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[发明专利]晶圆键合方法及晶圆键合结构-CN201611081250.8有效
发明人：陈福成 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种晶圆键合方法及晶圆键合结构，其中晶圆键合方法包括：提供第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆上具有第一层间介质层和贯穿第一层间介质层的第一键合层，所述第二晶圆上具有第二层间介质层和贯穿第二层间介质层的第二键合层；在所述第一层间介质层表面、第二层间介质层表面、或第一层间介质层和第二层间介质层的表面形成自组装分子层；对所述第一晶圆和第二晶圆进行键合，使第一键合层和第二键合层相互固定，且第一层间介质层通过自组装分子层和第二层间介质层相互固定所述方法能够提高第一晶圆和第二晶圆的键合质量。
晶圆键合方法结构

[发明专利]一种芯片三维多面之间的键合互连方法-CN201910793398.1有效
发明人：李波;夏俊生;臧子昂;李文才 -专利权人：华东光电集成器件研究所
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开一种芯片三维多面之间的键合互连方法，包括：a、在三维多面电路基板的侧边制作基片侧连PAD；基片侧连PAD作为相邻电路基板相互键合的媒介；通过基片侧连PAD，使相邻电路基板间的三维键合转化为二维键合，利用平面键合工艺即实现相邻电路基板间的键合；b、将引线柱的外圆面制作出平面，形成引线柱PAD，引线柱PAD与相对应的电路基板相平行，使引线柱与电路基板间的三维键合转化为二维键合，利用平面键合工艺即实现引线柱与相对应电路基板间的键合；本发明基于常规成熟的平面键合连线工艺，通过将三维键合转化为二维键合，实现不同维度面之间的键合互连，且不形成三维键合线弧或三维焊接线弧，提高键合质量。
一种芯片三维多面之间互连方法

[发明专利]晶圆键合标识及其形成方法、晶圆键合方法-CN202011539811.0在审
发明人：刘清召 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本申请提供一种晶圆键合标识及其形成方法、晶圆键合方法，其中所述晶圆键合标识包括主标识尺，包括若干均匀分布且具有第一间隔尺寸的主刻线；副标识尺，与所述主标识尺的起点对齐，且平行于所述主标识尺分布，包括若干均匀分布且具有第二间隔尺寸的副刻线；所述第一间隔尺寸大于所述第二间隔尺寸，且具有特定差值。本申请技术方案的晶圆键合标识在键合时可以作为键合标识，同时还能提供偏移数据，保证键合精度。
晶圆键合标识及其形成方法

[实用新型]一种半导体封装-CN202023028129.3有效
发明人：金水来 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：根据本实用新型的一实施例，一种半导体封装包含：第一裸片；以及位于所述第一裸片上的一或多个第一键合垫阵列，相邻的第一键合垫阵列界定第一间隔，所述第一间隔具有第一尺寸，且每个第一键合垫阵列包含多个第一键合垫，其中所述多个第一键合垫的相邻键合垫界定第二间隔，所述第二间隔具有第二尺寸，所述第二尺寸小于所述第一尺寸，且所述第一间隔和所述第二间隔以绝缘材料填充。
一种半导体封装

[发明专利]利用光刻曝光补偿修正晶圆键合对准偏差的方法及系统-CN201910120895.5在审
发明人：朱欢;冯耀斌;吴年丰;彭熙锦;颜柏寒;徐陈林 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-02-18 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用光刻曝光补偿修正晶圆键合对准偏差的方法及系统，所述方法包括如下步骤：获取具有键合图形层的第一待键合晶圆和第二待键合晶圆键合时的对准偏差；提供尚未形成所述键合图形层的第三待键合晶圆和第四待键合晶圆，在所述第三待键合晶圆和/或所述第四待键合晶圆的表面形成层间图形层，在形成所述层间图形层的光刻曝光过程中依据所述对准偏差进行光刻曝光补偿。本发明通过在层间图形层的形成过程中引入光刻曝光补偿，对晶圆键合时键合图形层的对准偏差进行修正，避免了晶圆在键合后因对准偏差导致的电性连接断路等缺陷，提高了产品良率。
键合晶圆对准偏差图形层光刻曝光补偿修正晶圆键合层间光刻曝光过程表面形成层产品良率电性连接断路修正引入

