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[发明专利]一种半导体器件及其制备方法和电子装置-CN202310837880.7在审
发明人：蔡双;王新龙 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制备方法和电子装置，方法包括：提供盖帽基底，具有第一空腔和第二空腔；形成第一虚拟图案层，第一虚拟图案层覆盖第一空腔；形成第二虚拟图案层和第三虚拟图案层，第二虚拟图案层覆盖第一虚拟图案层且露出第一虚拟图案层的部分底面，第三虚拟图案层覆盖第二空腔且露出第二空腔的部分底面；沉积吸气材料层，第一虚拟图案层上的吸气材料层与第二虚拟图案层之间形成有第一剥离切入口；去除第一虚拟图案层、第二虚拟图案层和第三虚拟图案层，以使得第一虚拟图案层上的吸气材料层、第二虚拟图案层上的吸气材料层、及第三虚拟图案层上的吸气材料层同时被去除。本发明的方法可以轻松完整地去除第一空腔的待剥离区域。
一种半导体器件及其制备方法电子装置

[发明专利]一种烟叶转移装置以及雪茄卷制设备-CN202311091529.4在审
发明人：马璨;刘玉慧;蔡敏;蔡双;符振辉 -专利权人：常德烟草机械有限责任公司
申请日： 2023-08-28 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： A24C1/02 文献下载
摘要：本申请公开一种烟叶转移装置以及雪茄卷制设备，包括：设置在机架上的主轴，与所述主轴的一端固定连接的摆臂，所述摆臂远离所述主轴的一端与吸盘组件转动连接；用于带动所述主轴绕轴线转动的转动组件；用于带动主轴沿竖直方向上移动的移动组件；用于在所述摆臂下降的过程中使得所述吸盘组件转动的翻转组件。本申请提供的烟叶转移装置以及雪茄卷制设备，相较于现有技术而言，结构简单，能够更加方便和可靠地将茄套切割顶出装置切割后的茄套烟叶转移至搓烟装置上。
一种烟叶转移装置以及雪茄设备

[发明专利]一种提高激光晶体与陶瓷散热性能的方法-CN202210116176.8在审
发明人：杭寅;张书隆;赵呈春;朱影;何明珠;蔡双;陶斯亮 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2022-01-29 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高激光晶体与陶瓷散热性能的方法，该方法在金刚石的生长过程中通入氧气，并在衬底与样品托之间加入阻热片，利用物理气相沉积与化学气相沉积在激光晶体与陶瓷上制备包含过渡层和金刚石薄膜的散热层，该散热层以晶粒直径为微米级的多晶金刚石作为其主要成分。采用本方法在激光晶体与陶瓷上制备的金刚石薄膜具有连续性好、附着性强、非金刚石相含量少的显著特点，具有良好的热传导能力。使用本方法获得的散热层，可以有效提高激光晶体与陶瓷在激光应用时的散热能力。
一种提高激光晶体陶瓷散热性能方法

[发明专利]晶圆键合方法以及微执行器的制作方法-CN202010096666.7有效
发明人：蔡双;许继辉;刘国安 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2020-02-17 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆键合方法以及一种微执行器的制作方法。所述晶圆键合方法在第一晶圆上形成焊盘金属层以及保护层后，利用光罩上的主掩膜图形定义位于主图形区域内的第一保护区，利用光罩上的辅助掩膜图形定义覆盖辅助图形区域的第二保护区，然后在第一保护区的保护下进行刻蚀形成金属焊盘，刻蚀过程中，由于第二保护区覆盖了辅助图形区域，使辅助图形不受刻蚀的影响，同时由于焊盘金属层位于第二保护区外，可以将金属焊盘以外的焊盘金属层去除干净，之后再将第一晶圆和第二晶圆键合时，由于焊盘金属材料没有残留，可以优化第一晶圆和第二晶圆的键合表面的平整度，提高晶圆键合良率。所述微执行器的制作方法利用了上述晶圆键合方法。
晶圆键合方法以及执行制作方法

[发明专利]一种激光晶体上生长金刚石的方法-CN202310205226.4在审
发明人：张书隆;杭寅;朱影;赵呈春;何明珠;蔡双 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：一种在激光晶体上生长金刚石的方法，首先在激光晶体表面制备具有特定深宽比的微结构，然后通过化学气相沉积法分两步进行金刚石的生长，最后对生长的金刚石研磨抛光，使其平整化。本发明能够有效提升金刚石在激光晶体上的形核密度，降低金刚石的内应力，并能显著增强金刚石和激光晶体间的结合力。使用本方法获得的金刚石，可以有效提高激光晶体在激光应用时的散热能力。
一种激光晶体生长金刚石方法

