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- [发明专利]电容式微硅麦克风的制造方法-CN201310030499.6有效
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李刚;胡维;梅嘉欣
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苏州敏芯微电子技术有限公司
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2013-01-28
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2017-08-01
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H04R31/00
- 本发明涉及一种电容式微硅麦克风的制造方法,包括如下步骤S1提供衬底;S2在衬底的正面淀积绝缘材料以形成第一绝缘层;S3在第一绝缘层上淀积导电物质以形成可动敏感层,在所形成的可动敏感层上形成若干窄槽以定义振动体、围设在振动体的外围的框体以及连接框体和振动体的梁;S4在可动敏感层上淀积绝缘材料以形成第二绝缘层,在第二绝缘层上淀积导电物质以制作背极板;S5在背极板上形成若干声孔;S6在所述可动敏感层和所述背极板上形成金属压焊点;S7在衬底上形成背腔,背腔自衬底的背面朝正面延伸并贯穿衬底;以及,S8去除部分第一绝缘层以于衬底背面露出振动体并使振动体和梁悬空,去除振动体、梁与背极板之间的第二绝缘层。
- 电容式微麦克风制造方法
- [发明专利]压力传感器及其封装方法-CN201510477434.5在审
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胡维;李刚
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苏州敏芯微电子技术有限公司
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2015-08-06
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2015-12-23
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G01L19/06
- 一种可以直接手指等接触的压力传感器,其包括基板、附着在所述基板上的集成电路芯片以及附着在所述集成电路芯片上的压力传感器芯片。所述压力传感器芯片包括衬底、扁平的腔体以及与所述腔体相配合的敏感膜。所述压力传感器芯片在封装前具有位于一侧的台阶、淀积在所述敏感膜以及所述台阶上的绝缘层、位于所述台阶上的第一焊盘以及引线,其中所述压力传感器还包括用以封装的材料。本发明还揭示了一种压力传感器的封装方法。相较于现有技术,本发明的所述衬底能够在所述敏感膜过度变形时阻挡所述敏感膜,从而使所述敏感膜不易破裂。另外,通过设置台阶,一方面能够起到保护引线在使用中不被触碰的作用,另一方面也能够使压力传感器做得更薄。
- 压力传感器及其封装方法
- [发明专利]单片集成芯片及其制作方法-CN201510612346.1在审
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孙恺;胡维;李刚
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苏州敏芯微电子技术有限公司
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2015-09-23
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2015-12-02
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H04R31/00
- 一种单片集成芯片及其制作方法,所述单片集成芯片包括一硅基片、设于硅基片第一区域内的集成电路以及设于第二区域内与集成电路电气连接的电容式微硅麦克风。所述硅基片包括一硅器件层及位于硅器件层下的硅衬底,所述硅器件层为第一极板。所述单片集成芯片还包括设于第二区域内且位于所述第一极板上方的第二极板以及位于第一、第二极板之间的空腔,所述第一极板上设有上下贯穿且与所述空腔连通的若干声孔,所述第二极板为可动的悬臂梁式结构,悬于所述空腔的上方,所述第二极板为采用低温淀积工艺形成。如此,使得集成电路的性能稳定,并且所述电容式微硅麦克风灵敏度高。
- 单片集成芯片及其制作方法
- [实用新型]电容式微硅麦克风-CN201420449714.6有效
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胡维;李刚
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苏州敏芯微电子技术有限公司
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2014-08-11
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2015-01-07
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H04R19/04
