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[发明专利]热声倒装键合实验台-CN200610031729.0无效
发明人：李军辉;韩雷;王福亮;钟掘 -专利权人：中南大学
申请日： 2006-05-30 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： H01L21/607 文献下载
摘要：一种热声倒装键合实验台，包括超声倒装焊具系统和加热系统，本发明对粗铝线键合机和金线键合机的超声传能系统的劈刀工具进行改造，把引线键合的尖端劈刀，改为平端劈刀，使超声焊具系统能与倒装芯片大面积接触，加热系统为金线键合机的加热系统，对热声倒装焊接加热，温度范围为室温－400℃，输入超声功率为0－15W，频率60KHz，压力0－1200g，键合时间5－500ms。
倒装实验

[发明专利]键合晶片用支撑基板的制造方法和键合晶片的制造方法-CN201811523671.0有效
发明人：稗田大辅 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提出了能够降低键合晶片中的硼浓度的键合晶片用支撑基板的制造方法和键合晶片的制造方法。其特征在于具备：将由硅单晶构成的第1硅晶片的要与活性层用基板键合的表面的氧化膜全部除去的第一步骤(步骤S1)；在气相生长装置内，在第1硅晶片的要与活性层用基板键合的表面上形成氧化膜的第二步骤(步骤S2)
晶片支撑制造方法

[发明专利]流量标准器模块制作工艺-CN202010786796.3在审
发明人：汪宁;费文军;陈兴盛;朱良凡;蔡庆刚;张庆燕 -专利权人：安徽华东光电技术研究所有限公司
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供一种流量标准器模块制作工艺，包括以下步骤：S1：管壳打标，通过在管壳侧壁激光打标，为管壳做标识编号；S2：将LTCC基板与管壳通过黑胶粘接；S3：通过等离子清洗，增强LTCC基板表面的粘合能力；S4：手动贴装阻容器件，用导电胶将元器件粘接在LTCC基板上；S5：用自动贴片机将裸芯片用导电胶粘接在LTCC基板上；S6：通过等离子清洗，增强裸芯片表面焊盘的金丝键合结合能力；S7：通过自动键合机对裸芯片以及管柱进行金丝键合；S8：真空烘烤、封盖
流量标准模块制作工艺

[实用新型]一种键合线拉丝机中的清洗装置-CN202020873185.8有效
发明人：何孔田;唐文静;张军;何孔高 -专利权人：安徽广宇电子材料有限公司
申请日： 2020-05-21 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： B21C43/02 文献下载
摘要：本实用新型属于键合线生产技术领域，具体公开了一种键合线拉丝机中的清洗装置，包括洗槽、喷淋管道和高压吹气管道；通过进线导向辊轴将拉丝机中加工的键合线导入进线孔内，穿过清洗槽然后自出线孔内穿出，由出线导向辊轴导出，键合线经过清洗槽时，供水管道向喷淋管道供水，通过喷淋头对成排的键合线进行喷淋清洗；经过喷淋清洗段清洗后，键合线经过导气管道下方，通过导气管道对高压吹气管道进行供气，使得吹气嘴喷出干燥气流，对键合线进行干燥
一种键合线拉丝中的清洗装置

[发明专利]一种微流控芯片用键合装置-CN201710282299.8有效
发明人：郭钟宁;吴玲海;张文斌;陈玲玉;刘莉 -专利权人：广东工业大学;佛山市铬维科技有限公司
申请日： 2017-04-26 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种微流控芯片用键合装置，包括预热组件、上面板和下面板：所述上面板和所述下面板间设有导柱，所述导柱上套装有相对设置、用于对芯片进行键合的上压头组件和下压头组件，所述上压头组件与动力装置连接以在其带动下沿所述导柱滑动对所述芯片进行键合；所述预热组件包括推料件和用于对所述芯片进行预加热的预热件，所述推料件将经所述预热件预热后的所述芯片推送至所述下压头组件内进行键合。应用本发明公开的微流控芯片用键合装置，通过预热件对芯片进行预热，再通过压头组件进行键合，减小芯片送入压头组件后的升温时间，加热时所需升高的温度少，提高键合效率，且可批次键合芯片，提高生产效率。
一种微流控芯片用键合装置

