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[发明专利]IGBT模块寿命的统计方法、装置、电子设备及存储介质-CN202010771882.7有效
发明人：周望君;陆金辉;罗海辉;周亮;鲁迪旺 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2020-08-04 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本公开提供一种IGBT模块寿命的统计方法、装置、电子设备及存储介质，所述方法包括获取待测IGBT模块的集电极与发射极之间的电压值随功率循环次数变化的变化曲线；以所述待测IGBT模块内的所有键合点为子样本，获取所述变化曲线上每个电压突变点对应的功率循环次数和键合点的总失效率；根据所述变化曲线上所有电压突变点对应的功率循环次数和键合点的总失效率，得到键合点的总失效率与功率循环次数的关系式；根据键合点的总失效率与功率循环次数的关系式，获得预设键合点失效率对应的功率循环次数，以得到所述待测IGBT模块的循环寿命。
igbt 模块寿命统计方法装置电子设备存储介质

[实用新型]一种提升三端可调电压调整器合格率的内引线结构-CN202021394703.4有效
发明人：李平;夏自金;吴潇巍;李政;刘俊;胡锐 -专利权人：贵州振华风光半导体有限公司
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种提升三端可调电压调整器合格率的内引线结构，其特征在于：所述三端可调电压调整器具有输入端、输出端、电压调整端,在所述三端可调电压调整器芯片上，所述输入端有一个键合点，所述输出端有三个键合点，所述调整端有二个键合点，每一个所述键合点通过金属键合丝分别键合到CLCC封装外壳对应的、不同的引脚上。解决了传统内引线键合结构用于CLCC外壳封装时，由于受封装寄生直流电阻过大的影响，导致输出端电流调整率全部超出器件设计指标，产品全部不合格的问题。广泛应用于三端可调电压调整器在表贴式封装的情形。
一种提升可调电压调整器合格率引线结构

[发明专利]具有对准标识的晶圆组件及其形成方法、晶圆对准方法-CN202010814889.2有效
发明人：叶国梁;胡杏;易洪昇 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2020-08-13 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有对准标识的晶圆组件及其形成方法、晶圆对准方法，对准标识分布在第一晶圆和第二晶圆的键合层以及介质层中，第一晶圆中经第一点状标识和第一块状标识两层标识的反射光叠加从而保证了对准标识的图案清晰度，第一点状标识位于第一键合层中，且所述第一点状标识的上表面与所述第一键合层的上表面齐平，位于键合面上的第一点状标识保证微观平整度，键合后无空隙；同时位于键合面上的第一点状标识，还消除了不同层间的套刻精度误差键合机台使用该对准标识既能消除不同层间的套刻精度误差，提高图案清晰度的同时解决键合空隙的问题。
具有对准标识组件及其形成方法

[发明专利]微机电系统器件的制造方法-CN201210469696.3无效
发明人：李刚;胡维;梅嘉欣;庄瑞芬 -专利权人：苏州敏芯微电子技术有限公司
申请日： 2012-11-20 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种微机电系统器件的制造方法，包括如下步骤：S1：提供第一芯片，包括具有可动敏感部的微机电系统器件层和第一电气键合点；S2：提供第二芯片，包括具有第一表面和第二表面的衬底、设置于衬底上并自第二表面朝第一表面方向延伸的隔离部、设置在第二表面上的第二电气键合点，衬底还具有与所述第二电气键合点电气连接的电气连接部，隔离部围设在电气连接部的外围；S3：将第一芯片和第二芯片键合，第二表面朝向微机电系统器件层，第一电气键合点与第二电气键合点键合；S4：将键合后的第二芯片的衬底于其第一表面进行减薄操作以露出隔离部；S5：在减薄后的衬底的第一表面形成与外界电路电气连接的电气连接层。
微机系统器件制造方法

[发明专利]一种基于微流控技术的量子点色转换层制备方法-CN202111649892.4在审
发明人：陶金;朱立财;赵永周;李盼园;樊凯莉;孙文超;李记伟 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L33/54 文献下载
摘要：一种基于微流控技术的量子点色转换层制备方法涉及显示技术领域，解决了现有量子点与光刻胶结合技术存在量子点浪费和光致发光效率低的问题以及喷墨打印技术难控制量子点的大小形貌的问题，制备方法包括：键合微流道基板与像素阵列基板形成键合片；微流道基板在上像素阵列基板在下，将基色一和基色二的油性量子点溶液注入到键合片中且充满；将去离子水溶液由进液口从微流道基板注入到键合片中使得量子点位微流道内的油性量子点溶液均被去离子水溶液冲走；将气体从微流道基板注入到键合片中将去离子水溶液从键合片中排出本发明能够有效减少量子点浪费、所制备的量子点像素尺寸小精度高，有效减少光串扰效应、减缓量子点退化。
一种基于微流控技术量子转换制备方法