[发明专利]一种大尺寸氧化镓晶体的生长方法-CN202210974430.8在审
发明人：杭寅;朱影;龚巧瑞;张宇航;赵呈春;何明珠;蔡双 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种大尺寸氧化镓晶体生长方法，尤其是针对3英寸以上的β‑Ga2O3单晶生长。所述方法主要包括装料、设置高压(0.1p0.7MPa)纯氧气氛、熔料、生长和冷却五个步骤，利用该方法可以有效地避免氧化镓生长过程中原料分解的问题，同时，本发明在高压纯氧气氛下使用冷坩埚或者成分优化的合金坩埚，既可以大幅降低生长成本，又可以避免生长过程中的原料污染，有利于氧化镓晶体的大尺寸生长和产业化发展。
一种尺寸氧化晶体生长方法

[发明专利]水产养殖用带湿度检测功能的防尘防水灯具-CN202010226759.7有效
发明人：沈凯;常保延;潘军生;陈自军;蔡双 -专利权人：无锡华兆泓光电科技有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本发明涉及照明设备技术领域，具体涉及一种水产养殖用带湿度检测功能的防尘防水灯具。所述水产养殖用带湿度检测功能的防尘防水灯具包括：后盖，后盖形成上端开口的照明腔，所述照明腔的底面涂覆有防水胶层，所述防水胶层中安装有灯珠；在所述照明腔的开口处，径向向外延伸形成密封安装沿；扩散件，扩散件罩在所述照明腔中的灯珠上；密封胶圈，所述密封胶圈设于所述密封安装沿上，且密封胶圈的密封口包裹住所述密封安装沿的边沿和扩散件的边沿；透光前盖，透光前盖压覆在所述密封胶圈的密封口和扩散件上。所述水产养殖用带湿度检测功能的防尘防水灯具防护等级高且密封性好。并在驱动装置电路中设计了湿度检测电路，随着灯具老化等原因，出现气密性不佳时，灯具会主动故障提示，避免灯具因受潮或进水导致的人员触电事故。
水产养殖湿度检测功能防尘防水灯具

[实用新型]一种简易辨别劣质粉煤灰的试验装置-CN202220448238.0有效
发明人：龚明子;苏艺凡;蔡双;李琴;陈海棠;吴新艺 -专利权人：中交一公局厦门检测技术有限公司
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：本实用新型公开一种简易辨别劣质粉煤灰的试验装置，涉及建筑材料检测领域。该简易辨别劣质粉煤灰的试验装置，透明杯身的底部螺纹连接有底座，底座的内部固定安装有驱动电机，驱动电机的顶端安装有搅拌辊，杯盖螺纹连接在透明杯身的顶部，杯盖的中部固定安装有观察倍镜，杯盖的顶部一侧开设有排气孔，观察倍镜和排气孔的顶部分别活动插接有第一密封盖和第二密封盖。该简易辨别劣质粉煤灰的试验装置，通过将粉煤灰和水加入到透明杯身中进行搅拌，然后通过观察倍镜看是否存在白色漂珠，然后加入碱性溶液，通过排气孔闻一下是否有刺鼻的氨气味，以此判断该粉煤灰是否为劣质的。
一种简易辨别劣质粉煤试验装置

[发明专利]铥镝共掺溴化物中红外激光晶体、制备方法及其应用-CN202210220717.1在审
发明人：李善明;杭寅;何明珠;蔡双;赵呈春;陶斯亮 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种面向4～5微米全固态激光器的铥镝共掺低声子能量溴化物激光晶体及其制备方法，涉及中红外激光材料与器件领域。该晶体分子式为M(TmxDyyPb1‑x‑y)2Br5，其中M为金属元素K、Rb、Tl，x取值范围为：0.01≤x≤0.1，y取值范围为：0.001≤y≤0.05。该激光晶体中，铥离子作为敏化离子，吸收近红外波段商业半导体激光器能量并传递给镝离子。镝离子作为激活离子，通过Dy3+:6H11/2→6H13/2跃迁获得4～5微米波段高效激光输出。低声子能量的M(TmxDyyPb1‑x‑y)2Br5晶体具备优异的激光特性且能通过商业LD直接泵浦，能够推动镝激活中红外激光器的小型化发展。
铥镝共掺溴化物红外激光晶体制备方法及其应用

[发明专利]区熔法晶体自动化生长装置-CN202010979166.8在审
发明人：杭寅;杨依伦;蔡双;何明珠;潘世烈;朱影 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C30B13/28 文献下载
摘要：一种区熔法晶体自动化生长装置，主要包括炉膛、力检测系统、光纤激光器加热系统、温度梯度调节系统、运动控制系统和计算机控制系统。晶体生长过程中，通过源棒受力信息的反馈可以实现对晶体生长直径的自动控制，并对晶体生长质量进行实时监测；使用光纤激光器加热可以得到均匀、稳定的熔区；结晶后的晶体随籽晶杆进入温度梯度调节系统，避免因骤冷产生的缺陷。
区熔法晶体自动化生长装置

