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[发明专利]栅极介电层以及应用该栅极介电层的晶体管与半导体装置-CN200510136869.X有效
发明人：王志豪;王大维;陈尚志;蔡庆威 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-12-20 - 公布日： 2006-08-09 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明提供一种栅极介电层以及应用该栅极介电层的晶体管与半导体装置，以及具有一氮化的栅极介电层的MOSFET与其制造方法。该制造方法包括提供一基板，并沉积一具有非高介电常数的介电材料于该基板上。该具有非高介电常数的介电材料包括两层。该介电材料的第一层邻近该基板，主要为不含氮的。该介电材料的第二层约含有10¹⁵atoms/cm³到10²²atoms/cm³的氮。该MOSFET更包括一具有高介电常数的介电材料，形成于该具有非高介电常数的介电材料之上。该具有高介电常数的介电材料包括HfSiON、ZrSiON或氮化的Al₂O₃。在本发明的实施例中更揭露了核心区与周边区的不对称制造技术。
栅极介电层以及应用晶体管半导体装置

[发明专利]触控面板与触控显示设备-CN201510473491.6有效
发明人：何宽鑫;叶文斌;赵峰;李荣华;黄菲菲 -专利权人：宸鸿科技（厦门）有限公司
申请日： 2015-08-05 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明公开一种触控面板与触控显示设备，该触控面板包括：盖板；折射率匹配层，位于盖板下；触控装置，位于折射率匹配层下；以及光学匹配层，位于触控装置下，其中折射率匹配层包括第一低折射率介电层与第一高折射率介电层，其中第一低折射率介电层直接接触触控装置的上表面，且第一高折射率介电层位于第一低折射率介电层与盖板之间，其中光学匹配层包括第二低折射率介电层与第二高折射率介电层，其中第二低折射率介电层直接接触触控装置的下表面，并位于触控装置与第二高折射率介电层之间，其中第二高折射率介电层的方阻值在照射紫外光后大于109欧姆每方。
面板显示设备

[实用新型]触控面板与触控显示设备-CN201520582235.6有效
发明人：何宽鑫;叶文斌;赵峰;李荣华;黄菲菲 -专利权人：宸鸿科技（厦门）有限公司
申请日： 2015-08-05 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本实用新型公开一种触控面板与触控显示设备，该触控面板包括：盖板；折射率匹配层，位于盖板下；触控装置，位于折射率匹配层下；以及光学匹配层，位于触控装置下，其中折射率匹配层包括第一低折射率介电层与第一高折射率介电层，其中第一低折射率介电层直接接触触控装置的上表面，且第一高折射率介电层位于第一低折射率介电层与盖板之间，其中光学匹配层包括第二低折射率介电层与第二高折射率介电层，其中第二低折射率介电层直接接触触控装置的下表面，并位于触控装置与第二高折射率介电层之间，其中第二高折射率介电层的方阻值在照射紫外光后大于10⁹奥姆每方。
面板显示设备

[发明专利]锂离子二次电池用电极及锂离子二次电池-CN202080097314.1在审
发明人：马场健;松本和明 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01M4/13 文献下载
摘要：本发明提供一种锂离子二次电池用电极及使用该正极的锂离子二次电池，所述锂离子二次电池用电极即使使用含有高比例Ni的正极活性物质，也能够实现具有高体积能量密度的电池，而不会降低热稳定性。电解液和高介电性固态颗粒以特定体积比例存在于电极合材层中。具体地，作为具有电极合材层的锂离子二次电池用电极，电极合材层中的电解液与高介电性氧化物固体的体积比例为99:1～76:24的范围，所述电极合材层包括电极活性物质、高介电性氧化物固体和电解液。
锂离子二次电池用电

[发明专利]介电陶瓷以及层叠陶瓷电容器-CN201010557853.7有效
发明人：中村将典;冈松俊宏;加藤成;矶田信弥 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2010-11-19 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供即使进行介电陶瓷层的薄层化，介电陶瓷的相对介电常数也高、对温度变化或机械性冲击的可靠性也良好的层叠陶瓷电容器。作为构成层叠陶瓷电容器1的介电陶瓷层2的介电陶瓷，使用如下介电陶瓷：以(Ba1-xCax)TiO3为主成分，以Re2O3、MgO、MnO、V2O5及SiO2为副成分，其中，0.045≤x≤0.15，Re为选自Gd、Dy、Ho、Yb和Y中的至少一种，所述介电陶瓷由通式100(Ba1-xCax)TiO3+aRe2O3+bMgO+cMnO+dV2O5+eSiO2表示，并满足如下条件：0.65≤a≤1.5、0.15
陶瓷以及层叠电容器

