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[发明专利]微流控芯片及其制备方法-CN201911022371.9有效
发明人：苏云鹏;邹耀中;邓杨;江鹏;顾佳烨 -专利权人：成都今是科技有限公司
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本公开实施例提出一种微流控芯片及其制备方法，该微流控芯片的芯片单元包括：CMOS衬底；形成于该CMOS衬底之上的微电极层；形成于该CMOS衬底之上并覆盖该微电极层的亲水层；形成于该亲水层之上的亲脂层；该亲脂层和亲水层具有从该亲脂层的顶部贯穿至该微电极层的上表面的孔。本公开实施例既能保证水溶液的润湿，实现电路导通，同时能保证有机双性分子实现自组装，实现高的良率，并且可以实现在单个芯片中设置千万级单元的可能，同时兼容CMOS工艺，可以提高量产精度控制，降低量产成本。
微流控芯片及其制备方法

[发明专利]基因测序芯片的微电极及其制备方法、基因测序芯片-CN201911283304.2在审
发明人：苏云鹏;周大雨;孙纳纳;顾佳烨 -专利权人：成都今是科技有限公司;大连理工大学
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： G01N27/327 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种基因测序芯片的微电极及其制备方法以及基因测序芯片，该微电极包括衬底、在所述衬底上形成的集流体层以及在所述集流体层上形成的电极层，所述集流体层包括过渡金属薄膜或其氮化物薄膜或过渡金属与其氮化物的复合薄膜，所述电极层包括在所述过渡金属薄膜或其氮化物薄膜或过渡金属与其氮化物的复合薄膜上形成的所述过渡金属的氮氧化物薄膜。本申请实施例提高了基因测序芯片中微电极的单位面积电压驱动能力，能够满足超高循环次数的要求，提高了基因测序芯片的通量和稳定性。
基因芯片微电极及其制备方法

[发明专利]一种基板切割方法-CN201910064659.6在审
发明人： 顾佳烨 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： B81C99/00 文献下载
摘要：本申请提供一种基板切割方法，用于切割基板，所述基板的正面形成有具有预定功能的功能区域，所述基板还具有围绕该功能区域的待切割区域，该方法使用半导体工艺中的除激光刻蚀之外的其它的刻蚀工艺对基板的待切割区域进行蚀刻处理，从而仅在待切割区域的横向或厚度方向保留基板的一部分，降低了对基板进行切割的难度，并且降低了切割工艺的成本。
一种切割方法

[发明专利]一种共晶键合方法和半导体器件-CN201510885153.3有效
发明人：邱鹏;张挺;顾佳烨 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本申请提供一种共晶键合方法，该方法包括：在第一基片表面形成第一键合材料图形；在第二基片表面形成第二键合材料图形；在所述第二键合材料图形中形成朝向所述第二基片表面凹陷的下凹陷部；将所述第一键合材料图形和所述第二键合材料图形对齐，并在预定压力和预定温度下按压所述第一基片和所述第二基片，以使所述第一基片和所述第二基片通过所述第一键合材料图形和所述第二键合材料图形发生共晶键合。根据本申请，在基片键合材料图形中形成凹陷部，以容纳共晶键合过程中形成的部分共晶材料的合金，由此，减少或消除溢流物。
一种共晶键合方法半导体器件

[发明专利]在基体的表面形成多种面形结构的方法-CN201611020535.0有效
发明人： 顾佳烨;游家杰;邱鹏 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本申请提供一种在基体的表面形成多种面形结构的方法，该方法包括：在基体的表面形成至少两种掩模图形，不同种的掩模图形具有不同的掩模材料和/或表面形状，其中，不同的掩模材料与所述基体之间具有不同的刻蚀选择比；刻蚀所述至少两种掩模图形和所述基体的表面，以将所述至少两种掩模图形按照相应的刻蚀选择比转移到所述基体的表面，以在所述基体的表面形成由所述基体的材料形成的至少两种面形结构。根据本实施例，可以通过一次刻蚀在基体的表面形成不同的表面形状。
表面形成掩模图形面形结构刻蚀选择比掩模材料刻蚀材料形成申请

