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[发明专利]一种共晶键合方法和半导体器件-CN201510885153.3有效
发明人：邱鹏;张挺;顾佳烨 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本申请提供一种共晶键合方法，该方法包括：在第一基片表面形成第一键合材料图形；在第二基片表面形成第二键合材料图形；在所述第二键合材料图形中形成朝向所述第二基片表面凹陷的下凹陷部；将所述第一键合材料图形和所述第二键合材料图形对齐，并在预定压力和预定温度下按压所述第一基片和所述第二基片，以使所述第一基片和所述第二基片通过所述第一键合材料图形和所述第二键合材料图形发生共晶键合。根据本申请，在基片键合材料图形中形成凹陷部，以容纳共晶键合过程中形成的部分共晶材料的合金，由此，减少或消除溢流物。
一种共晶键合方法半导体器件

[发明专利]一种共晶键合方法和半导体器件-CN201611050071.8有效
发明人：邱鹏;顾佳烨;游家杰 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2016-11-24 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本申请提供一种共晶键合方法和半导体器件，该方法包括：在第一基片的表面形成第一键合材料图形；在第二基片的表面形成第二键合材料图形；在所述第一基片的表面和/或所述第二基片的表面形成围绕所述第一键合材料图形和/或所述第二键合材料图形的突起的环状部件，所述环状部件与所述第一键合材料图形和/或所述第二键合材料图形的外周之间形成容纳空间；将所述第一键合材料图形和所述第二键合材料图形对齐，并在预定压力和预定温度下按压所述第一基片和所述第二基片，以使所述第一基片和所述第二基片通过所述第一键合材料图形和所述第二键合材料图形发生共晶键合。
键合材料表面形成共晶键合半导体器件环状部件按压容纳空间图形对齐图形发生预定压力溢流物突起申请外周阻挡

[发明专利]半导体绝缘衬底、晶体管及其制备方法-CN202010722513.9有效
发明人：亨利·H·阿达姆松;王桂磊 -专利权人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：其中，半导体绝缘衬底的制备方法，包括：提供键合基片以及支撑基片；在支撑基片上形成沟道材料层；在沟道材料层上形成钝化层；将键合基片与支撑基片键合以形成键合衬底，键合后沟道材料层以及钝化层位于键合基片与支撑基片之间；将键合衬底自支撑基片一侧减薄至沟道材料层。
半导体绝缘衬底晶体管及其制备方法

[实用新型]键合夹具和键合机器-CN201420422435.0有效
发明人：梁德志;赵滨;朱鸷 -专利权人：上海微电子装备有限公司
申请日： 2014-07-29 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种键合夹具，键合夹具为可拆卸式，键合夹具可自动对准并完成对两片基片的夹紧功能。本实用新型还公开了一种键合机器，包括对准系统和可拆卸式键合夹具，可拆卸式键合夹具包括上下盖板，上下盖板各吸附一片基片，对准系统完成两片基片的对准工作，可拆卸式键合夹具自动完成插入间隔片和夹紧两片预键合基片的工作本实用新型所提供的键合机器可以自动完成对准工作，由于设置了可拆卸式键合夹具，能够自动完成插入间隔片和夹紧两片预键合的基片的工作，降低了劳动强度，提高了工作效率。并且先将两片预键合的基片对准，然后再插入间隔片，提高了两片预键合的基片对准的精度。
夹具机器

[发明专利]一种使用基片集成波导连通电路结构的方法及电路传输结构-CN201410057245.8有效
发明人：张慧;洪伟;汤红军;余旭涛;陈鹏 -专利权人：东南大学
申请日： 2014-02-20 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01P1/04 文献下载
摘要：本发明提供一种使用基片集成波导连通电路结构的方法，首先预留需要连通的电路结构以及基片集成波导的位置，并设计该基片集成波导的参数；然后确定基片集成波导的金属化通孔位置；最后选择键合线的属性并进行键合。另外还提供一种使用基片集成波导作为传输线的电路传输结构，待连通的电路结构的待键合边与基片集成波导的待键合的短边边缘贴合，且电路结构与基片集成波导的中轴线对齐；键合线一端键合在电路结构上，另一端键合在基片集成波导上使用本发明的方法及电路传输结构，降低了对电路板加工精度、微带基片以及键合性能的要求，使得连通更加稳定可靠。
一种使用集成波导连通电路结构方法传输