[发明专利]一种应用于天线振子的低介电改性PPS及其制备方法-CN202211114367.7在审
发明人：邢霞;邓鑫星;刘止林;冉祥鑫;张家豪 -专利权人：山东产研明泉新材料研究院有限公司
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： C08L81/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于天线振子的低介电改性PPS，包括以下组分：PPS树脂、低介电玻璃纤维、偶联剂、低介电填充料、低介电增韧剂、低介电润滑剂以及抗老化剂。本发明采用上述结构的应用于天线振子的低介电改性PPS，由低介电玻璃纤维、低介电填充料、低介电增韧剂以及低介电润滑剂改性PPS树脂，不仅保留了PPS树脂的固有的耐高温、高尺寸稳定性、低吸水率、高阻燃性能，而且改性后的PPS树脂具有优异的低介电性能，从而更加适用于天线振子中。
一种应用于天线低介电改性 pps 及其制备方法

[发明专利]集成电路-CN202011276805.0在审
发明人：吴沛勳;韩铭鸿;陈柏年;林志勇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：此输入/输出装置包括第一栅极结构，其具有界面层；第一高介电常数介电质堆叠，其位于界面层上；以及导电层，其位于第一高介电常数介电质堆叠上并与之物理接触。核心装置包括包括第二栅极结构，其具有界面层；第二高介电常数介电质堆叠，其位于界面层上；以及导电层，其位于第二高介电常数介电质堆叠上并与之物理接触。第一高介电常数介电质堆叠包括第二高介电常数介电质堆叠及第三介电层。
集成电路

[发明专利]一种高介电常数、超低介电损耗陶瓷/树脂复合材料的制备方法-CN201510136852.8有效
发明人：叶枫;张标;高晔;刘仕超;刘强;刘立盟 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2015-03-26 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： C08L79/04 文献下载
摘要：一种高介电常数、超低介电损耗陶瓷/树脂复合材料的制备方法，它涉及一种高介电常数、超低介电损耗陶瓷/树脂复合材料的制备方法。本发明是为了解决现有方法制备的高介电常数陶瓷/树脂复合材料的介电损耗高并且工艺复杂的问题，本发明的制备方法一、微波介质陶瓷多孔预制体的制备；二、陶瓷/树脂复合材料的制备，得到高介电常数、超低介电损耗陶瓷本发明制备的高介电常数、超低介电损耗陶瓷/树脂复合材料具有更高的介电常数和超低的介电损耗，介电常数处于6.32至24.96之间，介电损耗均低于4.9×10‑3。
一种介电常数超低介电损耗陶瓷树脂复合材料制备方法

[发明专利]高介电橡胶树脂材料及高介电金属基板-CN202111083264.4在审
发明人：廖德超;张宏毅;魏千凯;刘家霖 -专利权人：南亚塑胶工业股份有限公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： C08L9/06 文献下载
摘要：本发明公开一种高介电橡胶树脂材料及高介电金属基板。高介电橡胶树脂材料包括一高介电橡胶树脂组成物及一无机填料，所述高介电橡胶树脂组成物包括：40重量百分比至70重量百分比的液态橡胶、10重量百分比至30重量百分比的聚苯醚树脂以及20重量百分比至40重量百分比的交联剂其中，所述高介电橡胶树脂材料的介电常数大于或等于2.0。
高介电橡胶树脂材料金属

[发明专利]包括多个邻接的高介电常数介电材料的电子结构及相关电子装置、系统及方法-CN202180031656.8在审
发明人： S·索尔斯;C·M·卡尔森;R·J·希尔;D·雷斯纳蒂 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本发明公开一种电子结构，所述电子结构包括在所述电子结构的单元区域中包括交替的介电材料及导电材料的堆叠。柱状高介电常数介电材料毗邻于所述堆叠且在所述电子结构的柱状区域中。电荷阻挡材料、氮化物材料、隧道介电材料及沟道材料毗邻于所述电子结构的所述柱状区域中的所述柱状高介电常数介电材料。单元高介电常数介电材料围绕所述电子结构的所述单元区域中的所述导电材料。所述单元高介电常数介电材料邻接所述柱状高介电常数介电材料的一部分。本发明公开额外电子结构，以及相关的电子装置、系统及形成电子装置的方法。
包括邻接介电常数材料电子结构相关装置系统方法