[发明专利]一种共晶键合方法和半导体器件-CN201611050071.8有效
发明人：邱鹏;顾佳烨;游家杰 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2016-11-24 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本申请提供一种共晶键合方法和半导体器件，该方法包括：在第一基片的表面形成第一键合材料图形；在第二基片的表面形成第二键合材料图形；在所述第一基片的表面和/或所述第二基片的表面形成围绕所述第一键合材料图形和/或所述第二键合材料图形的突起的环状部件，所述环状部件与所述第一键合材料图形和/或所述第二键合材料图形的外周之间形成容纳空间；将所述第一键合材料图形和所述第二键合材料图形对齐，并在预定压力和预定温度下按压所述第一基片和所述第二基片，以使所述第一基片和所述第二基片通过所述第一键合材料图形和所述第二键合材料图形发生共晶键合。根据本申请，能阻挡溢流物。
键合材料表面形成共晶键合半导体器件环状部件按压容纳空间图形对齐图形发生预定压力溢流物突起申请外周阻挡

[发明专利]用于键合的铝材料的预处理方法及键合方法-CN201410231355.1有效
发明人：邱鹏;王宇翔;顾佳烨;段立帆 -专利权人：上海矽睿科技有限公司
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种用于键合的铝材料的预处理方法及键合方法，所述预处理方法包括如下步骤：提供一表面具有铝层的第一衬底；对所述铝层实施等离子体处理，以去除所述铝层表面的氧化层，所述等离子体的源物质中含有氯气和三氟甲烷。本发明的优点在于，对铝层实施等离子体处理，以去除所述铝层表面的氧化层，所述等离子体的源物质中含有氯气和三氟甲烷。由于没有还原性气体的使用，提高了去除氧化层的安全性，降低了键合的成本。
氧化层键合铝层去除等离子体预处理等离子体处理氯气铝层表面三氟甲烷源物质还原性气体铝材料衬底

[发明专利]锗的干法刻蚀方法-CN201410231370.6有效
发明人：邱鹏;王宇翔;顾佳烨;段立帆 -专利权人：上海矽睿科技有限公司
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种锗的干法刻蚀方法，包括如下步骤：提供一表面具有锗层的衬底；对所述锗层实施等离子体处理，以形成图形化的锗层，所述等离子体的源物质中含有氯气和三氯化硼。本发明的优点在于，采用氯基的氯气和三氯化硼对锗进行等离子体处理，由于氯基的氯气和三氯化硼对阻挡层的刻蚀速率小于对锗的刻蚀速率，从而提高了锗刻蚀时对阻挡层材料的刻蚀选择比，优化了锗的刻蚀工艺。
刻蚀方法

[发明专利]一种光刻方法和制造半导体器件的方法-CN201711384898.7在审
发明人： 顾佳烨 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本申请提供一种光刻方法和制造半导体器件的方法，该光刻方法包括：在基片表面形成聚合物层，所述聚合物层表面为疏水性；在所述聚合物层表面形成光刻胶图形。根据本申请，在光刻胶和基片之间设置薄的、易被刻蚀和清洗的聚合物层，能够避免专门刻蚀聚合物层的工艺，有效降低工艺复杂度及生产成本，同时，不会妨碍旋涂薄的光刻胶，并能保持精细图形定义的能力。
光刻聚合物层表面半导体器件聚合物层光刻胶工艺复杂度光刻胶图形刻蚀聚合物基片表面精细图形疏水性刻蚀旋涂易被申请生产成本制造清洗