[发明专利]片间互连方法-CN201510181261.2在审
发明人：刘子玉;蔡坚;王谦;邹贵生;刘磊 -专利权人：清华大学
申请日： 2015-04-16 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种片间互连方法，该方法包括：在衬底上形成第一键合凸点；在所述第一键合凸点上沉积具有导电性能的第一三维纳米结构；利用所述第一三维纳米结构将所述第一键合凸点与待键合件上形成的第二键合凸点进行键合，以使所述衬底与所述待键合件互连。由此，可以实现层间节距的持续减小，并降低键合温度，提高集成度。
互连方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN02141160.3无效
发明人：泉谷淳子;竹若博基 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2002-07-08 - 公布日： 2003-05-07 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明的课题在于在备有使用铜布线的多层布线结构的半导体装置中，获得将键合引线键合在键合区上时能提高连接的可靠性及稳定性的半导体装置及其制造方法。在第二层间绝缘膜14上局部地形成都是由铝合金构成的第三层布线17及键合区71。在第三层间绝缘膜63、第四层间绝缘膜67、保护绝缘膜72、以及缓冲被覆膜73内局部地形成具有由键合区71规定的底面的开孔部74。在开孔部74内插入键合引线75，键合引线75被键合在键合区71上。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]微电子学中在低温下进行直接金属间键合的层结构-CN202210796791.8在审
发明人： G·高;G·G·小方丹;L·W·米卡里米;R·卡特卡尔;I·莫哈梅德;C·E·尤佐 -专利权人：伊文萨思粘合技术公司
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本公开涉及微电子学中在低温下进行直接金属间键合的层结构。提供用于在微电子学中在低温和较短退火持续时间下进行直接金属间键合的层结构。示例键合界面结构能够在150℃或在150℃以下的低退火温度下以及较低能量预算下实现互连件的直接金属间键合。示例结构为被键合的导电焊盘和过孔提供了精确的金属凹陷距离，该金属凹陷距离可以在高量产中被实现。示例结构提供在键合界面之下的导电层的竖直堆叠，导电层的竖直堆叠的几何形状和热膨胀特征被设计为在较低的温度下、在精确的凹陷距离内使得堆叠竖直膨胀，以进行直接金属间键合。诸如表面纳米纹理和铜晶面选择的进一步增强可以以降低的退火温度和较短的退火持续时间进一步促使直接金属间键合。
微电子学低温进行直接金属间键合结构

[发明专利]一种LED芯片用键合衬底的制备方法-CN201610203193.X在审
发明人：云峰;郭茂峰;苏喜林 -专利权人：陕西新光源科技有限责任公司
申请日： 2016-04-01 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED芯片用键合衬底的制备方法，包括以下步骤：1)在起始键合衬底上制备牺牲层金属；2)对起始键合衬底上的牺牲层金属利用退火工艺进行表面改性处理，在键合衬底和牺牲层金属间形成过渡层金属；3)腐蚀去除起始键合衬底上剩余牺牲层金属；4)在过渡层金属上制备永久键合金属层，以形成最终的键合衬底。4)在过渡层金属上制备永久键合金属层，以形成最终的键合衬底。本发明提供的一种LED芯片用键合衬底的制备方法，在起始键合衬底表面制备牺牲层金属结构，通过处理形成过渡层金属，起到降低起始键合衬底与外延片间的热膨胀系数差的作用。
一种 led 芯片用键合衬底制备方法

[发明专利]微电子学中在低温下进行直接金属间键合的层结构-CN201980070918.4有效
发明人： G·高;G·G·小方丹;L·W·米卡里米;R·卡特卡尔;I·莫哈梅德;C·E·尤佐 -专利权人：伊文萨思粘合技术公司
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供了用于在微电子学中在低温和较短的退火持续时间下进行直接金属间键合的层结构。示例键合界面结构能够在150℃或在150℃以下的低退火温度下以及较低的能量预算下实现互连件的直接金属间键合。示例结构为被键合的导电焊盘和过孔提供了精确的金属凹陷距离，该金属凹陷距离可以在高量产中被实现。示例结构提供了在键合界面之下的导电层的竖直堆叠，导电层的竖直堆叠的几何形状和热膨胀特征被设计为在较低的温度下、在精确的凹陷距离内使得堆叠竖直膨胀，以进行直接金属间键合。诸如表面纳米纹理和铜晶面选择的进一步增强可以以降低的退火温度和较短的退火持续时间进一步促使直接金属间键合。
微电子学低温进行直接金属间键合结构

