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[发明专利]一种高温高压条件下制备镁铝榴石单晶的方法-CN202111495741.8有效
发明人：代立东;胡海英 -专利权人：中国科学院地球化学研究所
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C30B1/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种高温高压条件下制备镁铝榴石单晶的方法，以固态的六水合硝酸镁粉末、固态的九水合硝酸铝粉末、固态的九水合硝酸铁(III)粉末、液态的正硅酸乙酯、液态的钛酸四丁酯和无水乙醇浓度作为起始原料制备出镁铝榴石圆柱样品，以固态的天然蛇纹石粉末和固态的α相针铁矿作为水源制备出两水源片，将两水源片分别放置在圆柱样品两端，将样品和水源片放入金钯合金样品管内进行高温高压反应得到高铬和高含水的镁铝榴石单晶；解决了目前的一种高铁的、高钛的和高含水的镁铝榴石单晶的制备技术空白，以获取大颗粒的高含铁的、高含钛的和高含水的镁铝榴石单晶实验样品。
一种高温高压条件下制备镁铝榴石单晶方法

[发明专利]一种用于吸附六氟化铀的硅基分子筛膜材料制备方法-CN201910921867.3在审
发明人：王琛;鲁泽潇;赵兴红;李力力;刘国荣;赵永刚 -专利权人：中国原子能科学研究院
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： B01J20/28 文献下载
摘要：所述方法包括：对单晶硅片载体预处理；利用拟薄水铝石与硝酸反应，制备铝溶胶；在铝溶胶中加入NaY沸石分子筛，研磨，制浆；在单晶硅片载体表面采用喷涂的方式负载浆料；对负载浆料的单晶硅片载体进行焙烧。
单晶硅片硅基分子筛六氟化铀浆料吸附分子筛焙烧吸附材料表面膜材料制备拟薄水铝石载体预处理制备铝溶胶方式负载喷涂法制硝酸反应载体表面研磨沸石层铝溶胶膜材料喷涂制浆制备备用

[发明专利]非晶硅/单晶硅异质结太阳能电池铝背电场制备方法-CN201010186977.9无效
发明人：曾祥斌;曾瑜;张笑;姜礼华;李民英;陈宇 -专利权人：广东志成冠军集团有限公司
申请日： 2010-05-26 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池器件制备技术领域，特别涉及一种非晶硅/单晶硅异质结太阳能电池铝背电场制备方法。本发明在清洗后的单晶硅片上丝网印刷铝浆，预烘后在700℃±20℃条件下，对经预烘处理后的p型单晶硅片进行快速热退火。本发明采用丝网印刷涂覆铝浆和快速热退火工艺相结合，使制造工艺简单，成本降低，性能提高。和现有技术相比，还提高了对电流的收集效率、避免了工艺中的污染。
非晶硅单晶硅异质结太阳能电池电场制备方法

[发明专利]表面声波装置-CN99806810.1有效
发明人：木村悟利;中野正洋;佐藤胜男 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 1999-10-12 - 公布日： 2003-05-21 - 主分类号： H03H9/145 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种在具有近似于36度旋转Y切割的切割角的钽酸锂基片上带有电极膜的SAW装置，该电极膜包括具有改进功率耐久性的铝单晶膜。SAW装置在一个基片上带有叉指型电极。基片由38至44度旋转Y切割钽酸锂单晶建造，每根叉指型电极包括一层钛膜和一层形成在其上的铝膜，并且铝膜是仅在选择区域电子衍射分析时产生斑点的单晶膜。
表面声波装置

[发明专利]生长可弯曲柔性稀土单晶光纤的坩埚及微下拉法生长可弯曲柔性稀土单晶光纤的方法-CN202011463746.8在审
发明人：薛冬峰;陈昆峰;潘婷钰 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： C30B15/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于微下拉法生长可弯曲柔性稀土单晶光纤的坩埚，所述坩埚的底部通过锥形孔与毛细管相连通；所述锥形孔的大孔位于所述坩埚底部，所述锥形孔的小孔与毛细管相连通；所述坩埚的底部为平面；所述稀土单晶包括钇铝石榴石单晶或掺杂钇铝石榴石单晶本发明设计的具有特殊结构的坩埚，靠近底端开孔的坩埚内壁和毛细孔采用锥形管连接设计，保障熔体流动性，实现了可弯曲单晶光纤的可控生长。本发明还提供了微下拉法中稀土单晶光纤生长速率的计算方法，建立微下拉生长模型，利用特殊结构的坩埚配套温度场结构结合理论计算，实现了可弯曲单晶光纤的微下拉法生长，最终得到了高品质的柔性单晶光纤。
生长弯曲柔性稀土光纤坩埚下拉方法

