“高介低”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果4865156个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种高频双面柔性覆铜板及其制备方法-CN202210799156.5在审
发明人：徐莎;张珍珍;王洋 -专利权人：中山新高电子材料股份有限公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： B32B15/20 文献下载
摘要：高频双面柔性覆铜板，包括依次接触的铜箔层、低介电热塑性聚酰亚胺层、热固性聚酰亚胺层、低介电热塑性聚酰亚胺层、铜箔层。本发明开发的高频低介电聚酰亚胺双面柔性覆铜板在10GHz频率下的介电常数(Dk)为3.2～3.4，介电损耗(Df)为0.004～0.006，可满足5～6GHz频率段柔性印刷电路板的(FPCB)信号传输过程的插损要求，尺寸稳定性高。
一种高频双面柔性铜板及其制备方法

[发明专利]一种含有碳氢链段及亚胺环的低介电、高耐热苯并噁嗪树脂及其制备方法-CN202110822374.1在审
发明人：支肖琼;黄杰;廖曦;李欣;吴杰 -专利权人：四川东材科技集团股份有限公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： C08G14/06 文献下载
摘要：本发明公开了式（Ⅰ）所示的一种含有碳氢链段及亚胺环的低介电、高耐热苯并噁嗪树脂，该化合物的制备方法是：在装有搅拌器、温度计、冷凝管的反应器中，加入含双键苯并噁嗪树脂、马来酰亚胺树脂、溶剂和引发剂，升温至本发明制得的含有碳氢链段及亚胺环的低介电、高耐热苯并噁嗪树脂具有低介电常数、低介电损耗、高耐热性等特点，特别适合作高频高速覆铜板用原料。
一种含有碳氢亚胺低介电耐热树脂及其制备方法

[发明专利]一种低介电、高玻璃化转变温度树脂的制备方法及应用-CN202211390202.2在审
发明人：刘飞华;李佳运;蒋卫;赵维巍 -专利权人：哈尔滨工业大学（深圳）
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C08G73/10 文献下载
摘要：本发明属于高性能高分子材料技术领域，公开了一种低介电、高玻璃化转变温度树脂的制备方法及应用，该制备方法包括采用两种二胺和两种二酐制备得到聚酰胺酸前驱体溶液，并按照预定比例将其加入到双酚A型氰酸酯溶液中得到改性本发明所提供的低介电、高玻璃化转变温度树脂的制备方法具有工艺简单，易于操作的特点。引入具有特殊结构聚酰亚胺的三嗪树脂更有利于维持材料的低损耗及提高热性能，使得所制备得到的树脂具有低介电常数、低介电损耗和高玻璃化转变温度。
一种低介电玻璃化转变温度树脂制备方法应用

[发明专利]一种低介电聚酰胺薄膜及其应用-CN202111107890.2在审
发明人：王雷 -专利权人：上海载乘新材料科技有限公司;广东载乘新材料科技有限公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：一种低介电聚酰胺薄膜及其应用，涉及电路板保护膜技术领域，所述聚酰胺薄膜由聚酰胺基层、陶瓷粉末层以及聚酰胺盖层组成，所述陶瓷粉末层设置在所述聚酰胺基层和聚酰胺盖层之间，所述陶瓷粉末层采用内置于所述聚酰胺薄膜内部的形态排列，所述的低介电聚酰胺薄膜用于5G通信中软铜薄积层板中的FCCL低介电薄膜，本发明的聚酰胺薄膜与现有的聚酰胺低介电薄膜相比，介电常数大大降低，因此，本发明在保留聚酰胺材料的低流电特性、绝缘性能以及高阻抗性能的前提下
一种低介电聚酰胺薄膜及其应用

[发明专利]介电可调微波陶瓷介质材料及其制备方法-CN200910046268.8有效
发明人：翟继卫;张景基 -专利权人：同济大学
申请日： 2009-02-17 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明涉及电子材料与器件技术领域，公开了一种介电可调微波陶瓷介质材料及其制备方法，本发明的介电可调微波陶瓷介质材料的成分为：Ba_1-xSr_xTi_{1-本发明的介电可调微波陶瓷介质材料具有致密的微结构、低的介电常数、高的介电可调率和高的Q值，是能被用于可调微波器件的材料。}
可调微波陶瓷介质材料及其制备方法

