专利]高输入阻抗的生物医疗前端检测电路及相关方法-CN202111371489.X在审
发明人：刘彦;王露露;陈铭易;王国兴 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H03F1/34 文献下载
摘要：本申请公开了一种高输入阻抗的生物医疗前端检测电路，其输入阻抗由输入阻抗片上自动提高电路进行提高。该前端检测电路具体包括可重构仪表放大器，可调增益放大器和输入阻抗片上自动提高电路。可重构仪表放大器和可调增益放大器对生物信号实现不同增益倍率的放大；输入阻抗片上自动提高电路通过自动调整接入可重构仪表放大器中的正反馈电容，对放大电路的输入阻抗进行提升的同时保证电路稳定。此电路的高输入阻抗提高了电路的抗干扰能力，减少了在实际应用时生物信号在检测电极上的衰减，可实现对生物信号高质量的检测。
输入阻抗生物医疗前端检测电路相关方法

[发明专利]一种功率放大电路和终端-CN202211727982.5在审
发明人：彭振飞;牛旭 -专利权人：广州慧智微电子股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H03F3/21 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种功率放大电路和终端，功率放大电路包括：有源偏置电路，有源偏置电路，用于向第一晶体管提供偏置电压或电流；第一晶体管，用于对输入的射频信号进行放大；其中，有源偏置电路包括：电源电路，用于为有源偏置电路提供偏置电压或电流；阻抗控制网络，用于提供高阻抗；高阻抗为高于预设阻抗阈值的阻抗；阻抗控制网络的输入端与电源电路相连接，阻抗控制网络的输出端与第二晶体管的栅极或者基极相连接；第二晶体管，用于向第一晶体管提供偏置电压或电流；第二晶体管的源极或者发射极与第一晶体管的栅极或者基极相连接
一种功率放大电路终端

[发明专利]一种中高频高阻抗锰锌铁氧体材料及其制备工艺-CN201510688686.2有效
发明人：韩守强;王孚亮 -专利权人：日照亿鑫电子材料有限公司
申请日： 2015-10-21 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H01F1/36 文献下载
摘要：本发明提供一种中高频高阻抗锰锌铁氧体材料，由三氧化二铁，氧化锰，氧化锌，氧化铜和氧化钴组成。本发明同时提供一种中高频高阻抗锰锌铁氧体材料的制备工艺，步骤包括配料、振磨、造球、预烧、黑振、砂磨、加杂、喷雾造粒、混料和包装。本发明的有益效果在于：中高频范围内低损耗，高阻抗。
一种高频阻抗铁氧体材料及其制备工艺

[发明专利]芯片排列型组件绝缘结构及其制造方法-CN200410090824.9无效
发明人：郭小麟;陈清乾;古国芳;徐钰欽 -专利权人：佳邦科技股份有限公司
申请日： 2004-11-15 - 公布日： 2006-05-24 - 主分类号： H01L23/28 文献下载
摘要：一种芯片排列型组件绝缘结构及其制造方法，该芯片排列型组件绝缘结构，其本体表面，除了端电极部位外系覆盖有精密性高表面绝缘阻抗被覆材料，制作时先在芯片排列型组件本体完整覆盖精密性高表面绝缘阻抗被覆材料后，再于端电极部位以喷砂、激光、研磨、浸蚀等加工工序将精密性高表面绝缘阻抗被覆材料去除而取得。
芯片排列组件绝缘结构及其制造方法

[发明专利]一种高频率高阻抗锰锌铁氧体及其制备方法-CN201910916643.3在审
发明人：李申华;黄有东 -专利权人：常熟市三佳磁业有限公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01F1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种高频率高阻抗锰锌铁氧体及其制备方法，所述高频率高阻抗锰锌铁氧体包括主体组分和掺杂组分；所述主体组分包括Fe
掺杂高频率锰锌铁氧体晶粒使用频率高阻抗改进材料晶体结构配比调整烧结工艺磁导率低功耗电阻率氮窑配比细化窑炉制备改进保证

[发明专利]组合使用低通型宽带匹配、二次谐波反射相移和高通复共轭匹配的宽带阻抗匹配网络-CN201980075146.3在审
发明人：张海东;R·威尔逊;B·赫尔曼;Z·莫克蒂 -专利权人：科锐
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H03H7/38 文献下载
摘要：通过在例如连接到放大器输入、输出或两者的多级阻抗匹配网络中使用低通型宽带阻抗变换器（LPMN）而不是宽带匹配网络，来提高宽带RF放大器（M1）的工作带宽。多级阻抗匹配网络包括串联连接的三个级。第一级是低通型宽带阻抗变换器（LMPN，LPMN1），其提供宽带低反射基波阻抗和用于二次谐波的高反射。第二级是控制二次谐波反射系数相位的位置的相移器。第三级是高通输入匹配电路（MN，MN1），其将复共轭器件输入阻抗变换为实阻抗。三级阻抗匹配网络提供用于宽带操作的基波和谐波频率阻抗以及二次谐波反射系数相位的可控性，其中，器件性能跨预期带宽是一致的。
组合使用低通型宽带匹配二次谐波反射相移高通复共轭阻抗匹配网络

