“L·W·米卡里米”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果14个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]直接键合方法和结构-CN202180085772.8在审
发明人： G·高;C·E·尤佐;L·W·米卡里米;G·G·小方丹 -专利权人：美商艾德亚半导体接合科技有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：一种键合方法可以包括使第一元件的第一键合层活化以用于到第二元件的第二键合层的直接键合。该键合方法可以包括：在活化之后，在第一元件的经活化的第一键合层之上提供保护层。
直接方法结构

[发明专利]用于直接键合结构的尺寸补偿控制-CN202180036378.5在审
发明人： G·高;L·W·米卡里米;G·G·小方丹;C·E·尤佐 -专利权人：隔热半导体粘合技术公司
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：公开了一种将具有差异厚度的第一半导体元件和第二半导体元件直接混合键合的方法。该方法可以包括：对第一半导体元件上的多个第一接触特征进行图案化。该方法可以包括：对第二半导体元件上的与第一接触特征相对应的多个第二接触特征以用于直接混合键合。该方法可以包括：将光刻倍率校正因子应用于第一图案化和第二图案化中的一者，而不将光刻倍率校正因子应用于第一图案化和第二图案化中的另一者。在各种实施例中，差异膨胀补偿结构可以被设置在第一半导体元件和第二半导体元件中的至少一者上。差异膨胀补偿结构可以被配置为补偿第一半导体元件与第二半导体元件之间的差异膨胀，以减少至少第二接触特征与第四接触特征之间的未对准。
用于直接结构尺寸补偿控制

[发明专利]微电子学中在低温下进行直接金属间键合的层结构-CN202210796791.8在审
发明人： G·高;G·G·小方丹;L·W·米卡里米;R·卡特卡尔;I·莫哈梅德;C·E·尤佐 -专利权人：伊文萨思粘合技术公司
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本公开涉及微电子学中在低温下进行直接金属间键合的层结构。提供用于在微电子学中在低温和较短退火持续时间下进行直接金属间键合的层结构。示例键合界面结构能够在150℃或在150℃以下的低退火温度下以及较低能量预算下实现互连件的直接金属间键合。示例结构为被键合的导电焊盘和过孔提供了精确的金属凹陷距离，该金属凹陷距离可以在高量产中被实现。示例结构提供在键合界面之下的导电层的竖直堆叠，导电层的竖直堆叠的几何形状和热膨胀特征被设计为在较低的温度下、在精确的凹陷距离内使得堆叠竖直膨胀，以进行直接金属间键合。诸如表面纳米纹理和铜晶面选择的进一步增强可以以降低的退火温度和较短的退火持续时间进一步促使直接金属间键合。
微电子学低温进行直接金属间键合结构

[发明专利]微电子学中在低温下进行直接金属间键合的层结构-CN201980070918.4有效
发明人： G·高;G·G·小方丹;L·W·米卡里米;R·卡特卡尔;I·莫哈梅德;C·E·尤佐 -专利权人：伊文萨思粘合技术公司
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供了用于在微电子学中在低温和较短的退火持续时间下进行直接金属间键合的层结构。示例键合界面结构能够在150℃或在150℃以下的低退火温度下以及较低的能量预算下实现互连件的直接金属间键合。示例结构为被键合的导电焊盘和过孔提供了精确的金属凹陷距离，该金属凹陷距离可以在高量产中被实现。示例结构提供了在键合界面之下的导电层的竖直堆叠，导电层的竖直堆叠的几何形状和热膨胀特征被设计为在较低的温度下、在精确的凹陷距离内使得堆叠竖直膨胀，以进行直接金属间键合。诸如表面纳米纹理和铜晶面选择的进一步增强可以以降低的退火温度和较短的退火持续时间进一步促使直接金属间键合。
微电子学低温进行直接金属间键合结构