[发明专利]一种低光学碱度玻璃及其制备方法和应用-CN202211393372.6在审
发明人：李青;李赫然;刘丹;胡恒广;闫冬成;张广涛;刘文渊;姚荣江;张盼 -专利权人：河北光兴半导体技术有限公司;东旭科技集团有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C03C3/093 文献下载
摘要：本申请提供了一种低光学碱度玻璃及其制备方法和应用。其中，该低光学碱度玻璃的光学碱度与介电常数满足特定方程：Λ＝47.05472+1.14678k，Λ表示光学碱度，k表示介电常数。本申请通过对玻璃的光学碱度和介电常数的特定设置，使其具有低的介电常数和低介电损耗，有效地解决了现有技术中存在的高介电耗损和介电常数的问题。
一种光学碱度玻璃及其制备方法应用

[发明专利]一种高介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法-CN202310748560.4在审
发明人：熊武;高胜;汪文彩;李晓华 -专利权人：青岛达亿星电子化工新材料研究院有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种高介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法，该制备方法步骤包括：在惰性气体保护下，将高介电聚酰亚胺薄膜的原料与极性有机溶剂混合，搅拌反应，得到聚酰胺酸前驱体溶液，脱泡后流涎成膜，进行热亚胺化处理，所述高介电聚酰亚胺薄膜的原料包括芳香族二胺类化合物、芳香族二酐类化合物和具有高介电常数的聚合物或高介电常数的纳米粉体；本发明聚酰亚胺高介电薄膜的制备方法工艺简单，成本低，可连续化制备，易于实现规模化生产，所制得聚酰亚胺高介电薄膜具有高介电常数、高强度、高模量、高储能密度及高尺寸稳定性，可应用于储能元件、印刷电路板、湿敏元件、半导体器件等微电子领域元器件。
一种高介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法

[发明专利]合成多层陶瓷电子部件及其制造方法-CN01143780.4无效
发明人：杉本安隆;近川修;森直哉 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2001-12-19 - 公布日： 2002-07-24 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：一种合成多层陶瓷电子部件,它包括相互层迭的高介电常数层和至少一个低介电常数层。高介电常数层包括一种高介电常数材料,相对介电常数εγ的为20或更大,低介电常数层包括一种低介电常数材料,相对介电常数εγ约为10或更小。高介电常数材料主要包含BaO－TiO3－ReO3/2介质,与第一玻璃成分,BaO－TiO3－ReO3/2介质表示为xBaO－yTiO3－zReO3/2介质,x、y与z为%克分子并满足8x18,52.5y65,20z40,且x+y+z=100,Re为稀土元素,低介电常数材料包含由陶瓷与第二玻璃成分组成的合成物。
合成多层陶瓷电子部件及其制造方法

[其他]波导体-CN201590000668.4有效
发明人：塚原刚;星川重之;田中美绪 -专利权人：莫列斯有限公司
申请日： 2015-05-26 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： H01P3/16 文献下载
摘要：通过在介电体的长方形横截面中的长边方向外侧配置一对供电线，使波导体变得柔性高、可传送电力、易于制造、结构简单、成本低且可靠度高。为此，具备横截面为长方形的实心的介电体(51)、配置于该介电体(51)的横截面的长边方向外侧的一对供电线(91)、以及围绕所述介电体(51)周围的外部导电体；且，所述介电体(51)的外表面以能够滑动的方式紧贴于所述外部导电体的内表面
波导

[发明专利]一种聚苯硫醚树脂基高频低损耗复合材料及其制备方法和应用-CN202111370338.2在审
发明人：李冬升;盛维琛;牛军强;陈百怀;王威;刘勇 -专利权人：江苏大学;久裕电子科技(江苏)有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： C08L81/02 文献下载
摘要：本发明属于聚苯硫醚基复合材料技术领域，具体涉及一种高频低介电损耗的聚苯硫醚基复合材料及其制备方法和应用，用于制作5G天线振子。本发明采用线型聚苯硫醚为基础树脂，利用低介电的高抗冲的增韧剂SEBS对其进行流变改性，在保持聚苯硫醚良好的耐热性、强度和刚性等性能基础上，提高其熔融流变性能，进一步降低介电损耗；与此同时，利用偶联剂活化低介电常数的无机粉体表面后，与聚苯醚复合树脂进行高速预混、熔融混合挤出等工艺将有机树脂与无机粉体制备为具有预定介电常数，同时具有极低介电损耗、高耐温性能、低成型收缩、高强度和高刚性的复合材料，可广泛用于生产5G天线罩、移相器等通信元器件
一种聚苯硫醚树脂高频损耗复合材料及其制备方法应用