[发明专利]多层堆叠芯片低温超声键合形成单金属间化合物焊点的方法-CN201210181935.5无效
发明人：田艳红;孔令超;王春青;刘威 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2012-06-05 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： B23K1/06 文献下载
摘要：一种多层堆叠芯片低温超声键合形成单金属间化合物焊点的方法，属于电子制造技术领域，涉及一种多层堆叠芯片的低温键合方法。为了实现叠层封装中堆叠芯片的低温高可靠互连，本发明所述方法为打孔→填充导电金属及焊盘平整化→制备钎料层→夹持对中→超声键合→成品，其中超声键合具体步骤如下：精密对准和对中后，采用超声焊接机进行超声键合。本发明适用于叠层封装中芯片厚度100μm以下的2～5层硅通孔芯片的低温键合，互连焊点厚度小于10μm。本发明采用超声键合方法，键合温度50～200℃，有效降低温度对芯片的影响；可以快速实现叠层芯片间单金属间化合物连接，提高封装可靠性。
多层堆叠芯片低温超声键合形成金属化合物方法

[发明专利]共晶键合的方法-CN201811405166.6有效
发明人：丁刘胜 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明提供一种共晶键合的方法，包括：1)在所述第一、第二晶圆表面形成第一、第二键合材料；2)将第一、第二键合材料对准；3)升温至第一温度下保持第一时间，以去除水气；4)升温至第二温度并施加第一压力，保持第二时间进行预键合；以及5)升温至第三温度并施加第二压力，保持三第时间，在保持所述第三时间的过程中，对所述第一晶圆和所述第二晶圆施加一快速升降温的温度脉冲，或施加一压力脉冲，以使所述第一键合材料与所述第二键合材料实现共晶键合本发明通过在共晶键合过程中，施加一快速升降温的温度脉冲或施加一压力脉冲，使得键合材料尽快地产生足够的熔融液体，加速共晶键合过程，避免键合空洞的产生，同时，该温度脉冲或压力脉冲时间足够短，可以大大减小熔融液体的扩散时间
共晶键合方法

[发明专利]一种实现硅通孔叠层芯片互连的方法-CN201410223960.4在审
发明人：田艳红;刘宝磊;孔令超;王春青 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2014-05-24 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现硅通孔叠层芯片互连的方法，所述方法按以下步骤实现多层堆叠硅通孔芯片间的键合：打孔→填充导电金属→制备钎料层→夹持对中→键合→成品，所述键合过程中，利用电流焦耳热辅助键合工艺实现硅通孔三维互连焊点键合本发明提供的焦耳热辅助实现三维封装键合方法能够在较低的温度甚至是常温下，实现全金属间化合物焊点的快速键合，有效的降低了芯片的热损伤；在定向电流的作用下，使焊点中的金属间化合物定向、择优、快速生长，焊点具备较高的导电性和优异的综合力学性能，有效的提高了焊点的可靠性；采用平行电极电阻焊实验平台，容易集成热板、超声装置，可以达到更为优异的键合效果，缩短键合时间。
一种实现硅通孔叠层芯片互连方法

[发明专利]一种半导体器件、制备方法及封装方法-CN201410539129.X在审
发明人：施林波;陈福成 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-10-13 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件、制备方法及封装方法，所述制备方法包括步骤S1：提供基底，在所述基底上形成有层间介电层和位于所述层间介电层中的接合焊盘；步骤S2：在所述层间介电层和所述接合焊盘上形成光敏性的苯并环丁烯材料层，以覆盖所述层间介电层和所述接合焊盘；步骤S3：图案化所述苯并环丁烯材料层，以形成开口，露出所述接合焊盘。本发明的优点在于：1、采用混合键合(hybrid bonding)工艺对接合焊盘(例如铜柱，Cu pillar bonding)进行密封键合，增加键合强度(bonding strength)，提高晶片的键合质量；2、采用具有绝缘的AD-BCB材质进行辅助键合，可以改善接合铜柱(Cu pillar)间的弱电流问题，提高了电性稳定性；3、采用混合键合，可以大大提高了封装可靠性以及芯片寿命。
一种半导体器件制备方法封装

[发明专利]半导体制造装置及半导体装置的制造方法-CN202010756618.6在审
发明人：黑泽哲也 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：在半导体制造装置中，控制器在第1期间中，在通过至少第1吸附构造经由带使半导体芯片吸附于表面的状态下，将键合工具向工作台相对地靠近。控制器在第2期间中，将从键合工具向半导体芯片的加压力维持为目标压力，同时将键合工具的温度控制为第1目标温度。第2期间是接着第1期间的期间。控制器在第3期间中，以将从键合工具向半导体芯片的加压力维持为目标压力的方式相对地控制键合工具及工作台的距离，并将键合工具的温度控制为第2目标温度。第3期间是接着第2期间的期间。
半导体制造装置方法

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