[发明专利]一种低温烧结低损耗高介电调谐率铌镁酸铋介电陶瓷-CN201310074771.0无效
发明人：黄新友;高春华;李军;花海堂;花银群 -专利权人：江苏大学
申请日： 2013-03-11 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：一种低温烧结低损耗高介电调谐率铌镁酸铋介电陶瓷,它采用常规的固相法陶瓷的制备方法,利用普通化学原料,制备得到无铅、无镉的无毒低温烧结低损耗铌镁酸铋介电陶瓷，该陶瓷适合于制备移相器、滤波器、压控振荡器等，所制备的介电陶瓷烧结温度低，烧结温度为950-980℃，介质损耗小,介质损耗小于0.001；介电常数较高约为130左右；高的介电调谐率，介电调谐率大于56%；使用过程中性能稳定性好，安全性高，对环境无污染
一种低温烧结损耗高介电调谐率铌镁酸铋介电陶瓷

[实用新型]一种MEMS半导体气体传感器-CN202120785727.0有效
发明人：王相;路梦飞;庞喜龙;钟琮玮 -专利权人：威海精讯畅通电子科技有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：其技术方案为：一种MEMS半导体气体传感器，由下往上依次包括衬底层、支撑层、第一介电层和第二介电层；所述支撑层与第一介电层之间设有温度传感器，所述第一介电层与所述第二介电层之间设有微热源；所述第二介电层上设有传感电极本实用新型的有益效果为：本实用新型整体结构集成度高、成本低、功耗低、控温精度高，通过高精度的温度控制来提高气体的选择性；通过精确的温度调节以及金叉指电极的运用实现对不同气体的高灵敏检测；通过中空部结构以及精确控制温度实现最大程度地降低功耗
一种 mems 半导体气体传感器

[发明专利]一种层间复合聚合物介质膜及其制备方法和应用-CN201910060299.2在审
发明人：赵月涛;周榆久 -专利权人：成都斯托瑞科技有限公司
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本发明复合膜包括低介电聚合物层以及高介电聚合物层；其中，所述低介电聚合物层包括：双向拉伸聚合物膜；所述高介电聚合物层包括：高介电聚合物流延成型膜。本发明层间复合聚合物介质膜既具备低介电聚合物层优异的绝缘性能和耐压性能，也类似高介电聚合物层具备较高的介电常数，同时具备较高的储能密度和较高的充放电效率，并且介电损耗也较低，是一种性能优异的有机薄膜电容器介质膜
高介电聚合物低介电聚合物介质膜制备方法和应用复合聚合物种层有机薄膜电容器充放电效率聚合物介质层间复合介电常数介电损耗聚合物膜绝缘性能流延成型耐压性能双向拉伸复合膜储能

[发明专利]用于改进的沉积选择性的保护层-CN201310167362.5在审
发明人：王超群;宋述仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-05-08 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明涉及改进后段工艺(BEOL)可靠性的方法和装置。在一些实施例中，该方法在半导体衬底上方形成具有一个或多个金属层结构的极低k(ELK)介电层。在ELK介电层上方在一个或多个金属层结构之间的位置形成第一保护层。然后在一个或多个金属层结构上方在通过第一保护层与ELK介电层分离开的位置沉积第二保护层。第一保护层具有限制第二保护层和ELK介电层之间的相互作用的高选择性，从而降低原子从第二保护层至ELK介电层的扩散并且改进ELK介电层的电介质击穿。公开了用于改进的沉积选择性的保护层。
用于改进沉积选择性保护层

[发明专利]具有在退火的高－k栅介电层上形成的金属栅电极的半导体器件-CN200680031961.2有效
发明人： S·裴;J·麦斯;J·布拉斯克;G·德维;J·卡瓦利罗斯;R·仇;S·达塔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2006-08-03 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种形成具有退火的栅介电层的晶体管栅堆叠的方法，其通过提供包括由沟槽而被分离的第一和第二间隔物的衬底而开始。在所述衬底上以及所述沟槽之内沉积共形的高－k栅介电层，并且其中所述高－k栅介电层的厚度大于或等于3埃并且小于或等于60埃。接着，在所述高－k栅介电层上沉积盖层，其中所述盖层基本上填充所述沟槽并且基本上覆盖所述高－k栅介电层。然后在大于或等于600℃的温度下退火所述高－k栅介电层。除去所述盖层以暴露所述退火的高－k栅介电层。然后在所述退火的高－k栅介电层上沉积金属层。可以使用CMP工艺除去多余的材料并完成所述晶体管栅堆叠的形成。
具有退火栅介电层上形成金属电极半导体器件