[发明专利]在微电子学中增加可靠性和提高产率的直接键合堆叠结构-CN202080046522.9在审
发明人： C·E·尤佐;R·坎卡尔;T·沃克曼;G·高;G·G·小方丹;L·W·米卡里米;B·哈巴;G·Z·格瓦拉;J·瓦塔纳贝 -专利权人：伊文萨思粘合技术公司
申请日： 2020-06-25 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L23/16 文献下载
摘要：提供了用于在微电子学中增加可靠性和提高产率的直接键合堆叠结构。针对存储器模块和3DIC提供了用于减少垂直堆叠管芯中的缺陷的结构特征和堆叠配置。例如，示例工艺减轻了较厚的顶部管芯与其下方的直接键合管芯之间的翘曲应力。顶部管芯上的蚀刻表面可以减轻翘曲应力。示例堆叠可以包括在管芯之间的顺应层。另一堆叠配置用模制材料层代替顶部管芯以规避翘曲应力。键合表面上的腔体阵列可以减轻应力。还可以在顶部管芯的一侧或在其他管芯之间创建一个或多个应力平衡层以减轻或对抗翘曲。边缘圆角化可以防止应力和压力破坏性地传递穿过管芯和衬底层。这些措施可以一起或组合应用于单个封装中。
微电子学增加可靠性提高直接堆叠结构

[发明专利]密封的键合结构及其形成方法-CN202080033098.4在审
发明人： R·坎卡尔;A·R·西塔拉姆;L·W·米卡里米 -专利权人：伊文萨思粘合技术公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：公开了一种键合结构。键合结构包括第一元件，该第一元件具有前侧和与前侧相对的背侧。第一元件在第一元件的前侧处具有第一导电焊盘和第一非导电场区。键合结构还包括第二元件，该第二元件具有在第二元件的前侧处的第二导电焊盘和第二非导电场区。第二导电焊盘沿着界面结构被键合到第一导电焊盘。键合结构还包括集成器件，该集成器件与第一元件或第二元件耦合或与第一元件或第二元件一起形成。键合结构还包括从第一元件的背侧延伸到界面结构的细长导电结构。细长导电结构在集成器件周围提供有效闭合轮廓。
密封结构及其形成方法

[发明专利]减轻在制备衬底的直接接合时探测焊盘的表面损伤-CN202080030123.3在审
发明人： G·高;L·W·米卡里米;G·G·小方丹 -专利权人：伊文萨思粘合技术公司
申请日： 2020-04-14 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：提供了减轻在制备衬底的直接接合时探测焊盘的表面损伤的方法。方法以及层结构在测试探测期间探测焊盘表面被破坏后，通过恢复平坦直接接合表面，制备用于直接接合处理的半导体衬底。示例性方法在被破坏的探测焊盘表面上填充一系列金属以及氧化物，并且构建电介质表面以及用于混合接合的互连件。互连件可以被连接到探测焊盘和/或衬底的其他电接触。层结构被描述用于增加所得直接接合处理的产出以及可靠性。另一处理在倒数第二金属化物层上构建探测焊盘，并且施加直接接合电介质层以及金属镶嵌处理而不增加掩模层的计数。另一示例性处理以及相关的层结构将探测焊盘凹陷到较低的金属化物层并且允许在探测焊盘上的凹腔。
减轻制备衬底直接接合探测表面损伤

[发明专利]用于处理器件的技术-CN202110686074.5在审
发明人： C·E·尤佐;L·W·米卡里米;G·高;G·G·小方丹 -专利权人：伊文萨思粘合技术公司
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本申请的各实施例涉及用于处理器件的技术。代表性技术提供用于形成微电子组件的过程步骤，包括准备用于结合的微电子部件，诸如管芯、晶圆、衬底等。该微电子部件的一个或多个表面被形成和准备为结合表面。该微电子部件在该准备的结合表面处堆叠并结合而无需粘合剂。
用于处理器件技术

[发明专利]用于处理器件的技术-CN201980013695.8有效
发明人： C·E·尤佐;L·W·米卡里米;G·高;G·G·小方丹 -专利权人：伊文萨思粘合技术公司
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：代表性技术提供用于形成微电子组件的过程步骤，包括准备用于结合的微电子部件，诸如管芯、晶圆、衬底等。该微电子部件的一个或多个表面被形成和准备为结合表面。该微电子部件在该准备的结合表面处堆叠并结合而无需粘合剂。
用于处理器件技术