[发明专利]一种SOI结构及制造方法、MEMS器件及制造方法-CN202111019284.5有效
发明人：蔡双 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种SOI结构及制造方法，还涉及利用该SOI结构制造的MEMS器件以及制造该MEMS器件的方法；主要将SOI结构的绝缘层设计为氧化硅‑氮化硅‑氧化硅多层结构，并在氮化硅层上形成凸起的挡墙结构，在制造MEMS器件时，利用上二氧化硅层作为隔离槽深硅刻蚀的停止层，保证了深硅刻蚀有足够的工艺窗口，规避了因隔离槽刻蚀不充分进而导致短路的致命问题；在去除刻蚀梳齿电极和隔离槽的掩膜层时，通过湿法刻蚀工艺代替现有工艺中的VHF气相刻蚀技术，利用氮化硅层作为湿法刻蚀的停止层，隔离槽底部两侧的氮化硅挡墙结构能够有效阻止湿法刻蚀过程中对绝缘层的侧向腐蚀，有助于提高隔离槽的绝缘效果和器件的可靠性。
一种 soi 结构制造方法 mems 器件

[发明专利]一种稀土倍半氧化物激光晶体生长方法-CN201910638970.7有效
发明人：杭寅;张书隆;何明珠;蔡双;朱影;李善明;徐民;张连翰 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种稀土倍半氧化物激光晶体的生长方法，晶体生长采用冷坩埚法，生长过程包括装炉、引燃、熔料、热平衡、生长和冷却六个步骤，利用水冷铜管使原料外部形成一层未熔壳起到坩埚作用，生长出所需尺寸的稀土倍半氧化物激光晶体。本发明能够避免坩埚对熔体的污染，可以在较短时间内生长出高质量的稀土倍半氧化物激光晶体，并可重复利用生长过程中的结晶余料，降低生长成本。
一种稀土氧化物激光晶体生长方法

[发明专利]半导体器件的制作方法-CN202110150960.6有效
发明人：蔡双 -专利权人：中芯集成电路制造（绍兴）有限公司
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体器件的制作方法，包括：提供第一基片以及第二基片，第一基片具有第一键合面，且在第一键合面形成有第一图案结构以及对位标记，第二基片具有第二键合面以及与第二键合面相背离的图案制作表面；在第一键合面或第二键合面上形成保护层，保护层在第一键合面的正投影至少覆盖对位标记；将第一基片的第一键合面与第二基片的第二键合面进行键合；于第二基片内形成暴露保护层的通孔，通孔在第一键合面上的正投影包围对位标记；去除保护层；通过对位标记进行对位，在第二基片的图案制作表面形成与第一图案结构相对应的第二图案结构。本申请可以有效提高对位标记的对准精度，从而有效保证工艺稳定性。
半导体器件制作方法

[实用新型]一种用于提取固体废物中有机污染物的前处理装置-CN202021718873.3有效
发明人：魏鑫;王遥雪;潘瑞花;储畅;蔡双;胡茜 -专利权人：武汉海关技术中心
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： B09B3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于提取固体废物中有机污染物的前处理装置，包括氮气罐、提取瓶、水分吸收管、冷凝管，所述氮气罐上端安装有气泵，所述气泵出气端通过氮气传输管连接密封板，所述密封板连接在所述提取瓶上，所述提取瓶下端设置有加热座，所述密封板另一端连接有提取管，所述提取管上顺序设置有所述水分吸收管、所述冷凝管、活性炭吸收管，所述水分吸收管内部设置有水分吸收剂，所述活性炭吸收管内部设置有活性炭，所述提取管通过连接密封盘连接所述水分吸收管、所述活性炭吸收管。本实用新型与传统方法相比具有提取效率高、操作简便、仪器设备简单的优点，利用快拆结构，方便后期的维护以及操作的方便性。
一种用于提取固体废物有机污染物处理装置

[发明专利]一种泡生法蓝宝石生长热场装置-CN201910869021.X在审
发明人：何明珠;杭寅;张连翰;蔡双;朱影;潘世烈;赵兴俭;韦建 -专利权人：新疆紫晶光电技术有限公司
申请日： 2019-09-16 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： C30B17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种蓝宝石晶体生长炉的温场结构和设计，旨在提供一种性能更加优异的热场，应用于生长更大尺寸蓝宝石晶体，该装置主要包括炉体、坩埚、上反射屏、侧反射屏、加热器等主体部件。通过加热器、上反射屏、侧反射屏、坩埚及下反射屏的合理布局，使坩埚内温场呈现中心温度低、边缘温度高的连续分布，适合生长高质量、大尺寸的蓝宝石晶体。
一种泡生法蓝宝石生长装置

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