[发明专利]一种PERC单晶硅太阳能电池及其制备方法-CN201910199066.0有效
发明人：赵燕;刘尧平;陈伟;吴俊桃;陈全胜;王燕;杜小龙 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明提供了一种PERC单晶硅太阳能电池及其制备方法，属于电池技术技术领域，其包括由上至下依次分布的减反射膜、单晶硅片、钝化膜、保护膜和全铝背场，所述单晶硅片的正面具有的微米级随机倒金字塔绒面结构，所述钝化膜和保护膜上开有贯通所述钝化膜和保护膜的开口，使得开口处单晶硅片的背面可以与全铝背场直接接触。本发明提供的一种PERC单晶硅太阳能电池及其制备方法，其通过简单的工艺操作将倒金字塔绒面结构制备在PERC单晶硅太阳能电池的单晶硅片上，具有操作简单，适用于PERC单晶硅太阳能电池的大规模量产的优点。
一种 perc 单晶硅太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种具有包覆层的高倍率类单晶型镍钴铝酸锂正极材料及其制备方法-CN201911250375.2有效
发明人：黄晓笑;李心雨;孙保国;张曼丽 -专利权人：宁波容百新能源科技股份有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有包覆层的高倍率类单晶型镍钴铝酸锂正极材料及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：(1)将氢氧化镍钴前驱体、氢氧化铝混合均匀，之后加入氢氧化锂继续混合，得混合料；(2)将上述材料装入耐高温容器内，在富氧环境下进行烧结，冷却至室温后，过筛，得类单晶型镍钴铝酸锂正极材料；(3)将上述材料和冷水混合，控制水洗时间和烘干温度，得水洗后的类单晶型镍钴铝酸锂正极材料；(4)将上述材料和包覆剂混合均匀，并在富氧条件下继续烧结本发明可改善类单晶型镍钴铝酸锂正极材料的稳定性，从而提高正极材料的循环性能和倍率性能。
一种具有覆层倍率类单晶型镍钴铝酸锂正极材料及其制备方法

[发明专利]一种大面积铝单晶薄膜及其制备方法与应用-CN202110369810.4有效
发明人：武彪;冯加贵;熊康林;陈建;孙骏逸;黄永丹;朱博杰;丁孙安;陆晓鸣 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-04-06 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种大面积铝单晶薄膜及其制备方法与应用。清洗、piranha溶液清洗及HF清洗，获得预处理后的Si(111)衬底；在真空条件下，将所述预处理后的Si(111)衬底置于分子束外延装置中表面处理，采用分子束外延技术在所述Si(111)衬底表面生长铝单晶薄膜，获得大面积铝单晶薄膜。本发明制备的Si(111)/Al单晶薄膜，与Si衬底传统工艺相比，实现了大面积Al单晶薄膜，没有孪晶，更可明显减少Si/Al界面C、H、O杂质含量，将谐振器本征品质因子提升到106<
一种大面积铝单晶薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种硅基光伏电池及其制造方法-CN201810595559.1有效
发明人：张军 -专利权人：安徽鹰龙工业设计有限公司
申请日： 2018-06-11 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型硅基光伏电池及其制造方法，包括以下步骤：P型单晶硅片的制绒处理，在所述P型单晶硅片的下表面制备多个呈阵列排布的P+掺杂区，设置阻挡层并在含氧气氛中进行热处理，使得所述P型单晶硅片中的所述第二区的表面掺杂浓度低于所述P型单晶硅片内部的掺杂浓度，在所述P型单晶硅片的上表面形成N型多晶硅，在所述N型多晶硅表面沉积透明导电层，接着在P型单晶硅片的上下表面分别制备铜栅电极金属铝层，以使得所述金属铝层与所述P+掺杂区形成点接触
一种硅基光伏电池及其制造方法

[发明专利]新型铝背发射结N型单晶硅太阳电池-CN200710047776.9有效
发明人：胡宏勋;李华维;徐晓群;孙劢斌;陈斌;黄跃文;唐则祁 -专利权人：宁波杉杉尤利卡太阳能科技发展有限公司
申请日： 2007-11-02 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明提供一种新型铝背发射结N型单晶硅太阳电池；本发明的太阳电池结构是，自上层至下层，依次是：(1)Ag银金属栅线正电极；(2)SiN_x减反射层，厚度约为80nm；(3)正面N⁺磷扩散层，厚度为0.3～0.5um；(4)N型单晶硅片，电阻率0.2～15Ω.cm；(5)P⁺Al－Si合金层；(6)背面Al电极；(7)背面银铝主栅线电极。通过两次丝网印刷铝浆，两次烧结，把铝硅合金的烧结与背电极的烧结分开进行，成功解决了背面全覆盖铝，使电极可焊性、牢固度问题无法解决的问题，使铝背发射结N型单晶硅太阳电池规模化生产可以实现。
新型发射单晶硅太阳电池