[实用新型]铝线键合压合装置-CN202221905317.6有效
发明人：谢景亮 -专利权人：志豪微电子（惠州）有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本申请是关于一种铝线键合压合装置。该铝线键合压合装置包括：压盘和压爪；压盘上设置有N个滑槽组，滑槽组包括至少两个滑槽，滑槽平行分布；压爪同时安装于滑槽组的至少两个滑槽。本申请提供的方案，能够满足不同内部结构布局的产品铝线键合压合需求，避免当遇到不同内部结构布局的产品即需要卸下整个铝线键合压合装置来更换铝线键合压合装置，从而提高焊线机铝线键合的键合效率与便捷性。
铝线键合压合装置

[发明专利]一种键合设备、键合系统和键合方法-CN201910464896.1在审
发明人：霍志军;赵滨 -专利权人：上海微电子装备(集团)股份有限公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种键合设备、键合系统和键合方法，该键合设备包括键合键合腔体、真空系统、加压机构、第一加热/冷却机构、第一静电吸附机构、第二静电吸附机构和第二加热/冷却机构。冷却机构完全接触，增加了第一基底与第一加热/冷却机构的温度传导面积，使得第二加热/冷却机构在对第二基底进行加热时，第一加热/冷却机构可以快速的冷却第一基底的温度，从而可以避免第一基底的温度太高，使得第一基底在键合前融化的问题，因此可以提高键合的良率。
一种设备系统方法

[发明专利]晶圆制备方法、键合方法、键合装置、键合设备-CN202110310943.4在审
发明人：尹朋岸;胡思平 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本申请提供了晶圆制备方法、键合方法、键合装置、键合设备。因此，该晶圆可以直接通过互联层上的第五标识正对应其他晶圆的对准标识，使得该晶圆直接对准其他晶圆，有利于减小不同晶圆的形变差异导致的对准偏差，提高了不同晶圆间的对准精度，从而提供了一种晶圆键合方法、键合装置、键合设备。
制备方法装置设备

[发明专利]键合线、键合结构、键合方法及半导体器件-CN202210819321.9在审
发明人：王令;李春艳;廖勇波;马颖江 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明提供了一种键合线、键合结构、键合方法及半导体器件，涉及半导体封装领域，该键合线包括线芯与包裹在所述线芯外的外覆层，所述外覆层材料的熔点低于所述线芯材料的熔点，所述线芯用于与目标器件键合连接，所述外覆层用于在熔化后包裹所述线芯与目标器件之间的键合连接点基于本发明的技术方案，实现键合线与目标器件的双重连接，增加键合线与焊点之间的连接力，进而可以在满足工艺要求的前提下降低对于线芯键合工艺参数的要求，从而可以避免器件表面因键合工艺参数较大而导致弹坑并有效降低虚焊的风险
键合线结构方法半导体器件

[发明专利]键合头以及包括该键合头的键合装置-CN202211540871.3在审
发明人：崔正德;朴瑛奎;全泳坤;成知勳 -专利权人：美科陶瓷科技有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：提供一种键合头和键合装置，该键合头包括：底座块；加热块，设置在所述底座块的上方，并产生热；以及抗静电块，以能够吸附芯片的方式配置在所述加热块上方，并配置为与接地电极电连接，以去除残留在表面上的电子。
键合头以及包括装置

[发明专利]一种铜铟微纳米层常温超声瞬态固相键合方法-CN202111414042.6在审
发明人：肖金;周艳琼;翟倩;程伟;方湘怡 -专利权人：广州华立学院
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种铜铟微纳米层常温超声瞬态固相键合方法，包括以下步骤：在铜基板上通过电沉积制备出的铜微米针层；以电镀的方式将镀铟液电镀于S1中得到的铜微米针层上，得到具有铜铟二级微纳米层的基板；将两块具有铜铟二级微纳米层的基板相对设置在超声键合仪上，两块基板的铜铟二级微纳米层形成接触区域；启动超声键合仪和加载机，两块基板进行键合；本发明在超声键合仪提供超声能量，加载机提供较小压力的条件下，能瞬态获得高质量的键合；且本发明在常温的空气氛围中即可进行；具有提高键合连接效率，缩短键合连接时间，降低键合连接所需的工艺温度，无需助焊剂，键合残余应力低，工艺流程简单、耗时短的优点，符合绿色封装理念。
一种铜铟微纳米常温超声瞬态固相键合方法