[发明专利]一种嵌入式脑电阻抗测量系统-CN202011235647.4在审
发明人：何爱军;申鹏;马丽萍;温纪新;杨海涛 -专利权人：南京大学
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： A61B5/369 文献下载
摘要：本发明提供一种基于嵌入式系统的脑电阻抗测量方案，包括信号采集系统、控制系统及阻抗值的计算与存储。在下位机采集系统完成脑电数据采集的同时，实时测量电极与皮肤的接触阻抗，可分别支持上位机与下位机中阻抗计算。通过配置ADS1299的参数，系统通过数字滤波器可以分开脑电信号与阻抗测量信号，使其不会相互影响。下位机中的阻抗测量，将阻抗值与脑电数据同时以BDF的格式存储在SD卡中，方便后处理分析。每个时刻阻抗值大小用来评价该时刻电极与皮肤的接触状况，进而判断该时刻采集的脑电数据的质量，这对信号的处理起到关键性作用。该方案阻抗测量精度高，集成度高，占用空间小，适用于下位机独立采集脑电数据的模式和与上位机协同工作的模。
一种嵌入式阻抗测量系统

[发明专利]一种高阶F类功率放大电路及射频功率放大器-CN201510337757.4有效
发明人：吴光胜;马建国;邬海峰;成千福;朱守奎 -专利权人：华讯方舟科技有限公司;天津大学
申请日： 2015-06-17 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明适用于射频通信领域，提供了一种高阶F类功率放大电路及射频功率放大器，该电路包括晶体管；寄生参数调节单元，用于调节晶体管寄生参数对于F类功放的影响；高次谐波阻抗控制单元，与寄生参数调节单元连接，用于对晶体管的二次谐波至五次谐波分别独立控制阻抗匹配；基波阻抗控制单元，连接于高次谐波阻抗控制单元与电容C1之间，用于对晶体管的基波独立控制阻抗匹配，电容C1还与负载连接。本发明通过高次谐波阻抗控制单元实现了F类功率放大器的最高至五次谐波阻抗的精确控制，降低晶体管的能量损耗，提升功放效率，并且对各次谐波阻抗独立设计，使各次谐波阻抗控制电路互不影响，无需后期优化调试，降低了设计的复杂度
一种功率放大电路射频功率放大器

[发明专利]线电极放电加工装置-CN200680056208.9有效
发明人：小野寺康雄;佐藤达志;桥本隆;山田久;服部广一郎;鹈饲佳和 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2006-10-24 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： B23H7/04 文献下载
摘要：本发明的目的在于得到一种线电极放电加工装置，其在主放电电流的路径采用将高阻抗和低阻抗路径并用的方式的情况下，可以改善从高阻抗路径进行供电时的加工速度，具有：路径通断单元，其使高阻抗路径和低阻抗路径各自独立地接通/断开；用于设定通断模式的单元，该通断模式中指定了使一条路径接通而另一条路径断开的组合，以切换从高阻抗路径进行的供电和从低阻抗路径进行的供电；生成对当前的供电路径中每个供电脉冲的供电脉冲能量进行变更后的通断模式，以使在从高阻抗路径进行供电时和从低阻抗路径进行供电时，从加工电源向极间施加的放电脉冲的能量差变小的单元；以及根据供电脉冲能量变更后的通断模式，对路径通断单元进行通断控制的单元。
电极放电加工装置

[发明专利]驱动具有容性阻抗的器件的驱动方法和装置以及图像拾取装置-CN200680010881.9无效
发明人：绢笠幸久;濑上雅博;广田功 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2006-02-27 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： H04N5/335 文献下载
摘要：诸如电荷耦合器件这样的三个器件中每个被包括在组成3相谐振电路的三个相位阻抗电路之一中作为具有容性阻抗的器件。驱动电路将逻辑电平0、高阻抗电平或者逻辑电平1应用于相位阻抗电路中的节点Node_A、Node_B和Node_C中的每一个，以引起谐振状态在相位阻抗电路中的顺序转变。在驱动相位阻抗电路的操作中，逻辑电平0、高阻抗电平和逻辑电平1中的任一个被应用于每个节点，以在相位阻抗电路之间维持2π/3的相位差。因此，用于驱动每个具有容性阻抗的器件的驱动装置能够减小功率消耗。
驱动具有阻抗器件方法装置以及图像拾取

[实用新型]一种跨阻放大器-CN202220748871.1有效
发明人：李凤朝 -专利权人：李凤朝
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种跨阻放大电路，该跨阻放大电路是对本人已申请专利的重大改进，可以把输入阻抗降低两个数量级。改进的地方在于，输入级采用类似倒装的高输出阻抗的串接电流镜(射极接地而不是接正负电压)，这个倒装的高输出阻抗的串接镜像电流镜的输出阻抗比本人已申请专利的那个倒装的镜像电流镜的输出阻抗高了两个数量级，所以理论上的最大电压放大倍数提高了两个数量级，所以整体电路的输入阻抗降低了两个数量级。
一种放大器

[发明专利]纳米晶巨磁阻抗复合材料及其制备方法-CN01107798.0无效
发明人：刘宜华;萧淑琴;梅良模;栾开政;代由勇 -专利权人：山东大学
申请日： 2001-02-14 - 公布日： 2004-06-02 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：纳米晶巨磁阻抗复合材料属于信息功能材料领域。本发明采用高真空技术，先将铁基软磁合金和高导电材料铜或银组合成层状复合材料，然后，进行真空退火热处理，把磁性层的晶粒尺度控制在几十纳米的范围。它克服了传统软磁合金薄膜磁阻抗效应弱、工作频率高的缺点，简化了后序处理工艺。这种纳米晶复合材料具有磁阻抗效应强、灵敏度高、工作频率低等优点。
纳米磁阻复合材料及其制备方法