[发明专利]AIN单晶的制造方法以及AIN单晶-CN200580027729.7有效
发明人：岩井真;今井克宏 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2005-09-05 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：通过在含氮的气氛中对至少含有镓、铝和钠的熔液进行加压，培养AlN单晶。优选的是，在氮分压为50个大气压以下培养AlN单晶，此外，在850℃～1200℃的温度下培养AlN单晶。
ain 制造方法以及

[发明专利]一种AlGaN单晶制备方法-CN201110350936.3无效
发明人：曹永革;童浩;刘著光;邓种华;黄集权 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2011-11-08 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： C30B1/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种AlGaN单晶的制备方法,本方法所需装置简单，利用金属Ga源和单晶AlN在防止氧化的情况下将Ga扩散进AlN单晶形成AlGaN.通过X射线衍射结果分析所制备的AlGaN单晶体具有高铝组分。所生长的AlGaN单晶有一定使用价值，该AlGaN单晶衬底可供AlGaN等III-N半导体材料薄膜同质外延之需。
一种 algan 制备方法

[发明专利]一种单晶电池材料的制备方法-CN201910180654.X在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：苏州拉瓦锂能源科技有限公司
申请日： 2019-03-11 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01M4/505 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶电池材料的制备方法，所述的单晶电池材料包括镍钴锰酸锂和镍钴铝酸锂，所述的镍钴锰酸锂的化学式为Li_aNi_xCo_yMn_zO₂；所述的镍钴铝酸锂的化学式Li_bNi_uCo_vAl_wO₂，所述的单晶电池材料的制备方法采用多段变温技术，将镍钴锰酸锂或镍钴铝酸锂的前驱体与无机熔盐混合煅烧得到单晶型镍钴锰酸锂正极材料。通过上述，本发明提供的单晶电池材料的制备方法，采用多段变温技术，制备大尺寸的镍钴锰酸锂材料，增加了单晶电池材料的压实密度，更高的压实密度具有更高的体积能量密度，循环性能更稳定，所制备的电池纽扣具有良好电化学性能
单晶电池材料镍钴锰酸锂制备镍钴铝酸锂变温多段压实电化学性能体积能量无机熔盐循环性能正极材料前驱体纽扣煅烧电池

[发明专利]一种钒掺杂的镍钴铝锂离子电池正极材料及其制备方法-CN201710892816.3有效
发明人：许开华;王家良;张云河;乐绪清 -专利权人：荆门市格林美新材料有限公司
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种钒掺杂的镍钴铝锂离子电池正极材料及其制备方法，钒掺杂的镍钴铝锂离子电池正极材料的化学表达式为LiaNix单晶镍钴铝复合前驱体和钒的化合物进行超高速预混合，再将单晶镍钴铝前驱体和钒化合物的混合料与普通多晶镍钴铝前驱体高速混合，提高混合效果，因为单晶复合前驱体机械强度高，可以采用超高速混合，而不至于破碎，同时单晶复合前驱体可以起到碰撞介质的作用，将钒的化合物充分打散，使掺杂元素和主元素充分混合。
一种掺杂镍钴铝锂离子电池正极材料及其制备方法

[发明专利]一种高温高压下制备锰铝榴石单晶的方法-CN202111495846.3有效
发明人：代立东;胡海英 -专利权人：中国科学院地球化学研究所
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： C30B1/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种高温高压下制备锰铝榴石单晶的方法，它包括：以固态的四水合硝酸锰(II)粉末、固态的九水合硝酸铝粉末、固态的五水合硝酸锆(Ⅳ)粉末、固态的三乙酰丙酮钒(III)粉末、液态的正硅酸乙酯和无水乙醇浓度作为起始原料制备出玻璃态的粉末锰铝榴石样品，将粉末样品压成Φ3.8mm(直径)×3.4mm(高度)的圆柱体；以天然蛇纹石、片水锰矿和氢氧化锆作为水源制备出水源片；将两片水源片放置在圆柱体样品两端后一起放入金钯合金样品管内通过高温高压反应得到锰铝榴石单晶；彻底解决了目前的高钒的、高锆的和高含水的锰铝榴石单晶的制备技术空白，以获取大颗粒的高含钒的、高含锆的和高含水的锰铝榴石单晶实验样品。
一种高温压下制备锰铝榴石单晶方法