- 本实用新型提供一种电容式微硅麦克风及其制造方法。所述电容式微硅麦克风包括衬底、设置在衬底正面的第一绝缘支撑层、形成在所述第一绝缘支撑层上方的可动敏感层、设置在可动敏感层上方的背极板。可动敏感层包括与背极板间隔设置的振动体。所述衬底和第一绝缘支撑层形成有自衬底的背面朝正面方向凹陷以露出所述振动体的背腔。所述可动敏感层还具有若干设置在振动体周围并固定在背极板和衬底之间的锚点、连接锚点和振动体并向下暴露于背腔内的柔性梁以及连接在锚点外侧的压焊点。所述第一绝缘支撑层还包括自背腔向外继续延伸的延伸腔,所述电容式微硅麦克风还包括抗冲击结构,所述抗冲击结构向下暴露于延伸腔内且呈悬空状设置于衬底的正面上方。
- 电容式微麦克风
- [发明专利]电容式微硅麦克风及其制造方法-CN201410391494.0在审
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胡维;李刚
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苏州敏芯微电子技术有限公司
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2014-08-11
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2014-10-22
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H04R19/04
- 本发明提供一种电容式微硅麦克风及其制造方法。所述电容式微硅麦克风包括衬底、设置在衬底正面的第一绝缘支撑层、形成在所述第一绝缘支撑层上方的可动敏感层、设置在可动敏感层上方的背极板。可动敏感层包括与背极板间隔设置的振动体。所述衬底和第一绝缘支撑层形成有自衬底的背面朝正面方向凹陷以露出所述振动体的背腔。所述可动敏感层还具有若干设置在振动体周围并固定在背极板和衬底之间的锚点、连接锚点和振动体并向下暴露于背腔内的柔性梁以及连接在锚点外侧的压焊点。所述第一绝缘支撑层还包括自背腔向外继续延伸的延伸腔,所述电容式微硅麦克风还包括抗冲击结构,所述抗冲击结构向下暴露于延伸腔内且呈悬空状设置于衬底的正面上方。
- 电容式微麦克风及其制造方法
- [发明专利]微机电系统传感器及其制造方法-CN201310053119.0有效
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李刚;胡维;肖滨
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苏州敏芯微电子技术有限公司
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2013-02-19
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2014-08-20
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B81B7/00
- 本发明涉及一种微机电系统传感器及其制造方法,包括:S1、提供基片;S2、在基片上形成第一介质层,去除部分第一介质层以形成第一掩膜图形,在基片上进行刻蚀以形成若干第一深孔,将若干第一深孔底部连通以形成第一腔体;S3、去除第一介质层,于基片外延覆盖第一层单晶硅薄膜;S4、在第一层单晶硅薄膜上形成第二介质层,去除部分第二介质层以形成第二掩膜图形,在第一层单晶硅薄膜上进行刻蚀以形成若干第二深孔,将若干第二深孔底部连通以形成第二腔体;S5、去除第二介质层,于第一层单晶硅薄膜上外延覆盖第二层单晶硅薄膜;S6、在第二层单晶硅薄膜上制作电阻应变片;S7、形成第三掩膜图形,进行刻蚀工艺形成若干与第一腔体连接的深槽。
- 微机系统传感器及其制造方法
- [发明专利]微机电系统器件的制造方法-CN201210469696.3无效
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李刚;胡维;梅嘉欣;庄瑞芬
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苏州敏芯微电子技术有限公司
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2012-11-20
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2014-06-04
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B81C1/00
- 本发明涉及一种微机电系统器件的制造方法,包括如下步骤:S1:提供第一芯片,包括具有可动敏感部的微机电系统器件层和第一电气键合点;S2:提供第二芯片,包括具有第一表面和第二表面的衬底、设置于衬底上并自第二表面朝第一表面方向延伸的隔离部、设置在第二表面上的第二电气键合点,衬底还具有与所述第二电气键合点电气连接的电气连接部,隔离部围设在电气连接部的外围;S3:将第一芯片和第二芯片键合,第二表面朝向微机电系统器件层,第一电气键合点与第二电气键合点键合;S4:将键合后的第二芯片的衬底于其第一表面进行减薄操作以露出隔离部;S5:在减薄后的衬底的第一表面形成与外界电路电气连接的电气连接层。
- 微机系统器件制造方法
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