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[发明专利]高介电性膜-CN201380051473.8在审
发明人：立道麻有子;太田美晴;横谷幸治;小松信之;仲村尚子;茂内普巳子;硲武史;木下雅量;高明天 -专利权人：大金工业株式会社
申请日： 2013-10-16 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明的高介电性膜的特征在于，其含有偏二氟乙烯/四氟乙烯共聚物(A)，该偏二氟乙烯/四氟乙烯共聚物(A)中，偏二氟乙烯/四氟乙烯以摩尔比计为95/5～80/20；并且该高介电性膜由α型结晶结构和β型结晶结构构成
高介电性膜

[发明专利]高介电性膜-CN201180004932.8无效
发明人：立道麻有;高野奈菜子;太田美晴;横谷幸治;小松信之;向井惠吏;高明天 -专利权人：大金工业株式会社
申请日： 2011-01-11 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明提供高介电性膜，其为含有成膜树脂(A)和无机物颗粒(B)的膜，其中，成膜树脂(A)含有偏二氟乙烯系树脂(a1)；相对于成膜树脂(A)100质量份，无机物颗粒(B)的含量为0.01质量份以上且小于10
高介电性膜

[发明专利]膜电容器用高介电性膜形成组合物-CN200980152187.4无效
发明人：横谷幸治;太田美晴;立道麻有子;小松信之;向井惠吏;高明天 -专利权人：大金工业株式会社
申请日： 2009-12-21 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01G4/20 文献下载
摘要：本发明在于提供一种膜电容器用高介电性膜，该膜电容器用高介电性膜不仅以高填充率配合高介电性无机颗粒，而且能够抑制电绝缘性降低，其是通过成形膜电容器用高介电性膜形成组合物而得到的，该膜电容器用高介电性膜形成组合物含有热塑性树脂(A)和以电容率(20℃、1kHz)10以下的低介电性化合物(b2)对电容率(20℃、1kHz)100以上的高介电性无机颗粒(b1)的表面进行表面处理而得到的表面处理高介电性无机颗粒(B)。
电容器用高介电性膜形成组合

[发明专利]膜电容器用膜和膜电容器-CN200980152188.9有效
发明人：立道麻有子;太田美晴;横谷幸治;小松信之;向井惠吏;高明天 -专利权人：大金工业株式会社
申请日： 2009-12-21 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01G4/18 文献下载
摘要：本发明在于提供一种膜电容器用高介电性膜，该膜电容器用高介电性膜薄而机械强度优异，能够以高填充率在介电性树脂中配合高介电性无机颗粒，其中，在热塑性树脂(A)中分散有橡胶颗粒(B)，更优选分散有高介电性无机颗粒
电容器用电容器

[发明专利]高介电性弹性体成型体及高频用电子零件材料-CN200880013502.0无效
发明人：大平晃也 -专利权人： NTN株式会社
申请日： 2008-04-16 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： C08L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种高介电性弹性体成型体和高频用电子零件材料，其中，所述高介电性弹性体成型体价格便宜，介电特性、耐冲击性、柔软性和加工性优异，可以在具有800～960MHz的UHF频段下使用。高介电性弹性体成型体是将在弹性体中配合有介电性陶瓷粉末的高介电性弹性体组合物进行成型而成的高介电性弹性体成型体，其中，该成型体的拉伸伸长率为250％以上，硬度为70以下，在频率950MHz的测定中相对介电常数为4～10，介电损耗角正切为0.02以下，高频用电子零件材料使用上述高介电性弹性体成型体而成。
高介电性弹性体成型高频用电零件材料

[发明专利]高介电性弹性体组合物及电介体天线-CN200580019651.4无效
发明人：大平晃也 -专利权人： NTN株式会社
申请日： 2005-06-15 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： C08L101/00 文献下载
摘要：本发明提供在从低温到高温的广阔温度范围内，显示出高比介电常数，且具有低介电损耗角正切的高弹性体组合物及使用该组合物形成的电介体天线。介电体天线具有高介电性弹性体组合物的成型体和设置于该成型体上的电极，所述高介电性弹性体组合物是在弹性体中配入高介电性陶瓷粉末而形成的，上述高介电性陶瓷粉末在－40℃～100℃的范围内的以25℃为基准的比介电常数的温度系数α(单位：1/℃)为(－200～100)×10^－6，该高介电性弹性体组合物的比介电常数为7以上，介电损耗角正切为0.01以下，上述高介电性陶瓷粉末是钛酸钡·钕类陶瓷粉末，上述电极通过粘接镀镍处理或镀银处理的铜箔
高介电性弹性体组合电介体天线