[发明专利]包含二极管结构的半导体结构及半导体装置及其形成方法-CN201280016959.3有效
发明人：杰德布·戈斯瓦米 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2012-01-31 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：可在所述第一电极的通过上覆于所述第一电极的介电材料中的开口而暴露的表面上方形成低k介电材料，接着在所述低k介电材料上方形成高k介电材料。所述开口的剩余部分可使用另一导电材料填充以形成第二电极。所得二极管结构的所述第一电极及所述第二电极具有不同的功函数，且因此提供低热预算、低接触电阻、高正向偏压电流及低反向偏压电流。本发明还揭示包含此二极管结构的存储器单元及存储器阵列。
包含二极管结构半导体装置及其形成方法

[发明专利]无卤低介电组成物、积层板以及印刷电路板-CN202211448827.X在审
发明人：唐锋;陈盛栋;龚锦华;姚京松 -专利权人：东莞联茂电子科技有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明公开一种无卤低介电组成物、积层板以及印刷电路板，其中所述无卤低介电组成物包含：(a)100重量份的环氧树脂；(b)一硬化剂，其包含15至25重量份的阻燃硬化剂及70至100重量份的苯并噁嗪树脂，其中该苯并噁嗪树脂是具有芳香族双胺官能基本发明的无卤低介电组成物藉着特定的组成份及比例，可提供不含卤素的环氧树脂组成物，且其具有优良的介电性能、高玻璃化转变温度、低热膨胀系数、高耐热性、良好的阻燃性以及优异的印刷电路板加工性能。
无卤低介电组成积层板以及印刷电路板

[发明专利]一种多层交联介电层及其制备方法和应用-CN202211107718.1在审
发明人：王海波;胡舒航 -专利权人：吉林大学
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层交联介电层及其制备方法和应用，属于有机光电器件及其柔性光电应用的领域，该多层交联介电层的每一层采用的是旋涂交联聚合物形成的交联介电层。该多层交联介电层在较薄的厚度下具有较高的电容，同时可以减小电极表面粗糙度，减小漏电流，从而制备具有高迁移率低阈值电压的有机场效应晶体管。本发明解决了目前有机场效应晶体管工作电压过高的问题，能够获得高电容、低泄露电流、低粗糙度的介电层，此种方法制备的介电层可以应用于柔性有机场效应晶体管中，进而可以实际应用在逻辑电路中。
一种多层交联介电层及其制备方法应用

[发明专利]一种低介电损耗的改性BaTi2-CN202310337170.8在审
发明人：符小艺;马腾飞;卢振亚 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种低介电损耗的改性BaTi2O5/PVDF复合薄膜材料及其制备方法。陶瓷/聚合物材料拥有较大的介电常数，但通常介电损耗较大，本发明目的是为了提高复合材料的介电常数，同时降低介电损耗。该方法选用高介电常数的BaTi2O5纳米线作为填充材料，先利用具有低介电损耗的SiO2介电损耗。在室温条件下，本方法制备得到的复合薄膜材料，1000Hz时测试的介电常数最大可达到42.22，介电损耗可低至0.09。
一种低介电损耗改性 bati base sub

[发明专利]一种含烷基链的咪唑类磁性聚合物及其制备方法和在电磁材料中的应用-CN201910638958.6有效
发明人：任丽霞;于晓亮;袁晓燕 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C08F126/06 文献下载
摘要：与传统无机材料相比，该磁性聚合物在超高频率条件下表现出了高介电性能，低介电损耗，高磁导率，低磁损耗的特性，同时也保持了聚合的良好加工性能，实验结果证明该聚合物在通信，电磁信号传输等电磁材料方面有着广阔的应用前景
一种烷基咪唑磁性聚合物及其制备方法电磁材料中的应用