[发明专利]作为焊盘的TSV-CN201980051599.2在审
发明人： G·高;B·李;G·G·小方丹;C·E·尤佐;B·哈巴;L·W·米卡里米;R·坎卡尔 -专利权人：伊文萨思粘合技术公司
申请日： 2019-06-12 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：包括过程步骤的代表性技术和器件可以被采用，来减轻由于接合界面处的金属膨胀而导致接合的微电子衬底的分层的可能性。例如，穿硅过孔(TSV)可以设置穿过微电子衬底中的至少一个微电子衬底。TSV在衬底的接合界面处被暴露，并且用作针对直接接合的接触表面。
作为 tsv

[发明专利]TSV之上的大金属焊盘-CN201980051614.3在审
发明人： G·高;B·李;G·G·小方丹;C·E·尤佐;L·W·米卡里米;B·哈巴;R·卡特卡尔 -专利权人：伊文萨思粘合技术公司
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：包括过程步骤的代表性技术和器件可以被采用，来减轻由于接合界面处的金属膨胀而导致接合的微电子衬底的分层的可能性。例如，当接触焊盘被定位在一个或两个衬底中的TSV之上时，可以使用具有较大直径或表面面积(例如，针对应用是尺寸过大的)的金属焊盘。
tsv 之上金属

[发明专利]在微电子学中用于接合异种材料的技术-CN201980044534.5在审
发明人： G·G·小方丹;C·曼达拉普;L·W·米卡里米 -专利权人：伊文萨思粘合技术公司
申请日： 2019-07-02 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：提供了在微电子学中用于接合异种材料的技术。示例技术使用厚度介于100纳米至1000纳米之间的薄氧化物、碳化物、氮化物、碳氮化物或氧氮化物中间物，在环境室温下直接键合异种材料。中间物可以包括硅。异种材料可能具有显著不同的热膨胀系数(CTE)和/或显著不同的晶格晶胞几何形状或尺寸，常规上讲会导致应变过大以使得直接键合不可行。在直接键合异种材料之后，环境室温下的固化时段允许直接键合增强200％以上。以每分钟1℃或更低的温度增加速率缓慢施加的相对低温的退火会进一步增强和巩固直接键合。示例技术可以在各种新型光学器件和声学器件的制作过程中将钽酸锂LiTaO3直接键合到各种传统衬底。
微电子学用于接合材料技术

[发明专利]低温结合结构-CN201980015715.5在审
发明人： C·E·尤佐;J·A·泰尔;王量;R·卡特卡尔;G·高;L·W·米卡里米 -专利权人：伊文萨思粘合技术公司
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明公开了装置和技术，该装置和技术包括使用导电互连结构中的凹陷部来形成可靠的低温金属结合的过程步骤。在结合之前将填充层沉积到该凹陷部中。使用直接结合技术在环境温度下将第一导电互连结构结合到第二金属互连结构，其中该填充层位于该第一互连结构和该第二互连结构中的一者或两者中的该凹陷部中。
低温结合结构

[发明专利]经加工的堆叠管芯-CN201880028854.7在审
发明人： C·E·尤佐;G·高;L·W·米卡里米;G·G·小方丹 -专利权人：伊文萨思粘合技术公司
申请日： 2018-04-24 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：技术和方法的代表性实施方式包括加工分割的管芯以准备用于键合。可以从晶圆部件分割多个半导体管芯部件，该半导体管芯部件各自具有基本平面的表面。可以从多个半导体管芯部件的边缘移除材料的颗粒和碎片。另外，多个半导体管芯部件中的一个或多个可以经由基本平面的表面键合到准备好的键合表面。
半导体管芯基本平面表面键合键合表面移除材料分割管芯键合晶圆加工

1
共 14 条