[发明专利]一种介电凝胶基质的制备方法-CN202210500838.1在审
发明人：张月新;廖启华;林腾宇 -专利权人：弘润清源（北京）科技有限责任公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本发明涉及一种介电凝胶基质的制备方法,包括:将具有介电性能、易溶解的有机介电主材料A与一定量的溶剂充分混合搅拌后,获得浆料；将塑性剂与浆料混合搅拌后,获得介电凝胶；将高介电性和机械灵活性的纳米线浆料混合搅拌,静置待气泡消失，获得均匀混合的凝胶态高介电有机复合材料﹔将凝胶态复合材料使用刮涂或旋涂得得方式涂在硅片或石英片上,最后根据不同厚度常温放置不同时间后凝固定型,制得高介电聚合物复合薄膜。本发明可制备出不同厚度的介电薄膜。此介电凝胶制备的薄膜具有高介电性、高击穿电压值、低介电损耗值、柔韧性高,易制备、对环境负载小等特点。
一种凝胶基质制备方法

[发明专利]高介电性薄膜形成用的涂层组合物和高介电性薄膜-CN200980109841.3有效
发明人：高明天;立道麻有子;向井惠吏;太田美晴;横谷幸治;小松信之 -专利权人：大金工业株式会社
申请日： 2009-03-17 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01G4/18 文献下载
摘要：本发明一种能够提高耐电压、绝缘性、介电常数，特别能够减小高温下的介电损失，且能够薄膜化的非多孔质高介电性薄膜；以及含有(A)偏氟乙烯类树脂、(B)纤维素类树脂和(C)溶剂的高介电性薄膜形成用涂层组合物。
高介电性薄膜形成涂层组合

[实用新型]肿瘤电场治疗系统及其电极片-CN202123242506.8有效
发明人：陈晟;孙虎;沈琪超;张军;于晶 -专利权人：杭州海莱新创医疗科技有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： A61N1/36 文献下载
摘要：本实用新型提供一种肿瘤电场治疗系统及其电极片，用于肿瘤电场治疗，其包括用于向患者肿瘤部位施加交变电场的多个高介电片、位于多个高介电片之间的多个连接部以及与多个高介电片电性连接的导线，所述连接部连接两相邻的高介电片，所述高介电片均通过相应的连接部电性连接与其相邻的至少两高介电片，所述高介电片至少为10个。本实用新型的电极片通过至少10个高介电片向患者肿瘤部位施加交变电场以进行肿瘤治疗，增大了电极片的覆盖面积，增强施加至肿瘤部位的电场强度，提高治疗效果。
肿瘤电场治疗系统及其电极

[发明专利]具高Dk和低Df特性的LCP高频基板及制备方法-CN201810823245.2在审
发明人：李建辉;林志铭;何家华 -专利权人：昆山雅森电子材料科技有限公司
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H05K1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种具高Dk和低Df特性的LCP高频基板，包括至少一铜箔层、至少一高介电LCP芯层和至少一高介电胶层，高介电LCP芯层位于铜箔层和高介电胶层之间，高介电LCP芯层是指Dk值为6‑100，且Df值为0.002‑0.010的芯层，高介电胶层是指Dk值为6‑100，且Df值为0.002‑0.010的胶层；铜箔层的厚度为1‑35μm；高介电LCP芯层的厚度为12‑100μm，高介电胶层的厚度为12‑本发明中由于高介电LCP芯层和高介电胶层皆具有高Dk和低Df的特性，使制得的LCP高频基板具有极佳的高速传输性、低损耗性、高Dk和低Df性能、低粗糙度、超低吸水率、适合高密度组装的低反弹力、良好的UV激光钻孔能力以及极佳的机械性能
高介电胶层芯层铜箔层高频基板机械性能低粗糙度低损耗性低吸水率高速传输激光钻孔反弹力组装