[发明专利]一种绝缘体上硅材料的制造方法-CN201510885181.5有效
发明人： 顾佳烨;张挺;邱鹏 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请提供一种绝缘体上硅材料的制造方法，该方法包括：在衬底硅晶圆的上表面的外周部形成掺杂区；在所述衬底硅晶圆的上表面形成氧化层；将所述衬底硅晶圆的上表面与顶层硅晶圆键合，其中，所述顶层硅晶圆具有与所述衬底硅晶圆的所述外周部键合的外周键合部；对所述顶层硅晶圆进行倒角处理，以至少部分地去除所述外周键合部。根据本申请，能够防止衬底硅表面的外周部被腐蚀液所腐蚀，提高绝缘体上硅材料的质量。
一种绝缘体材料制造方法

[发明专利]在晶片表面形成复杂曲面的方法-CN201611207872.0在审
发明人：徐元俊;顾佳烨 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本申请提供一种在晶片表面形成复杂曲面的方法，该方法包括：在晶片的表面形成光刻胶；利用具有第一灰度分布的光掩模图形对所述光刻胶进行曝光，并使曝光后的光刻胶显影，以将所述光掩模图形中的所述第一灰度分布转化为所述光刻胶的第一厚度分布，从而在所述光刻胶表面形成曲面；刻蚀光刻胶，对所述光刻胶的表面和所述晶片的表面进行刻蚀，以将所述光刻胶表面的曲面转移到所述晶片的表面。根据本申请能够在晶片表面形成曲面。
光刻胶晶片表面晶片光刻胶表面光掩模图形灰度分布刻蚀表面形成厚度分布曲面转移曝光显影申请转化

[发明专利]一种形成倾斜的坡面结构的方法-CN201611050313.3在审
发明人：邱鹏;顾佳烨;游家杰 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2016-11-24 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本申请提供一种形成倾斜的坡面结构的方法，该方法包括：在所述基片的表面形成第一材料层；刻蚀所述第一材料层，以形成第一材料层图形，所述第一材料层图形具有由刻蚀而形成的台阶部；沉积覆盖所述第一材料层图形的表面的第二材料层，其中，所述第二材料层的表面在所述台阶部周围相对于所述基片的表面发生倾斜；刻蚀所述第二材料层，以使所述第二材料层的表面成为与所述台阶部邻接的所述坡面结构。根据本申请，以简单的方法形成坡面结构。
第一材料第二材料层坡面结构台阶部刻蚀表面形成邻接沉积申请覆盖

[发明专利]一种集成多档位的压力传感器及其制造方法-CN201510885201.9在审
发明人：张挺;顾佳烨;邱鹏 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： G01L1/00 文献下载
摘要：本申请提供一种集成多档位的压力传感器及其制造方法，该压力传感器包括至少两个压力感测元件，其形成在基片中；至少两个基片材料膜，其形成在所述基片中，并且，所述基片材料膜与所述压力感测元件的位置对应；至少两个空腔，其形成在所述基片中，位于所述基片材料膜的下方；其中，在至少两个基片材料膜中，所述基片材料膜的厚度彼此不同。根据本申请，具有横跨各类应用的量程、精度的压力传感器能够被集成到单一的芯片上，在实际应用中，可以根据不同的需求对所使用的压力传感器进行切换和选择，因此，可以大幅降低产品开发和维护费用，使压力传感器具有更广阔的应用市场。
一种集成档位压力传感器及其制造方法

[发明专利]Al-Ge共晶键合预处理方法及键合方法-CN201410231382.9在审
发明人： 顾佳烨;王宇翔 -专利权人：上海矽睿科技有限公司
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种Al-Ge共晶键合预处理方法及键合方法，所述预处理方法包括如下步骤：提供一表面具有锗顶层的第一衬底及一表面具有铝顶层的第二衬底；充入化学性质不活泼的气体，排除空气，防止所述锗顶层及铝顶层被氧化。本发明的优点在于，没有采用还原性气体去除铝及锗表面的氧化层，而是采用化学性质不活泼的气体排除空气，防止铝及锗氧化。在预键合及键合过程中只存在非活泼性气体（如N₂）或者惰性气体，无需还原性气体（通常是H₂）的引入，简化工艺，降低成本，提高工艺操作安全性。
al ge 共晶键合预处理方法

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