[发明专利]面向MEMS立体封装和组装的锡球凸点键合方法-CN201010222496.9无效
发明人：王春青;杨磊;刘威;田艳红 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2010-07-09 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：面向MEMS立体封装和组装的锡球凸点键合方法，属于MEMS器件的封装互连和组装领域。它解决了现有MEMS器件的封装键合工艺没有实现标准化，现有MEMS器件的自动化键合技术仅适用于特定焊盘平面的激光凸点制作，不能够将凸点制作及互连一体化实现，并且不适于进行MEMS器件立体封装的问题。它首先将待键合芯片运送到图像采集装置的视觉系统工作区域，采集图像信息，然后计算得到待键合芯片的所有待键合焊盘中心的位置，同时存储所有位置信息；然后根据位置信息，规划植球键合路径；根据植球键合路径对每一个焊盘进行键合：它包括由吸嘴吸取微钎料球、释放微钎料球在焊盘中心及完成键合。
面向 mems 立体封装组装锡球凸点键合方法

[发明专利]一种楔形键合引线加固结构和加固方法-CN201710823257.0有效
发明人：霍文培;杨义松;刘文治 -专利权人：北京无线电测量研究所
申请日： 2017-09-13 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明涉及一种楔形键合引线加固结构和加固方法，其中加固方法包括如下步骤，S1，对焊盘进行清洗；S2，将清洗后的所述焊盘置于键合机加热台上并真空吸附固定，将所述焊盘与引线进行楔形键合互联形成键合电路,所述引线在所述键合电路的键合点处形成键合部；S3，通过植球机将焊料球植入所述焊盘上；S4，对所述焊料球发射激光，所述焊料球在激光作用下回流形成均匀铺展于所述焊盘和所述键合点的表面的焊料。本发明适用于高可靠性键合和功率芯片的楔形键合互联。
一种楔形引线加固结构方法

[发明专利]一种基于低熔点铜共晶金属的晶圆混合键合方法-CN201510580189.0有效
发明人：梅绍宁;张国民;陈俊 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2015-09-10 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种键合方法，特别涉及一种基于低熔点铜共晶金属的晶圆混合键合方法。本发明的键合方法通过电镀低熔点铜共晶金属微凸点，并在晶圆键合之后采用高于所述铜共晶金属微凸点熔点的温度退火，使所述铜共晶金属微凸点熔化和并与上下晶圆的金属导体融合形成一个整体的金属层，同时上下晶圆的绝缘层也进行了键合，不仅可以降低Cu‑Cu金属直接键合时对于铜线密度和表面形貌的要求，简化了铜‑铜直接键合工艺，提高了生产效率，而且提高了晶圆键合强度，保证了所制备的半导体产品的良率和稳定性。
一种基于熔点铜共晶金属混合方法

[发明专利]一种2.5D注塑模组可控翘曲焊接方法-CN202211391593.X在审
发明人：王勇;郭亨通;林鹏荣;黄颖卓;谢晓辰;姜学明;徐士猛 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种2.5D注塑模组可控翘曲焊接方法，制备注塑模组封装用的注塑倒装凸点，采用注塑倒装凸点与注塑模组正面形成点互连材料；将临时键合胶涂敷在键合载板与注塑模组背部之间形成临时键合结构；将临时键合结构的注塑倒装凸点面倒装在封装基板上，与封装基板实现电互连；倒装焊接完成后，采用解键合方式使键合载板与注塑模组背部分离；将注塑倒装底部填充胶填充于封装基板、注塑模组之间空隙中，对注塑倒装凸点进行包裹保护，实现注塑模组‑基板封装。本发明的2.5D注塑模组可控翘曲焊接方法，可以从根本上解决注塑模组回流翘曲难以预测、难以控制的难题，同时避免倒装凸点虚焊、桥连，实现倒装凸点高度和形态可控调节。
一种 2.5 注塑模组可控焊接方法

