专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种SnO2-CN202310495628.2有效
  • 郇正利;常宁;韩利伟;曹光利 - 山东利恩斯智能科技有限公司
  • 2023-05-05 - 2023-07-14 - C04B35/457
  • 本发明采用固相合成法制备(Bi+Nb)共掺杂SnO2陶瓷,通过改善制备工艺以及烧结方式成功的制备了兼具巨电和低损耗的陶瓷材料。该巨电陶瓷材料兼具的介电常数、电损耗,且频率特性和温度特性稳定,能够适应高温工作环境,非常适合微型电容器,在集成电路中有着巨大的实用价值,解决了巨电材料在具有介电常数的同时有着电损耗的问题
  • 一种snobasesub
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  • 白杰;尤康 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2020-06-12 - 2021-12-17 - H01L21/8238
  • 该方法包括获取衬底,衬底上形成有第一器件区域和第二器件区域,以及k栅电层薄膜;在衬底上形成覆盖在第二器件区域的k栅电层薄膜上的阻挡层结构;在衬底上形成包括第一金属元素的覆盖层薄膜;通过退火工艺使得覆盖层薄膜中的第一金属元素向第一器件区域的k栅电层薄膜扩散,阻挡层结构阻止第一金属元素向第二器件区域的k栅电层薄膜扩散;其中,第一器件区域和第二器件区域为导电类型相反的器件区域。本申请使得第一器件区域与第二器件区域的k栅电层的介电常数不同的工艺步骤较少,生产成本
  • 半导体器件及其制造方法

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