[发明专利]一种基于Au/In等温凝固的低温键合方法-CN201510267705.4有效
发明人：沈文江 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2015-05-22 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开一种基于Au/In等温凝固的低温键合方法，包括：在第一基片的键合面上形成第一金图案层；在第二基片的键合面上形成凸点图案层；在第二基片的键合面上依次形成覆盖所述凸点图案层的第二金图案层和铟图案层；将所述第一基片的键合面与所述第二基片的键合面对准并固定，以进行键合。本发明使用了在金属薄膜底层增加凸点图案层，此凸点图案层不仅降低了键合对准精度，同时也增强了键合过程中的接触力，可以大大提高键合质量。
一种基于 au in 等温凝固低温方法

[发明专利]半导体器件的制作方法-CN202110150960.6有效
发明人：蔡双 -专利权人：中芯集成电路制造（绍兴）有限公司
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体器件的制作方法，包括：提供第一基片以及第二基片，第一基片具有第一键合面，且在第一键合面形成有第一图案结构以及对位标记，第二基片具有第二键合面以及与第二键合面相背离的图案制作表面；在第一键合面或第二键合面上形成保护层，保护层在第一键合面的正投影至少覆盖对位标记；将第一基片的第一键合面与第二基片的第二键合面进行键合；于第二基片内形成暴露保护层的通孔，通孔在第一键合面上的正投影包围对位标记；去除保护层；通过对位标记进行对位，在第二基片的图案制作表面形成与第一图案结构相对应的第二图案结构。
半导体器件制作方法

[发明专利]共晶键合方法-CN201510397140.1有效
发明人：丁刘胜;王旭洪;徐元俊 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2015-07-08 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本申请提供一种共晶键合方法，该方法包括在第一基片表面形成第一突起部和第一键合材料图形；在第二基片表面形成第二突起部和第二键合材料图形；将所述第一键合材料图形和所述第二键合材料图形对齐，并在预定压力和预定温度下按压所述第一基片和所述第二基片，以使所述第一基片和所述第二基片通过所述第一键合材料图形和所述第二键合材料图形发生共晶键合；其中，在将所述第一键合材料图形和所述第二键合材料图形对齐的情况下，所述第一突起部的位置相对于所述第二突起部的位置具有偏移根据本申请，能够使两个基片的突起部在键合时形成彼此交叉的梳齿结构，能够达到防止溢流的效果，并且不会影响到键合的效果。
共晶键合方法

[发明专利]键合方法和键合结构-CN201910844589.6在审
发明人：丁刘胜;王诗男 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本申请提供一种键合方法和键合结构，该键合方法包括：在第二基片的表面形成由导电材料形成的导电连接柱；在第一基片的表面形成由键合胶形成的键合胶图形，所述键合胶图形具有凹陷部，所述第一基片的部分表面从所述凹陷部露出，所述凹陷部的位置与所述导电连接柱对应，所述凹陷部的横向尺寸大于所述导电连接柱的横向尺寸，所述键合胶图形的厚度大于所述导电连接柱的厚度；以及将所述导电连接柱与所述凹陷部对准，在预定的温度条件下，对所述第一基片和所述第二基片施加预定的压力，使所述第一基片与所述第二基片通过所述键合胶图形键合为一体，并且，所述导电连接柱与所述第一基片的从所述凹陷部露出的所述部分表面接触。
方法结构

[发明专利]一种玻璃微流控芯片的低温键合方法-CN200510023894.7有效
发明人：金庆辉;庄贵生;刘菁;贾春平;赵建龙 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2005-02-06 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： G01N33/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种玻璃微流控芯片的低温键合方法，其特征在于具体包括(1)在腐蚀出相应图形和完成储液池打孔加工后基片进行表面清洗；(2)基片预键合，清洗后的基片和盖片用去离子水冲洗后，直接在去离子水中将基片和盖片的键合面贴合在一起，转移到培养皿中，然后放置到真空干燥箱中，干燥温度为90－110℃，抽真空使真空度达60－90Pa并保持真空2 h完成基片预键合；(3)基片预键合后退火，提高键合强度，在预键合好的基片上面施加0.2－0.4MPa键合过程在非净化条件下完成，基片预键合仅需真空干燥箱中施加一定压力实现高温键合与退火。
一种玻璃微流控芯片低温方法