[发明专利]纯氮气环境下的铜线键合方法-CN201310142393.5无效
发明人：王波 -专利权人：山东泰吉星电子科技有限公司
申请日： 2013-04-23 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种纯氮气环境下的铜线键合方法，用于将铜线键合在第一焊点和第二焊点之间，包括步骤一、用高压电火花将铜线一端熔成第一焊球，通过超声键合将第一焊球在纯氮气环境中键合于第一焊点上，完成铜线与第一焊点的键合；步骤二、用高压电火花将所述铜线另一端熔成第二焊球，通过超声键合将第二焊球在纯氮气环境中键合于第二焊点上，完成铜线与第二焊点的键合；铜线两端点分别熔成焊球，使铜线与芯片之间的键合点接触面积大并且极为牢固，避免了楔形键合点接触面积小且必须使用氢气进行还原的弊端；键合在纯氮气环境下进行，杜绝了传统铜线键合在氮氢混合气体条件下进行引起爆鸣声及爆炸现象，使铜线键合工艺更加安全。
氮气环境铜线方法

[发明专利]一种键合方法-CN201610096576.1在审
发明人：方安乐;徐慧文;李起鸣 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2016-02-22 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本发明提供一种键合方法，包括如下步骤S1在键合机的上下加热基板之间叠放一组待键合结构；所述待键合结构包括叠加放置的目标衬底及晶片，其中，热膨胀系数较大的一个位于上方；S2在所述待键合结构上方叠放一组辅助键合结构；所述辅助键合结构包括相互结合的第一介质层及第二介质层，其中，热膨胀系数较大的一个位于下方；S3通过上下加热基板对辅助键合结构及待键合结构施加压力，并加热到预设温度，使所述晶片与所述目标衬底键合。本发明通过引入辅助键合结构，使得在键合过程中辅助键合结构由于热失配产生边缘向下的翘曲，利用这种边缘的横向剪切应力向下压迫待键合晶片的边缘，从而达到降低晶片键合后翘曲，改善边缘键合质量的目的。
一种方法

[实用新型]一种芯片加工引线键合机-CN202122568313.5有效
发明人：王飞 -专利权人：上海滨赛光电科技有限公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本实用新型涉及键合机技术领域，且公开了一种芯片加工引线键合机，包括主体外壳和键合机主体，主体外壳上开设有工作腔，键合机主体安装在工作腔内，工作腔上安装有观察窗，主体外壳的一侧转动安装有升降机构，升降机构上转动连接有操作机，操作机包括显示屏和操作板，主体外壳上开设有放置腔和储物腔，放置腔与操作机相适配。该芯片加工引线键合机，在主体外壳上开设的放置腔与操作机相适配，在不使用操作机进行收纳时，通过升降机构将操作机降下，在进行旋转升降机构使操作机进入放置腔中，将操作机进行收纳，使操作机便于进行收纳，且收纳后能够避免操作机意外受到碰撞而受损，降低了操作机受损的风险。
一种芯片加工引线键合机

[发明专利]一种LED修补方法及显示屏、电子设备-CN202110604539.8在审
发明人：李强;蔡明达;萧俊龙;汪楷伦 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种LED修补方法及显示屏、电子设备，因为在修补键合区上增设了修补用键合层，使得修补用键合层的厚度与修补LED芯片的高度之和大于合格保留LED芯片高度，这样当转移头向修补LED芯片施压时，就不会接触到驱动背板上的合格保留LED芯片，使得压力可以被有效地施加到修补LED芯片上，这不仅可以提升修补LED芯片与驱动背板间键合的可靠性，也可以避免合格保留LED芯片在LED修补过程中受损的情况，提升了显示屏的品质。而且，因为修补用键合层的存在，使得修补过程不需要依赖熔化初始键合层实现，避免了熔化这些键合材料而需要的高温，保护了驱动背板上的合格保留LED芯片与修补LED芯片，增强了显示屏的品质。
一种 led 修补方法显示屏电子设备

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