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- [发明专利]二烯烃介电弹性体的制备方法-CN202110346238.X有效
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郭宝春;仇慧子;吴思武;刘家良;陈艺夫
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华南理工大学
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2021-03-31
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2021-11-30
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C08L15/00
- 本发明公开了一种二烯烃介电弹性体的制备方法，首先，将二烯烃橡胶溶解于反应介质中，通过一锅反应法，先与环氧化试剂反应，再与氧化降解试剂反应，制得端醛基二烯烃液体橡胶；然后通过溶液混合法，将端醛基二烯烃液体橡胶、端氨基聚醚胺、高介电溶剂、多官能醛基交联剂在有机溶剂中混合，挥发溶剂后加热固化得到二烯烃介电弹性体。本发明以端醛基二烯烃橡胶为基体，端氨基聚醚胺为增容剂，通过醛胺缩合反应实现橡胶基体的扩链并提高分子链极性，提高橡胶基体与高介电溶剂间的相容性，并利用多官能醛基交联剂实现橡胶基体的交联，最终赋予二烯烃材料高的介电常数，同时保留低的力学模量、介电损耗及电导率。本发明属于介电弹性体的制备技术领域。
- 烯烃弹性体制备方法
- [发明专利]一种芯片加工方法及其芯片-CN202310997198.4在审
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吕震宇;许占齐;程晓恬;陈黎晓;张凡;明伟
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温州核芯智存科技有限公司
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2023-08-09
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2023-09-08
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H10B12/00
- 本发明设计存储芯片加工技术领域，公开了一种芯片加工方法及其芯片，包括在存储单元基片上制备立体电容孔并在其中沉积隔离层；通过在隔离层上沉积下电极并进行下电极隔离刻蚀；在对下电极隔离刻蚀后，将高介电材料和上电极连续沉积并通过无掩膜刻蚀该芯片加工方法及其芯片，通过将高介电材料层的沉积，以及图案化集成在一起实现，避免后续蚀刻工艺，可能导致的高介电材料的污染，高介电材料层完成后，直接沉积氮化钛作为立体电容孔上电极，将高介电材料完全包裹，杜绝了后续制程可能出现的污染问题，充分发挥ALD设备功能，完成高介电材料层沉积后，利用改造ALD等离子体等功能，直接去除晶圆表面多余高介电材料层，实现一种设备两种用途。
- 一种芯片加工方法及其
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