[实用新型]高可靠同质键合系统多芯片组件-CN201220683229.6有效
发明人：杨成刚;苏贵东 -专利权人：贵州振华风光半导体有限公司
申请日： 2012-12-12 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了高可靠同质键合系统多芯片组件，它具有多芯片组件的底座、管脚、多层陶瓷基片、片式元件、半导体芯片、阻带，片式元件、半导体芯片、阻带均集成在多层陶瓷基片的表面；不同的是，多层陶瓷基片的表面还集成有平整的金导带/金键合区，该键合区表面有一层淀积的铝薄膜、或镍-铬-铝或铬-铜-铝复合薄膜；多层陶瓷基片顶层表面上的所有键合区表面平整;半导体芯片的键合采用硅-铝丝键合，管脚镀镍端面与基片之间采用金丝键合。本多芯片组件的金键合区表面一次性抛光整平，同步提高了基片与管脚端面金-金键合的可靠性;改善厚膜金导带键合区与硅铝丝的键合性能，提高了多芯片组件长期充分可靠的能力和批量生产性。
可靠同质系统芯片组件

[发明专利]键合方法和半导体器件的制造方法-CN201410695956.8有效
发明人：丁刘胜;王旭洪;徐元俊 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2014-11-26 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本申请提供一种键合方法和半导体器件的制造方法，该键合方法用于使第一基片与第二基片键合为一体，该键合方法包括：对表面沉积有键合用金属层的所述第一基片进行处理，以使所述金属层的表面生成覆盖物；将所述第一基片与所述第二基片所处环境的温度调整到第一温度，以将所述覆盖物从所述金属层的表面去除，其中，所述第一温度高于所述覆盖物的沸点；维持该第一温度，将所述第二基片与所述金属层的表面贴合，并对所述第一基片和所述第二基片施加压力，以使所述第一基片与所述第二基片键合为一体根据本申请，在键合用金属层的表面形成覆盖层，并在键合过程中使该覆盖层挥发，以露出干净的金属层表面，从而提高共晶键合的效果。
方法半导体器件制造

[发明专利]一种半导体基片的大面积邦定结构及其制造方法-CN201310050781.0无效
发明人：许玉方 -专利权人：江苏微浪电子科技有限公司
申请日： 2013-02-08 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体基片的大面积邦定结构，包括邦定用半导体基片和邦定用支撑基片，其特征在于：邦定用半导体基片、邦定用支撑基片表面上均设置有键合层，邦定用半导体基片和邦定用支撑基片至少一边的键合层上具有规则或无规则分布的微凸块；邦定用半导体基片键合层与邦定用支撑基片键合层通过邦定工艺进行键合。
一种半导体大面积结构及其制造方法

[实用新型]一种半导体基片的大面积邦定结构-CN201320072667.3有效
发明人：许玉方 -专利权人：江苏微浪电子科技有限公司
申请日： 2013-02-08 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体基片的大面积邦定结构，包括邦定用半导体基片和邦定用支撑基片，邦定用半导体基片、邦定用支撑基片表面上均设置有键合层，邦定用半导体基片和邦定用支撑基片至少一边的键合层上具有规则或无规则分布的微凸块；邦定用半导体基片键合层与邦定用支撑基片键合层通过邦定工艺进行键合。
一种半导体大面积结构

[发明专利]一种聚合物微流控芯片的键合方法以及聚合物微流控芯片-CN202210928461.X在审
发明人：张慧儒;王素娟;罗杵添;张濯;谢普阳 -专利权人：广东顺德工业设计研究院（广东顺德创新设计研究院）
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚合物微流控芯片及其键合方法，聚合物微流控芯片包括基片和盖片，键合方法包括以下步骤：对基片的待键合面和盖片的待键合面在第一气体环境中进行等离子体处理，制备预处理基片和预处理盖片，第一气体包括氧气；叠置预处理基片与预处理盖片，使基片的待键合面和盖片的待键合面接触，进行热压键合处理，制备预键合微流控芯片；对预键合微流控芯片在第二气体环境中进行等离子体处理，第二气体包括COF2<在热压键合前设置了氧气等离子体处理可增加基片和盖片间的键合力，配合COF2气体对键合后的芯片进行等离子体疏水处理，利用C‑O的低键能不仅可以保证疏水需求，且键合后的微流控芯片仍可以满足高温且高压的使用需求
一种聚合物微流控芯片方法以及

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