[实用新型]具高Dk和低Df特性的LCP高频基板-CN201821179468.1有效
发明人：李建辉;林志铭;何家华 -专利权人：昆山雅森电子材料科技有限公司
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H05K1/03 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具高Dk和低Df特性的LCP高频基板，包括至少一铜箔层、至少一高介电LCP芯层和至少一高介电胶层，高介电LCP芯层位于铜箔层和高介电胶层之间，高介电LCP芯层是指Dk值为6‑100，且Df值为0.002‑0.010的芯层，高介电胶层是指Dk值为6‑100，且Df值为0.002‑0.010的胶层；铜箔层的厚度为1‑35μm；高介电LCP芯层的厚度为12‑100μm，高介电胶层的厚度为本实用新型中由于高介电LCP芯层和高介电胶层皆具有高Dk和低Df的特性，使制得的LCP高频基板具有极佳的高速传输性、低损耗性、高Dk和低Df性能、低粗糙度、超低吸水率、适合高密度组装的低反弹力、良好的UV
高介电胶层芯层铜箔层高频基板机械性能本实用新型低粗糙度低损耗性低吸水率高速传输激光钻孔反弹力组装

[发明专利]高介电性膜以及包含其的半导体或电容器器件-CN202180045846.5在审
发明人：金义泰;金东玉 -专利权人：忠南大学校产学协力团
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种具有高介电常数、低漏电流和高绝缘强度而适于制造高度集成器件的新型高介电性膜以及包括所述高介电性膜的半导体和电容器器件，具体地涉及一种高介电性膜以及包含其的半导体或电容器器件，其中高介电性膜的特征在于由介电常数为
高介电性膜以及包含半导体电容器器件

[发明专利]介电弹性体前驱液及其制备方法和应用、介电弹性体复合材料、柔性器件、发光器件-CN202010163954.X有效
发明人：朱世平;张长庚;石磊;张祺 -专利权人：香港中文大学（深圳）
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： C08F283/12 文献下载
摘要：本发明涉及介电弹性体领域，具体而言，提供了一种介电弹性体前驱液及其制备方法和应用、介电弹性体复合材料、柔性器件、发光器件。所述介电弹性体前驱液包括弹性体基体、离子液体和溶剂，离子液体和溶剂的体积分数为5％‑45％。该介电弹性体前驱液具有导电率高、透明度高和流动性好的优点，有利于制备具有高介电常数、低弹性模量和高光学透明性的介电弹性体复合材料，很好地解决了介电弹性体中高介电常数与低弹性模量和高光学透明性不能兼顾的问题
弹性体前驱及其制备方法应用复合材料柔性器件发光

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202010280457.8在审
发明人：施宏霖;刘珀玮;杨宗谕;吴云骥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：一种半导体结构可包括：高电压区；第一深沟沟槽隔离结构，使半导体结构的高电压区与多个低电压区电绝缘；及第二深沟沟槽隔离结构，使半导体结构的高电压区与多个低电压区电绝缘。第一深沟沟槽隔离结构可包括多个介电性侧壁间隔件及位于介电性侧壁间隔件之间的导电性填充材料部分。第二深沟沟槽隔离结构可仅包含至少一种介电材料且可包括介电性深沟沟槽填充结构，所述介电性深沟沟槽填充结构具有与所述多个介电性侧壁间隔件相同的材料组成且具有大于介电性侧壁间隔件的侧向厚度且小于介电性侧壁间隔件的侧向厚度的两倍的侧向厚度
半导体结构及其制作方法

[实用新型]肿瘤电场治疗系统及其电极片-CN202123244849.8有效
发明人：张军;孙虎;于晶;陈晟;沈琪超 -专利权人：杭州海莱新创医疗科技有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： A61N1/36 文献下载
摘要：本实用新型提供一种肿瘤电场治疗系统及其电极片，电极片包括呈网格状设置的柔性电路板、多个分布在柔性电路板至少呈三行四列阵列区域内的高介电片以及一将所有高介电片电性连接的接线部，多个高介电片分布在柔性电路板的网格节点处，每个高介电片均与其相邻的至少两个高介电片电性连接，多个高介电片之间呈间隔状设置以形成多个位于高介电片之间并允许患者体表湿气逸出的开放空间，多个高介电片中至少有一相邻的两高介电片之间呈断开状设置，接线部穿过呈断开状设置的两相邻高介电片之间的区域
肿瘤电场治疗系统及其电极

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