[发明专利]一种基于铜纳米棒的铜锡铜键合工艺及结构-CN201610024230.0有效
发明人：廖广兰;独莉;史铁林;汤自荣;陈鹏飞;沈俊杰;邵杰 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2016-01-15 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于铜纳米棒的铜锡铜键合工艺及结构，该工艺包括：在基片表面依次沉积绝缘层、粘附层和种子层；在种子层上旋涂一层光刻胶，并在光刻胶上制作圆孔；在圆孔中电镀铜获得铜凸点；去除光刻胶，并去除暴露的种子层和粘附层；在铜凸点表面及四周旋涂光刻胶，然后暴露铜凸点上表面；利用上述步骤得到两组基片单元，一组基片单元的铜凸点上电镀锡凸点，并去除光刻胶；另一组基片单元的铜凸点上沉积铜纳米棒，并去除光刻胶；通过热压方式将将两组基片单元键合所述铜锡铜键合结构由上述键合工艺获得。本发明将铜纳米棒应用于铜锡铜键合，能有效降低键合温度并得到紧密的键合面，制备工艺简单可控，成本低，具有极大的应用价值。
一种基于纳米铜锡铜键合工艺结构

[发明专利]一种64路模拟量采集BGA封装芯片-CN201811033522.6有效
发明人：何琼;王鑫;刘冬洋 -专利权人：湖北三江航天险峰电子信息有限公司
申请日： 2018-09-05 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：路模拟量采集BGA封装芯片，包括基板、裸芯片和焊球；基板包括层叠设置的布线层、接地层、电源层、底层，以及第一导电连接单元、第二导电连接单元和第三导电连接单元；布线层的表面与第一导电连接单元对应位置处设有作为第一键合点的第一焊盘，与第二导电连接单元对应位置处设有作为第二键合点的第二焊盘，与第三导电连接单元对应位置处设有作为第三键合点的第三焊盘；裸芯片中的AD芯片与布线层上的第二键合点和第三键合点电连接，运算放大器、模拟门与布线层上的第一键合点和第二键合点电连接
一种 64 模拟采集 bga 封装芯片

[发明专利]一种半导体模块结构以及该结构中键合线的连接固定方法-CN201210411777.8有效
发明人：王豹子 -专利权人：西安永电电气有限责任公司
申请日： 2012-10-24 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明所公开的半导体模块结构及该结构中键合线的连接固定方法，通过在芯片及DBC基板与键合线的键合点处设置弹性胶体，并使得弹性胶体在键合脚与弧线底部堆积形成胶点。在模块工作的过程中，可以有效减小甚至消除键合线弧线的周期性振动，从而避免键合线键合脚与弧线起点处出现断裂的情况，保证模块的可靠性，延长模块的使用寿命。
一种半导体模块结构以及中键合线连接固定方法

[实用新型]一种测量硅片键合强度的微结构-CN201120059705.2无效
发明人：秦明;康兴华;胡尔同 -专利权人：东南大学
申请日： 2011-03-09 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种测量硅片键合强度的微结构，包括衬底硅片、结构硅片，在所述结构硅片一面设置有键合区域、支撑点，另一面设置有加力点，所述支撑点设置在键合区域和加力点之间，所述衬底硅片和结构硅片通过键合区域键合成一体。
一种测量硅片强度微结构

[实用新型]一种用于检测半导体功率模块铜线键合点虚焊的装置-CN202223140752.7有效
发明人：俞嘉炜 -专利权人：嘉兴斯达微电子有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于检测半导体功率模块铜线键合点虚焊的装置，包括：检测平台、悬吊架及检测头；所述检测平台的两外侧各设置有一安装槽，所述悬吊架包括横梁以及设置在所述横梁两端的两个支脚，所述悬吊架的两个所述支脚各装入一所述安装槽内该装置将键合完毕的模块放置于检测平台上，通过推动待检测模块，使检测头划过铜线键合点，将虚焊的键合点拨离原位置，使得虚焊的键合点被检测出，由于检测头位置固定，所以不会损伤键合点边上的芯片。
一种用于检测半导体功率模块铜线键合点虚焊装置

[实用新型]点胶机构-CN202223407085.4有效
发明人：徐阳;陈良;蒋亚红;岳刚;黄一帆;徐洪志 -专利权人：蜂巢能源科技（上饶）有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： B05C5/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种点胶机构，其用于对键合丝的键合部位进行点胶，键合丝焊接在电池模组的汇流排和电路板之间，点胶机构包括固定底座，设于固定底座上的工作台和点胶组件，工作台能够沿X轴滑动设于底座上，且工作台用于定位电池模组，点胶组件包括能够沿Y轴和Z轴移动的第一点胶器和第二点胶器，第一点胶器用于在键合部位预先点胶形成封闭环状的点胶槽；第二点胶器用于在点胶槽内进行点胶。本实用新型的点胶机构能够防止胶体的溢出，并能更加精准、可靠的完成键合部位的点胶，从而保证胶体成型的一致性和稳定性，同时有着很好的使用效果。
机构